-
公开(公告)号：CN103578600A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210475663.X
申请日：2012-11-21
申请人： E·I·内穆尔杜邦公司
IPC分类号： H01B1/16 , H01B1/22 , H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022425 , C03C8/08 , C03C8/10 , C03C8/12 , C03C8/18 , H01B1/16 , H01B1/22 , H01L31/022408 , Y02E10/50
摘要： 本发明涉及包含铅-钒基氧化物的厚膜浆料及其在半导体装置制造中的用途，具体提供用于印刷太阳能电池装置的所述正面的厚膜浆料及其制备方法，所述太阳能电池装置具有一个或多个绝缘层。所述厚膜浆料包含分散在有机介质中的导电金属源和铅-钒基氧化物。本发明还提供包括由所述厚膜浆料形成的电极的半导体装置。
-
公开(公告)号：CN102165589B
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN200980139112.2
申请日：2009-10-05
申请人： E·I·内穆尔杜邦公司
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/486 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2924/09701 , H01L2924/00014
摘要： 本发明涉及表面贴装陶瓷LED封装(138)和用于其生产的方法，所述方法包括：将具有孔(106)的陶瓷生片(102)与第二陶瓷生片(104)叠放；插入带有凹槽(128)的模具(114)以在所述陶瓷生片基板(112)的底部形成隔片(136)；以及烧结所述陶瓷生片基板。
-
公开(公告)号：CN103366862A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310090966.4
申请日：2013-03-20
申请人： E·I·内穆尔杜邦公司
发明人： J·R·多尔夫曼
CPC分类号： H01L51/0022 , B22F1/0059 , B22F7/08 , B23K35/0244 , B23K35/262 , B23K35/286 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K35/3613 , H01B1/22 , H01L31/022425 , H01L2924/0002 , H05K1/095 , H05K2201/0305 , Y02E10/50
摘要： 本发明提供一种聚合物厚膜导体组合物，所述组合物包含(a)焊料合金粉末，所述合金粉末选自(i)锡、银和铜合金粉末；(ii)锡和铋合金粉末；以及(iii)它们的混合物；(b)金属，所述金属选自银、铜、金、铝以及它们的混合物；以及(c)包含溶解于有机溶剂中的树脂的有机介质，所述树脂为偏二氯乙烯和丙烯腈的乙烯基共聚物树脂或苯氧基树脂，其中所述焊料合金粉末和所述金属分散于所述有机介质中。
-
公开(公告)号：CN102960076A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201080059152.9
申请日：2010-12-29
申请人： E·I·内穆尔杜邦公司
CPC分类号： H05K3/0094 , H01B1/22 , H05K1/09 , H05K1/092 , H05K1/095 , H05K1/115 , H05K3/4061 , H05K2201/032 , H05K2201/09481 , H05K2201/09563 , H05K2203/1126
摘要： 本发明公开了形成过渡通路和过渡线路导体的组合物以最小化相异金属组合物之间电连接的界面效应。所述组合物具有(a)选自(i)20-45重量%的金和55-80重量%的银，以及(ii)100重量%的金银固溶体合金的无机组分，和(b)有机介质。所述组合物还可包含(c)基于组合物的重量计1-5重量%的选自铜、钴、镁、铝和/或主要包含高熔点氧化物的高粘性玻璃的氧化物或混合金属氧化物。所述组合物可用作通路填充物中的一种多层组合物。也可以使用所述用于形成过渡通路和过渡线路导体的组合物来形成诸如LTTC电路和装置的多层电路。
-
公开(公告)号：CN102804389A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080026445.7
申请日：2010-06-28
申请人： E·I·内穆尔杜邦公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01B1/22
摘要： 本发明提供了一种在硅片正面上制备栅阴极的方法，所述方法如下：在所述硅片上以正面栅极图案施加和焙烧金属浆料，以形成晶粒栅阴极，随后对所述硅片实施LIP方法，其中所述金属浆料包含有机载体和无机成分，所述无机成分包含(a)90至98重量％的至少一种导电金属粉末，所述导电金属粉末选自镍、铜和银，以及(b)0.25至8重量％的至少一种玻璃料，所述玻璃料选自包含47.5至64.3重量％的PbO、23.8至32.2重量％的SiO2、3.9至5.4重量％的Al2O3、2.8至3.8重量％的TiO2和6.9至9.3重量％的B2O3的玻璃料。
-
公开(公告)号：CN102666744A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080052462.8
申请日：2010-11-19
申请人： E·I·内穆尔杜邦公司
IPC分类号： C09D11/00
CPC分类号： C09D11/326 , C08G18/82 , C08G63/60 , C08G63/914 , C08K3/20 , C08K5/00 , C08L31/00 , C08L33/00 , C08L63/00 , C08L67/00 , C08L75/04 , C08L2312/00 , C09D5/027 , C09D5/028 , C09D7/41 , C09D7/62 , C09D7/65 , C09D11/322 , C09D11/324 , C09D17/001 , C09D17/003 , C09D17/004 , C09D17/005
摘要： 本发明提供了用于制备交联着色剂分散体的方法，其中具有可交联部分的部分中和的分散剂聚合物通过分散剂上的可交联部分与交联剂的反应而被用作着色剂的分散剂。
-
公开(公告)号：CN1723245A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200480001845.7
申请日：2004-01-06
申请人： E·I·内穆尔杜邦公司
发明人： C·张
CPC分类号： H01B1/127 , C08L65/00 , C09D165/00 , H01B1/122 , H01L51/0037
摘要： 提供一种用于电致发光器件(例如OLED)的可变电阻PEDT/PSS缓冲层。本发明的另一个实例提供一种OLED，它包括可变电阻的PEDT/PSS缓冲层。本发明再一个实例研制一种改变由水溶液流延在基片上的PEDT/PSS层电导率的方法，它包括在流延前向PEDT/PSS水溶液加入助溶剂。
-
公开(公告)号：CN1671818A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN03818311.0
申请日：2003-07-29
申请人： E·I·内穆尔杜邦公司
CPC分类号： H01L51/0087 , C07D209/88 , C07D271/107 , C07F15/0033 , C08G61/02 , C08G61/122 , C08G61/125 , C08G61/126 , C09K11/06 , C09K2211/1029 , C09K2211/1408 , C09K2211/1416 , C09K2211/1425 , C09K2211/1466 , C09K2211/1475 , C09K2211/185 , H01L51/0038 , H01L51/0039 , H01L51/004 , H01L51/0043 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0053 , H01L51/0062 , H01L51/007 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/50 , H01L51/5012 , Y10S428/917
摘要： 本发明涉及包含共价键合到共轭聚合物上的金属配合物的聚合物金属配合物和包含这种聚合物金属配合物的发光材料。本发明还涉及活性层包含这种聚合物金属配合物的电子器件。
-
公开(公告)号：CN1666577A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN03816188.5
申请日：2003-07-09
申请人： E·I·内穆尔杜邦公司
CPC分类号： C07D241/42 , C07C211/49 , C07C211/52 , C07C211/54 , C07C215/74 , C07C217/80 , C07C255/58 , C07D209/86 , C07D213/38 , C07D241/38 , C07D401/04 , C07D401/14 , C07D403/04 , C07D409/04 , C07D409/14 , C07D471/04 , C07D471/14 , C07D475/00 , C07D487/04 , C07F7/0838 , C08G61/122 , C08G61/124 , C08L65/00 , C09B11/10 , C09K11/06 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L51/0035 , H01L51/0043 , H01L51/005 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0065 , H01L51/0067 , H01L51/0068 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/0094 , H01L51/50 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5048 , H01L2251/308 , H05B33/14 , Y10S428/917
摘要： 本发明涉及一种光活性电子器件，它包括阳极、阴极和光活性层。所述器件还包括电子迁移和/或抗淬灭层，它能将光活性层的电子转移淬灭和能量转移淬灭降至最小。
-
公开(公告)号：CN1582310A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN02822130.3
申请日：2002-11-07
申请人： E·I·内穆尔杜邦公司
发明人： F·P·乌克特
CPC分类号： C08G61/126 , C08G61/02 , C08G61/10 , C08G61/122 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0052 , H01L51/0053 , H01L51/5012
摘要： 本发明一般涉及制备芳族聚合物的方法。还涉及由这种聚合物制得的器件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
126 条记录 (耗时 0.032 秒)
