公开(公告)号：CN118563421A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410657041.1

申请日：2024-05-24

申请人： 南京大学

发明人： 叶建东 ,  郝景刚 ,  张崇德 ,  戴磊 ,  雒玉蓉 ,  任芳芳 ,  顾书林

IPC分类号： C30B29/22 ,  H01L21/02 ,  C30B25/02

摘要： 本发明涉及一种p型铱镓氧合金外延薄膜及其制备方法，所述p型铱镓氧合金外延薄膜的化学式为(IrxGa1‑x)2O3，且x≤0.05；其晶相为α相、ε相、β相中的一种。α‑Ir2O3为六方刚玉结构，Ir3+离子仅占据八面体位置。在高Ga组分(IrxGa1‑x)2O3(x≤0.05)外延薄膜中，可通过Ir3+离子仅取代占据八面体位置的Ga3+离子的前提下实现晶相调控，具体通过改变Mist‑CVD中衬底温度实现(IrxGa1‑x)2O3(x≤0.05)外延薄膜的晶相调控，实现与α‑Ga2O3、ε‑Ga2O3、β‑Ga2O3晶型匹配且晶格失配极小的目标，是晶体结构复杂的Ga2O3的理想p型材料制备方案，为进一步开发Ga2O3在功率器件及射频器件领域的新型结构提供了坚实的基础。

公开(公告)号：CN118431069A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410497403.5

申请日：2024-04-24

申请人： 上海晶盟硅材料有限公司

发明人： 杨银 ,  陈澄 ,  高璇

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  C30B25/02

摘要： 本发明公开了一种梯度层+本征层工艺设计方法，涉及光伏电池技术领域，包括选择合适的前驱体和反应气体，前驱体在衬底表面分解并生长一单晶薄层；在所述单晶薄层的斜坡位置生长时间设定的基础上加设平稳位置生长时间，并将该平稳位置生长时间作为梯度层结束信号。本发明通过修改程式设定并给出一个结束信号至梯度层，能够实现梯度层的有效结束，另一方面，在梯度层结束后，梯度层参数就不再对本征层有影响，从而能够实现客户对阻值的需求，实现了梯度层上生长本征层并且仅一次高温生长就能达到预期阻值，通过节省外延片制作工期有效提升了光伏电池晶片的工艺效率，同时能够解决梯度生长后，程式无法有效结束梯度层参数的问题。

公开(公告)号：CN118412373A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410852559.0

申请日：2024-06-28

申请人： 合肥欧益睿芯科技有限公司

发明人： 刘新雷

IPC分类号： H01L29/267 ,  H01L21/02 ,  H01L29/778 ,  C30B29/36 ,  C30B29/68 ,  C30B25/02

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种含超晶格外延插入的外延片及其制备方法、晶体管，所述外延片包括：衬底，衬底为硅衬底；外延层，外延层位于衬底之上，外延层为多层结构，外延层的最下层为成核层；外延插入层，外延插入层位于衬底与外延层之间，外延插入层包括自下而上依次层叠的第一至第M个超晶格层及碳化硅层，其中，每个超晶格层由SiCx子层和SiCy子层周期性地交替层叠构成，第i+1个超晶格层中C的平均含量大于第i个超晶格层中C的平均含量。本发明能够在提高外延层质量的同时，有效降低最终制成的射频器件的射频损耗。

公开(公告)号：CN118360667A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410298250.1

申请日：2024-03-15

申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所

发明人： 齐红基 ,  王映霖 ,  陈端阳 ,  赛青林

IPC分类号： C30B29/16 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  C30B25/02

摘要： 本发明公开一种氧化镓外延薄膜及其制备方法，涉及半导体外延薄膜制备技术领域，所述制备方法包括步骤：对提供的氧化镓晶锭进行切割，得到带有斜切角度的(100)晶面氧化镓衬底，所述斜切角度为1.0±0.05°，斜切方向为沿#imgabs0#晶向方向；将带有斜切角度的(100)晶面氧化镓衬底置于MOCVD设备中，以(100)晶面为生长面，进行氧化镓的外延生长，在带有斜切角度的(100)晶面氧化镓衬底上制备得到氧化镓外延薄膜。本发明采用所述衬底制备得到的氧化镓外延薄膜的粗糙度可低至0.775nm。同时采用的氧化镓衬底的斜切角度很小仅为1±0.05°，避免了在切割过程中对氧化镓块状单晶的浪费。

公开(公告)号：CN113832544B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202111128251.4

申请日：2014-09-18

申请人： 株式会社田村制作所 ,  国立大学法人东京农工大学

发明人： 后藤健 ,  佐佐木公平 ,  绞缬明伯 ,  熊谷义直 ,  村上尚

IPC分类号： C30B29/16 ,  C30B29/68 ,  C30B25/02

摘要： 提供能够高效生长出高质量且大口径的β‑Ga2O3系单晶膜(β‑Ga2O3‑based single crystal film)的β‑Ga2O3系单晶膜的生长方法和具有通过该生长方法生长出的β‑Ga2O3系单晶膜的晶体层叠结构体。一实施方式提供一种β‑Ga2O3系单晶膜的生长方法，包含如下工序：将Ga2O3系基板(10)暴露于包括氯化镓系气体和含氧气体的混合气体；以及在Ga2O3系基板(10)的主面(11)上使β‑Ga2O3系单晶膜(12)以900℃以上的生长温度外延生长，其中，上述氯化镓系气体和上述含氧气体由从包括N2、Ar和He的组中选择的惰性气体来载带。

公开(公告)号：CN118139512A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410110182.1

申请日：2024-01-25

申请人： 中山大学

发明人： 陈梓敏 ,  付朝开 ,  王钢

IPC分类号： H10N15/10 ,  G01J5/34 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16

摘要： 本发明公开了氧化镓热释电薄膜、制备方法及其红外敏感单元和传感器，涉及热释电材料及其应用的器件，针对现有技术中热释电系数和介电常数不能同步优越的问题提出本方案。氧化镓热释电薄膜，包括层叠设置的导电支撑层和氧化镓层；所述氧化镓层的晶相为ε相，其 晶向为热释电极化方向。优点在于，氧化镓禁带宽度为4.9ev，是一种宽禁带半导体，制备的薄膜漏电小。通过薄膜生长工艺制备，所制备的氧化镓薄膜材料厚度较低，且制备的氧化镓薄膜结晶质量好，摇摆曲线半高宽约0.1～0.2°，因而品质因子很大，满足优性能传感器的要求。能够兼具高的热释电系数和低的介电系数。应用所述氧化镓热释电薄膜的红外传感器能够显著提高热电转化效率和对红外光的灵敏度。

公开(公告)号：CN118127626A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410200909.5

申请日：2024-02-21

申请人： 中环领先半导体科技股份有限公司

发明人： 韩少锋 ,  黄星博 ,  王自坤

IPC分类号： C30B29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L29/04 ,  C30B25/02 ,  C30B25/12

摘要： 本申请公开了一种外延片及其制备方法。该外延片制备方法，包括：将衬底放入反应腔内；将反应腔升温至第一温度T1，向反应腔内通入氢气，对衬底进行烘烤；将反应腔降温至第二温度T2，保持向反应腔内通入氢气，并向反应腔内通入硅源气体和掺杂气体，以在衬底上生长外延层；停止通入硅源气体和掺杂气体，得到外延片；其中，60℃≤T1‑T2≤80℃。本申请通过在生长外延片前采用高温对衬底进行烘烤，在外延生长过程中采用低温进行外延层生长，可以释放外延层生长过程中的热应力，从而降低制备得到的外延片的翘曲度，提高产品良率。

公开(公告)号：CN110071037B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201910354277.7

申请日：2013-09-24

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 金子健太郎 ,  人罗俊实 ,  平尾孝

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  C30B25/02 ,  C30B29/20 ,  C30B29/22

摘要： 本发明提供形成良质的刚玉型结晶膜的半导体装置。本发明提供的由具有刚玉型结晶结构的底层基板、具有刚玉型结晶结构的半导体层、具有刚玉型结晶结构的绝缘膜形成的半导体装置。在具有刚玉型结晶结构的材料中包括多种氧化膜，不仅能够发挥作为绝缘膜的功能，而且底层基板、半导体层以及绝缘膜全部具有刚玉型结晶结构，由此，在底层基板上能够实现良质的半导体层、绝缘膜。

公开(公告)号：CN117488408B

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202210922436.0

申请日：2022-08-02

申请人： 松山湖材料实验室

发明人： 王新强 ,  袁冶 ,  刘上锋 ,  康俊杰 ,  罗巍 ,  李泰 ,  曹家康

IPC分类号： C30B29/38 ,  C30B30/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/02

摘要： 本申请涉及半导体材料技术领域，具体而言，涉及一种单晶氮化铝材料及其制备方法。单晶氮化铝材料的制备方法包括：对前驱体进行氮等离子体辐照处理；前驱体包括交替堆叠的氮化铝层和单质铝层；氮等离子体辐照处理的温度不低于1300℃。在氮等离子体辐照处理下，交替堆叠的氮化铝层和单质铝层可以在1300℃下就重结晶形成单晶氮化铝材料，且单晶质量较高，位错密度小于109/cm2数量级。无需在高于1700℃的高温环境下进行面对面退火，即可制备出高质量的单晶氮化铝材料，制备工艺简单易行，适于大规模产业化生产，且有利于避免面对面退火工艺带来的表面划痕等机械磨损，产品良率较高，极大程度地扩展了单晶氮化铝材料的应用范围。

公开(公告)号：CN117987914A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410172948.9

申请日：2024-02-07

申请人： 电子科技大学

发明人： 李含冬 ,  刘婷 ,  李俊烨 ,  赵鹏 ,  方晨旭 ,  米兆武 ,  姬海宁 ,  牛晓滨

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/16 ,  C30B29/02 ,  C30B33/02

摘要： 本发明公开了一种择优取向硒碲固溶体纳米晶薄膜的平坦化制备方法，属于光电材料制备技术领域。所述硒碲固溶体纳米晶薄膜晶粒择优取向为(100)与(110)，晶粒尺寸为20～40nm，薄膜厚度为30～720nm，表面均方根粗糙度低于2nm。制备方法包括如下步骤：对云母衬底进行常规生长前处理；采用分子束外延方法在云母衬底上低温生长硒碲固溶体薄膜；每生长30nm厚度的薄膜进行一次原位快速退火，退火温度130℃，每次退火2分钟，薄膜生长与退火交替进行直至达到目标厚度即得。本发明制备的硒碲固溶体纳米晶薄膜具有精确的厚度和成分配比，纯度高且具有良好结晶质量与表面平整度，达到满足光电阵列器件制备要求的技术效果。