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公开(公告)号：CN1845340A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610072572.6
申请日：2006-04-07
申请人： LG.菲利浦LCD株式会社
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC分类号： H01L27/1222 , B82Y10/00 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/78696 , Y10S977/70 , Y10S977/732 , Y10S977/742 , Y10S977/762
摘要： 薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管包括：位于基板上的包括多个同轴硅纳米线的多同轴硅纳米线单元，该多同轴硅纳米线单元包括中央部分和该中央部分的端部；位于中央部分上的栅极；以及按电连接到多同轴硅纳米线单元的方式分别位于相应的端部上的源极和漏极。
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公开(公告)号：CN106573770B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201480079265.3
申请日：2014-06-27
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： B81B7/02
CPC分类号： B82B1/005 , B81B3/0016 , B81B7/02 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B82B1/002 , B82B3/0023 , B82Y15/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01H1/0094 , H01H1/54 , H01H59/0009 , H01L29/66227 , H01L29/82 , H01L29/84 , Y10S977/732 , Y10S977/838 , Y10S977/888 , Y10S977/938
摘要： 描述了用于操作电压的改进的范围和悬臂的尺寸的改进的控制的具有纳米磁铁的纳米机电(NEMS)器件。例如，在实施例中，纳米机电(NEMS)器件包括衬底层、设置在衬底层上方的第一磁性层、设置在第一磁性层上方的第一电介质层、设置在第一电介质层上方的第二电介质层、以及设置在第二电介质层上方的悬臂。当将电压施加到悬臂时，悬臂从第一位置朝着衬底层弯曲到第二位置。
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公开(公告)号：CN101952987A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200980105929.8
申请日：2009-01-20
申请人： 诺基亚公司
CPC分类号： H01L51/0545 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0516 , Y10S977/732 , Y10S977/742 , Y10S977/932 , Y10S977/936
摘要： 一种器件，包括：纳米管，被配置为谐振器(54)；源极(51)；栅极(52)；漏极(53)；和至少一个阻止元件(55)，其中所述至少一个阻止元件(55)被配置为最小化由至少源极(51)和纳米管(54)之间的接触阻抗产生的能量损耗。
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公开(公告)号：CN1809728A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200480011047.2
申请日：2004-04-22
申请人： 量子精密仪器亚洲私人有限公司
发明人： 马克雷·塔德乌什·米哈利维卡兹 , 齐格蒙特·雷穆察
CPC分类号： B81B3/0051 , B81B3/0021 , B81B2201/0285 , B81B2203/0109 , B81B2203/051 , G01C19/00 , G01D21/00 , G01P15/0894 , Y10S977/724 , Y10S977/725 , Y10S977/732 , Y10S977/733
摘要： 一种单块的微米或纳米的机电传感装置，包括一对分别安装一个或多个伸长的导电体(40)的基片(20，25)；和弹性固态铰链装置(30，32)，该装置与基片结合并连接基片以相对地定位基片，以致于基片的各伸长的导电体(40)以一定的间隔被对置，该间隔在跨过导体应用合适的电位差时允许导体之间可探测的量子隧道效应电流。固态铰链装置允许基片相对于伸长的导电体基片横向平行移动。
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公开(公告)号：CN106573770A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201480079265.3
申请日：2014-06-27
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： B81B7/02
CPC分类号： B82B1/005 , B81B3/0016 , B81B7/02 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B82B1/002 , B82B3/0023 , B82Y15/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01H1/0094 , H01H1/54 , H01H59/0009 , H01L29/66227 , H01L29/82 , H01L29/84 , Y10S977/732 , Y10S977/838 , Y10S977/888 , Y10S977/938
摘要： 描述了用于操作电压的改进的范围和悬臂的尺寸的改进的控制的具有纳米磁铁的纳米机电(NEMS)器件。例如，在实施例中，纳米机电(NEMS)器件包括衬底层、设置在衬底层上方的第一磁性层、设置在第一磁性层上方的第一电介质层、设置在第一电介质层上方的第二电介质层、以及设置在第二电介质层上方的悬臂。当将电压施加到悬臂时，悬臂从第一位置朝着衬底层弯曲到第二位置。
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公开(公告)号：CN101459157B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200810185754.3
申请日：2008-12-10
申请人： 东部高科股份有限公司
发明人： 郑恩洙
IPC分类号： H01L23/522
CPC分类号： H01H61/04 , H01H2061/006 , H01L2924/0002 , Y10S977/708 , Y10S977/724 , Y10S977/732 , H01L2924/00
摘要： 本发明实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。根据本发明实施例，半导体器件可以包括与半导体衬底相隔预定间隔的金属膜，在该金属膜中形成有多个刻蚀孔。可以提供底部金属图样和顶部金属图样，其中底部金属图样布置在半导体衬底和金属膜之间的间隔上和/或上方，而顶部金属图样形成在底部金属图样上和/或上方。可以在半导体衬底上和/或上方形成支柱，该支柱可以支撑底部金属图样的下部表面的一侧。可以在半导体衬底上和/或上方形成衬垫，并且可以在底部金属图样和衬垫之间插入与底部金属图样相对应的空气层。根据本发明实施例，可以提供热释电开关晶体管，该热释电开关晶体管使用了具有不同热膨胀系数的双金属。
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公开(公告)号：CN100419383C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200480011047.2
申请日：2004-04-22
申请人： 量子精密仪器亚洲私人有限公司
发明人： 马克雷·塔德乌什·米哈利维卡兹 , 齐格蒙特·雷穆察
CPC分类号： B81B3/0051 , B81B3/0021 , B81B2201/0285 , B81B2203/0109 , B81B2203/051 , G01C19/00 , G01D21/00 , G01P15/0894 , Y10S977/724 , Y10S977/725 , Y10S977/732 , Y10S977/733
摘要： 一种单块的微米或纳米的机电传感装置，包括一对分别安装一个或多个伸长的导电体(40)的基片(20，25)；和弹性固态铰链装置(30，32)，该装置与基片结合并连接基片以相对地定位基片，以致于基片的各伸长的导电体(40)以一定的间隔被对置，该间隔在跨过导体应用合适的电位差时允许导体之间可探测的量子隧道效应电流。固态铰链装置允许基片相对于伸长的导电体基片横向平行移动。
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公开(公告)号：CN101952987B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200980105929.8
申请日：2009-01-20
申请人： 诺基亚公司
CPC分类号： H01L51/0545 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0516 , Y10S977/732 , Y10S977/742 , Y10S977/932 , Y10S977/936
摘要： 一种器件，包括：纳米管，被配置为谐振器(54)；源极(51)；栅极(52)；漏极(53)；和至少一个阻止元件(55)，其中所述至少一个阻止元件(55)被配置为最小化由至少源极(51)和纳米管(54)之间的接触阻抗产生的能量损耗。
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公开(公告)号：CN1599939B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN02824308.0
申请日：2002-11-21
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： G11C23/00 , G01Q70/06 , G01Q70/12 , G01Q70/16 , G11B9/1409 , G11B9/1418 , G11C13/025 , G11C2213/81 , Y10S977/732 , Y10S977/733
摘要： 本发明公开了一种用于形成微观结构的方法。该方法包括步骤：在一衬底上淀积一籽晶材料；由籽晶材料生长出一纳米管；在衬底上淀积微观结构材料，以便于将纳米管埋入到微观结构材料中；以及将衬底分离以释放所述微观结构。所形成的微观结构包括一主体部分和埋入到主体部分中的纳米管。
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公开(公告)号：CN100511713C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200610072572.6
申请日：2006-04-07
申请人： 乐金显示有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC分类号： H01L27/1222 , B82Y10/00 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/78696 , Y10S977/70 , Y10S977/732 , Y10S977/742 , Y10S977/762
摘要： 薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管包括：位于基板上的包括多个同轴硅纳米线的多同轴硅纳米线单元，该多同轴硅纳米线单元包括中央部分和该中央部分的端部；位于中央部分上的栅极；以及按电连接到多同轴硅纳米线单元的方式分别位于相应的端部上的源极和漏极。
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