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公开(公告)号：CN118895559A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410955783.2
申请日：2024-07-17
申请人： 上海新硅聚合半导体有限公司
摘要： 本申请公开了一种单晶薄膜晶圆结构及其制备方法，该单晶薄膜晶圆结构包括衬底层和单晶薄膜层，单晶薄膜层位于衬底层的表面上；单晶薄膜层的欧拉角的进动角为0,章动角的为θ±n*180°,旋进角为0，θ的取值范围为‑90°～‑20°，n为正整数；其中，单晶薄膜层对应的单晶晶圆被不同离子在相同条件下进行注入时，弯曲度变化为正值；单晶晶圆的弯曲度变化与单晶晶圆的欧拉角的θ值成反比。本申请实现了单晶晶圆在键合过程中，与衬底层的中间点先接触，提高了键合良率；同时，可通过调整单晶薄膜层的欧拉角，来调整晶圆的弯曲度变化，从而可以改善晶圆形貌。
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公开(公告)号：CN118880473A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411368096.7
申请日：2024-09-29
申请人： 浙江无限钻科技发展有限公司
摘要： 本发明属于金刚石光学晶体材料领域，具体涉及一种提升单晶金刚石光学均匀性的方法。该方法具体包含以下步骤：1.通过激光平整化、抛光以及清洗获得表面平整、无多晶点的单晶金刚石；2.将所述晶体置于六面顶压机中，并设置具体工艺参数进行退火；3.退火结束后，采用分段式降温工艺将晶体缓慢降至常温常压；4.降温结束后对晶体进行表面处理。本方法能够有效提升金刚石的质量，降低金刚石的位错密度和应力双折射，并能显著提升金刚石的光学均匀性和光学透过率。使用本方法获得的单晶金刚石，可以满足拉曼激光增益介质的需求。
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公开(公告)号：CN118880472A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410939571.5
申请日：2024-07-15
申请人： 郑州大学
摘要： 本发明公开了一种CVD金刚石片内部应力的消除方法，属于金刚石晶体制备技术领域，所述一种CVD金刚石片内部应力的消除方法包括获取至少一片CVD金刚石片，利用包裹件对至少一片CVD金刚石片进行单独包裹，对至少一片CVD金刚石片进行组装，得到组装块，将组装块放置于国产六面顶压机上进行应力消除处理，具有应力一次直接消除、应力消除效果好、时间短、成本低、易操作和应用范围广的优点。
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公开(公告)号：CN118880438A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411039116.6
申请日：2024-07-31
申请人： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供一种增大掺硼单晶硅DZ洁净区的方法，涉及半导体单晶硅拉晶技术领域，通过等径预定距离后，提高拉速，以使晶棒在预定拉速下拉制，增大温度梯度，使得得到的待滚磨晶棒中小尺寸的氧沉淀点位增多，将待滚磨晶棒进行滚磨、分段、切片，得到硅片；对含有诸多小尺寸氧沉淀的硅片进行热处理，氧和空位在高温下的扩散，其在硅晶表面的浓度低于饱和度，小尺寸的氧沉淀在高温下的溶解，使得热处理后硅片的DZ洁净区的深度增加，DZ洁净区深度达到60μm以上。
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公开(公告)号：CN118854454A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410872703.7
申请日：2024-07-01
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 本发明涉及一种异质结全无机钙钛矿晶体及其制备方法与应用，所述制备方法包括：(1)将类钙钛矿材料、碘化铯和二甲胺铅碘盐混合溶解于溶剂中，得到前驱体溶液；(2)将所述前驱体溶液涂覆于基底材料表面，退火，得到异质结全无机钙钛矿晶体，其中，所述类钙钛矿材料为NH4PbClaX3‑a，2.5≤a≤3，X为溴和/或碘。本发明采用类钙钛矿材料NH4PbClaX3‑a，促使全无机钙钛矿晶体异质结的形成，并通过改变该材料的卤素元素的种类，有效控制全无机钙钛矿本身的晶体缺陷，进一步提升全无机钙钛矿太阳能电池的稳定性，同时降低技术壁垒与制造成本，简化制备流程，有利于推动全无机钙钛矿的商业化进程。
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公开(公告)号：CN118109899B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410243642.8
申请日：2024-03-04
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明属于金属有机化学气相沉积技术领域，具体是一种实时监控外延片裂纹情况的MOCVD设备，包括设备主体，还包括设置生长反应室以及退火室，生长反应室内部设置有加热器，退火室内部设置有冷却器，设备主体内部还设置有用于存放产品的成品回收室，而分析单元，分析单元包括采集组件以及反馈调节模块，采集组件包括高清摄像头以及光线传感器，高清摄像头以及光线传感器均用于对外延片裂纹情况进行记录，本发明中，通过高清摄像头以及光线传感器均对外延片裂纹情况进行记录，而控制器可根据外延片裂纹的状态实时调节设备主体的运行参数，当某一个外延片出现裂纹后，及时对运行参数进行纠正，避免批量性的产生不良品，防止造成大量的经济损失。
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公开(公告)号：CN118223132B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410370577.5
申请日：2024-03-29
申请人： 扬州韩思半导体科技有限公司
摘要： 一种具有蓝宝石窗口的石英腔及蓝宝石的粘贴方法，涉及晶圆热处理技术领域。包括石英腔本体，石英腔本体的测温部位设置有贯通石英腔本体侧壁的圆孔以及与圆孔同心设置、并且直径大于圆孔直径的蓝宝石安装槽，所述蓝宝石安装槽内配合粘接有蓝宝石窗口片。本发明采用蓝宝石测温窗口，蓝宝石测温窗口对5un波长的透过率为80％以上，同时配置测量波长在大于4.7的高温计，优选的采用测量波长在5um以上的高温计，从而有效避开卤素灯发出波长的干扰，可以准确测量晶圆的温度。
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公开(公告)号：CN118712300A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410808064.8
申请日：2024-06-21
申请人： 西安工程大学
摘要： 本发明公开了具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的单晶β‑氧化镓薄膜的制备方法，采用有机金属化学气相沉积技术在衬底上生长GaN缓冲层、n‑GaN/u‑GaN周期性结构，随后在溶液中对n‑GaN/u‑GaN周期性结构进行刻蚀，制备具有纳米多孔GaN分布布拉格反射镜；以纳米多孔GaN分布布拉格反射镜为衬底，采用脉冲激光沉积技术生长Eu掺杂的氧化镓薄膜，制备具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的氧化镓薄膜；采用退火技术，将上述氧化镓薄膜转变为不同Eu掺杂的单晶β‑氧化镓薄膜。本发明制备方法，能够制备出应力松弛、晶体质量高、散热能力强、大面积、发光效率高、Eu浓度可调的单晶β‑氧化镓薄膜。
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公开(公告)号：CN114267756B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202111566789.3
申请日：2021-12-20
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , C30B23/02 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B31/08 , C30B33/02 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/32
摘要： 本发明公开一种发光二极管外延片制备方法及外延片，在氩气作为载气的条件下生长第一子层，由于氩气具有较大的原子质量，能够提供更高的动量，提高Al原子的横向迁移效率，促进第一子层横向生长，能够降低第一子层以及后续生长的第二子层的表面粗糙度和缺陷密度，提高晶体质量；但是由于第一子层的生长速率较快，容易产生刃位错，通过设置氢气作为载气生长第二子层，由于氢气的分子质量较低，在生长时分子运动活性强，对结晶质量较差的晶体具有刻蚀和重结晶的作用，有助于减小刃位错，进一步提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN118613133A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410666902.2
申请日：2024-05-28
申请人： 北京大学
IPC分类号： H10N30/076 , H10N30/04 , H03H3/02 , H03H3/08 , C30B29/40 , C30B25/18 , C30B33/12 , C30B33/02 , C30B23/02
摘要： 本发明公开了一种Si衬底上生长高质量Al(Sc)N厚膜的方法，属于半导体技术领域。该方法先使用MOCVD或MBE在Si衬底上进行高质量AlN单晶层的生长，然后借助氧等离子体和热退火在MOCVD/MBE AlN的表层形成α‑氧化铝，最后PVD沉积Al(Sc)N厚膜。本发明充分利用了Si衬底上易剥离AlN与α‑氧化铝上可以生长极好晶体质量的特点，生长了可用于滤波器器件的不开裂的较好晶体质量的Al(Sc)N材料。
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