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公开(公告)号：CN102372253B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201010260100.X
申请日：2010-08-23
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： B82B1/002 , Y10T428/292
摘要： 本发明涉及一种碳纳米管复合线状结构，包括一导电线状结构及一环绕该导电线状结构设置的碳纳米管层，该碳纳米管层为一连续的层状结构，且由若干碳纳米管组成。本发明还提供一种制备上述碳纳米管复合线状结构的方法，该制备方法包括以下步骤：提供一导电线状结构及一碳纳米管结构；以及将所述碳纳米管结构缠绕于所述导电线状结构的表面。
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公开(公告)号：CN106573770A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201480079265.3
申请日：2014-06-27
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： B81B7/02
CPC分类号： B82B1/005 , B81B3/0016 , B81B7/02 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B82B1/002 , B82B3/0023 , B82Y15/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01H1/0094 , H01H1/54 , H01H59/0009 , H01L29/66227 , H01L29/82 , H01L29/84 , Y10S977/732 , Y10S977/838 , Y10S977/888 , Y10S977/938
摘要： 描述了用于操作电压的改进的范围和悬臂的尺寸的改进的控制的具有纳米磁铁的纳米机电(NEMS)器件。例如，在实施例中，纳米机电(NEMS)器件包括衬底层、设置在衬底层上方的第一磁性层、设置在第一磁性层上方的第一电介质层、设置在第一电介质层上方的第二电介质层、以及设置在第二电介质层上方的悬臂。当将电压施加到悬臂时，悬臂从第一位置朝着衬底层弯曲到第二位置。
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公开(公告)号：CN102372252B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201010259961.6
申请日：2010-08-23
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： C01B31/0253 , B82B1/002 , C01B32/168 , Y10T428/292
摘要： 本发明公开一种碳纳米管复合线，包括一支撑芯，以及一碳纳米管层。该碳纳米管层环绕该支撑芯设置，并包覆在所述支撑芯外表面。该碳纳米管层为多个碳纳米管通过范德华力相互连接形成。该碳纳米管复合线具有较高的拉伸强度以及断裂伸长率，可以应用于高强度织物的制造，以及防弹衣的制造。本发明还公开所述碳纳米管复合线的制备方法。
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公开(公告)号：CN107651650A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710904778.9
申请日：2017-09-29
申请人： 江西师范大学
CPC分类号： B82B1/002 , B82B3/0023 , B82Y40/00
摘要： 本申请提供一种耦合纳米机械振子及其形成方法，其中耦合纳米机械振子包括：衬底；依次悬空于衬底表面的第一纳米机械振子单元和第二纳米机械振子单元；其中，第一纳米机械振子单元为耦合单元，第二纳米机械振子单元为工作单元，所述工作单元具有光学模式和机械模式，耦合单元具有光学模式，且在泵浦光驱动下，第一纳米机械振子单元的光学模式和第二纳米机械振子单元的光学模式耦合。本申请的纳米机械振子灵敏度和分辨率高，本申请的纳米机械振子形成工艺步骤简单。
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公开(公告)号：CN105800549A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610027870.7
申请日：2016-01-16
申请人： 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
CPC分类号： B82B1/00 , B82B1/002 , B82B3/00 , B82B3/0004 , B82B3/0014 , B82B3/0023 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种纳米点阵列及相关联的构建方法，其中纳米点阵列包括布置在一基板上以进一步应用的多个纳米点。
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公开(公告)号：CN104838342A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201380063496.0
申请日：2013-12-02
申请人： 3M创新有限公司
发明人： 肖恩·C·多兹 , 马修·S·斯泰 , 米哈伊尔·L·佩库罗夫斯基 , 马修·H·弗雷 , 马克·J·佩莱里特 , 约翰·P·巴埃佐尔德
IPC分类号： G06F3/041
CPC分类号： G06F1/16 , B82B1/002 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , G06F3/041 , G06F3/0412 , G06F2203/04103 , G06F2203/04112 , Y10S977/767 , Y10S977/887 , Y10S977/956
摘要： 本文公开了一种图案化导电层以形成透明电导体的方法(该方法不需要蚀刻)。所述方法包括从涂布有导电层的基板剥去可剥离聚合物层以图案化所述导电层。在一些实施例中，在导电层上图案化抗蚀基质材料以防止移除抗蚀基质材料下的导电层。在其它实施例中，使具有压敏粘合剂表面的衬片与图案化的可剥离聚合物材料接触以移除图案化的可剥离聚合物材料和其下面的导电层二者。
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公开(公告)号：CN105540534A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510905409.2
申请日：2015-12-10
申请人： 商丘师范学院
摘要： 本发明公开了一种纳米管纳米颗粒复合材料，包括水平中心纳米管，还包括水平曲折纳米管、纳米颗粒、竖直曲折纳米管和竖直中心纳米管，所述多个水平中心纳米管与多个竖直中心纳米管编织成网状结构，所述水平中心纳米管横穿透过水平曲折纳米管，所述水平中心纳米管与水平曲折纳米管的交点处设置有纳米颗粒，所述竖直中心纳米管纵穿透过竖直曲折纳米管，所述竖直中心纳米管与竖直曲折纳米管的交点处设置有纳米颗粒。本发明的有益效果为：具有较大的收缩性，满足了人们对于收缩性纳米管纳米颗粒复合材料的需求。
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公开(公告)号：CN103237755B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201180057845.9
申请日：2011-11-30
申请人： 独立行政法人物质·材料研究机构
CPC分类号： H01G9/058 , B81B2201/0221 , B81C1/00158 , B82B1/002 , B82B3/0047 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/05 , C01B32/184 , C01B2204/04 , H01G11/32 , H01G11/36 , Y02E60/13 , Y02T10/7022 , Y10S977/742 , Y10S977/842 , Y10S977/948 , Y10T428/25 , Y10T428/30
摘要： 一种石墨烯片膜，其是两张以上的石墨烯片(11)～(25)被集成，将集成体制成膜状，通过使用所述石墨烯片集成体(101)，可提供涉及能量密度及功率密度的电容器特性高的石墨烯片膜和其制造方法及使用其的石墨烯片电容器。所述石墨烯片集成体(101)具有将石墨烯片(11)～(25)之间接合、且形成以各石墨烯片(11)～(25)的面平行的方式层叠而成的石墨烯片层叠体(61)～(65)的第1碳纳米管(31)～(48)，和连接所述石墨烯片层叠体(61)～(65)之间的第2碳纳米管(51)～(56)。
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公开(公告)号：CN104828773A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510140376.7
申请日：2015-03-28
申请人： 安徽师范大学
CPC分类号： B82B1/002 , B82B3/0004 , B82B3/0009 , B82B3/0033 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01N27/48
摘要： 本发明涉及一种聚吡咯/银@硫化银核壳结构纳米线及其用途和制备方法，聚吡咯/银@硫化银核壳结构纳米线，包括三层结构，第一层为光滑、均一的银纳米线，第二层为紧密包裹在银纳米线表面的硫化银小颗粒，第三层为在银@硫化银核壳结构纳米线表面电沉积的聚吡咯。制备方法包括以下步骤：(1)合成Ag纳米线；(2)制备Ag@Ag2S纳米线；(3)制备聚吡咯/Ag@Ag2S核壳结构纳米线。利用两步刻蚀法首次合成出银@硫化银核壳结构纳米线。耦合银@硫化银纳米线与聚吡咯，构建了一个新颖高效的光电化学传感器平台。银纳米线核可以快速的转移电子并有效的阻碍电子与空穴的重组。聚吡咯拓宽了电极对可见光的吸收范围，提高光电流转化效率。
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公开(公告)号：CN102372253A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201010260100.X
申请日：2010-08-23
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： B82B1/002 , Y10T428/292
摘要： 本发明涉及一种碳纳米管复合线状结构，包括一导电线状结构及一环绕该导电线状结构设置的碳纳米管层，该碳纳米管层为一连续的层状结构，且由若干碳纳米管组成。本发明还提供一种制备上述碳纳米管复合线状结构的方法，该制备方法包括以下步骤：提供一导电线状结构及一碳纳米管结构；以及将所述碳纳米管结构缠绕于所述导电线状结构的表面。
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