公开(公告)号：CN118841485A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202411319537.4

申请日：2024-09-23

申请人： 绵阳炘皓新能源科技有限公司

发明人： 周珊合 ,  刘大伟 ,  夏中高 ,  吴秋宏 ,  刘思瑞 ,  何振雄 ,  杨仕林

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/324 ,  H01L21/26 ,  H01L21/268

摘要： 本发明公开了一种修复电池片栅线类隐的方法，涉及太阳能电池技术领域。一种修复电池片栅线类隐的方法，包括如下步骤：将具有栅线类隐的电池片依次经过烧结、光注入和激光辅助烧结处理。本发明通过将电池片经过烧结、光注入和激光辅助烧结处理可使得电池片在光电转换效率无明显损失的情况下栅线类隐的修复率达到60%以上。这可能是由于不规则隐裂在烧结、光注入和激光辅助烧结处理后被电池片的浆料填充连接，提高了电池片隐裂的粘接，从而修复栅线类隐。

公开(公告)号：CN118841314A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410816050.0

申请日：2024-06-24

申请人： 物元半导体技术(青岛)有限公司

发明人： 张文鑫 ,  李科 ,  杨同同 ,  杨列勇 ,  黄任生 ,  颜天才 ,  陈为玉

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件，其中，半导体器件的制造方法至少包括以下步骤：提供一半导体衬底，在半导体衬底上形成N‑外延层；在N‑外延层中形成由表面打开至内部的至少两个沟槽；通过第一次外延填充在沟槽内形成本征填充层，本征填充层覆盖沟槽的底部和侧面；通过至少一次外延填充形成覆盖本征填充层的至少一层P型填充层，至少一层P型填充层将剩余的沟槽部分填满；执行退火工艺，以使P型填充层中的P型杂质向本征填充层扩散但不越过本征填充层与N‑外延层的边界。通过该半导体器件的制造方法可以避免杂质直接扩散至N型区而影响N型区的宽度，保证了器件较低的导通电阻。

公开(公告)号：CN118782466A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202411252038.8

申请日：2024-09-09

申请人： 四川师范大学

发明人： 王茂

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

摘要： 本发明公开了一种具备超低接触电阻的硅基半导体场效应晶体管及其制备方法，制备方法包括，通过注入硫族离子完成衬底的离子注入；利用光刻技术完成样品的图案化处理，采用光刻设备在衬底上制备接触图案，并进行金属沉积，形成覆盖在衬底上的金属层；通过电子束蒸发金属沉积并形成电极；采用闪光灯退火完成对电极的退火处理，并形成欧姆接触。本发明能在金半界面处形成合金，实现对肖特基势垒的二次调控，并且通过检测步骤实现对接触电阻的监控，保证欧姆接触能够顺利实现。

公开(公告)号：CN112154534B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN201980034219.4

申请日：2019-04-29

申请人： 应用材料公司

发明人： 苏坦·马立克 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  梁奇伟 ,  阿迪卜·汗 ,  马克西米利安·克莱蒙斯

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/324 ,  H01L21/56

摘要： 本文的系统和方法的实施方式涉及经由ALD或CVD在处理腔室的多个内部部件上原位形成保护膜。涂布有保护膜的内部部件包括腔室侧壁、腔室底部、基板支撑基座、喷头、和腔室顶部。保护膜可为具有包括非晶Si、碳硅烷、多晶硅、SiC、SiN、SiO2、Al2O3、AlON、HfO2、或Ni3Al的各种组成物，且在厚度上可从约80nm至约250nm变化。

公开(公告)号：CN118692902A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410787888.1

申请日：2024-06-18

申请人： 中国电子科技集团公司第十一研究所

发明人： 徐港 ,  何斌 ,  邢志韬 ,  赵传兴 ,  张泽群

IPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/324 ,  H01L21/426 ,  H01L21/477

摘要： 本申请公开了一种小间距光电器件的低损伤离子注入方法，涉及半导体技术，包括如下步骤：在光电器件表面生长金属掩膜层；基于生长的金属掩膜层，进行光刻，以形成刻蚀接触孔的光刻胶掩膜图形；执行刻蚀，以刻蚀出所需深度的接触孔；利用离子注入设备，对刻蚀的接触孔直接进行离子注入；去除离子注入后器件表面的光刻胶掩膜以及损伤；退火，以激活注入离子，完成工艺。本申请的方法能够实现低损伤离子注入，降低大面阵、小间距器件光刻接触孔和光刻注入区两步工艺间的套刻难度，避免工艺步骤间套刻偏差引起的器件性能降低。

公开(公告)号：CN118692899A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410745111.9

申请日：2024-06-11

申请人： 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

发明人： 孙若力 ,  叶邵凤 ,  邝梦杰

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324

摘要： 本发明涉及一种降低体金属的晶圆加工工艺方法，所属硅片加工工艺技术领域，包括如下操作步骤：第一步：前加工工序，即加工至待抛光状态前涉及的晶圆加工工序。第二步：对晶圆进行双面抛光和边缘抛光。第三步：对经过抛光的晶圆进行洗净。第四步：进行RTP快速热退火工序，将晶圆快速进入较高温度，并短暂经历高温热处理过程，再快速降温。第五步：RTP快速热退火结束后先进行洗净，再对晶圆正面或正反两面都进行最终抛光。通过加热工艺，将晶圆体内快扩散金属富集与晶圆表面，结合清洗和最终抛光，完成去除晶圆表面的金属过程，实现降低体金属的效果。同时不增加晶圆表面粗糙度和颗粒数。

公开(公告)号：CN118675989A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410865941.5

申请日：2024-06-28

申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司

发明人： 马富林 ,  张宾 ,  郑刚 ,  沈志超

IPC分类号： H01L21/324

摘要： 本申请公开了一种改善热退火工艺后晶圆间电阻率均匀性的方法，包括：S1：将晶圆放置到热退火炉管的腔体中，所述晶圆包括衬底和形成在衬底表面的多晶硅层，所述多晶硅层中注入有磷；S2：对所述晶圆进行热退火工艺，同时向所述热退火炉管的腔体中通入氧气，以在所述多晶硅层表面形成二氧化硅层；S3：结束所述热退火工艺，并从所述热退火炉管的腔体中取出所述晶圆。本申请通过上述方案，可以改善热退火工艺后晶圆间电阻率均匀性。

公开(公告)号：CN118629895A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410110689.7

申请日：2024-01-25

申请人： 株式会社斯库林集团

发明人： 上野智宏

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/324 ,  F27B17/00

摘要： 本发明的目的在于提供一种能够迅速调整衬底的搬送的热处理装置及热处理方法。本发明在处理腔室内通过来自卤素灯的光照射对半导体晶圆进行预备加热后，进行来自闪光灯的闪光照射的加热处理。在比处理腔室中的对于半导体晶圆的加热处理结束的时刻(t6)提前固定时间(tp)的时刻(t5)，控制部向计划部发送事前预告信号。计划部在接收到事前预告信号的时点，以由搬送机器人进行的搬送动作的下一工序成为从处理腔室搬出半导体晶圆的方式，执行搬送的再计划。每次进行半导体晶圆的加热处理时，计划部都执行搬送的再计划，因此能够自动且迅速地调整半导体晶圆的搬送。

公开(公告)号：CN118588543A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410600501.7

申请日：2024-05-15

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 颜树范

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/324

摘要： 本发明公开了一种渐变厚度氧化层的工艺方法，对半导体衬底形成第1段沟槽；在第1段沟槽的内壁形成第1阻挡层；继续对第1段沟槽的底部刻蚀形成第2段沟槽；在所述的第2段沟槽的内壁形成第2阻挡层；循环进行沟槽刻蚀及阻挡层形成步骤直至形成完整沟槽；刻蚀去除最底下第N段沟槽的阻挡层，再进行热氧化工艺在第N段沟槽的内壁及底部形成热氧化层；再刻蚀去除第N‑1段沟槽的侧壁阻挡层，热氧化工艺在所述的第N‑1段沟槽的内壁形成热氧化层；继续循环上述的刻蚀及热氧化工艺步骤，对第N‑2、N‑3、……段沟槽的侧壁阻挡层进行逐级的刻蚀以及热氧化工艺，直至沟槽开口处的所述第1段沟槽的侧壁也形成氧化层，最终形成越靠下氧化层越厚的渐变厚度氧化层。

公开(公告)号：CN118588542A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202411068092.7

申请日：2024-08-06

申请人： 天水天光半导体有限责任公司

发明人： 赵旭洁 ,  石彩红 ,  张晓情 ,  王逸飞 ,  万鹏程 ,  程丽娟

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/324 ,  H01L21/66

摘要： 本申请提供一种基于离子注入的PN结形成方法、存储介质和集成电路器件，属于集成电路制造领域。该方法包括：在经过光刻后的硅衬底上确定待掺杂区域和需要掺杂的标准浓度和标准深度；通过质量分析器从杂质源B2H6中筛选出B3+；通过第一离子注入机按照对应的剂量和能量将所述B3+注入至所述待掺杂区域；将完成掺杂后的区域进行退火处理，形成初始PN结；计算所述初始PN结中的各个掺杂区域的实际浓度、实际深度与标准浓度、标准深度的误差，将误差超过误差阈值的掺杂区域作为待补偿区域；对所述待补偿区域进行B3+再次注入；对B3+再次注入后的区域进行再次退火处理，形成PN结。本申请可以提高集成电路器件制造的质量。