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公开(公告)号:CN114122250A
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN202111412421.1
申请日:2021-11-25
申请人: 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号: H01L41/253 , H01L41/312 , H01L41/337 , H01L41/187
摘要: 本申请公开一种黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法,包括:通过离子注入法向第一晶圆注入离子,将第一晶圆与衬底基板键合,得到键合体;对键合体热处理,得到单晶压电复合薄膜;在单晶压电复合薄膜的薄膜层上铺设第二晶圆或还原纸,得到预制备体;将预制备体掩埋于黑化粉末中;在还原炉内,对掩埋于黑化粉末中的单晶压电复合薄膜黑化还原热处理;去除第二晶圆或还原纸,得到黑化单晶压电复合薄膜。本申请通过对经过热处理后的单晶压电复合薄膜,再进行黑化还原热处理,这样,可以保证最终制备得到的黑化单晶压电复合薄膜中黑化的薄膜层具有较低的热释电系数和电阻率。
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公开(公告)号:CN113314663A
公开(公告)日:2021-08-27
申请号:CN202110445995.2
申请日:2021-04-25
申请人: 淄博微铨新型金属功能材料有限公司
IPC分类号: H01L41/337 , H01L41/29 , H01L41/31 , H01L41/312
摘要: 本发明涉及一种超声换能器用压电阵元的制作方法,其包括将压电陶瓷片减薄至50μm或其以下厚度;于减薄后的压电陶瓷片的两表面分别沉积电极后,再于其中一个表面设置背衬材料,得初始压电阵元;切割初始压电阵元,得压电阵元。本发明提供的技术方案利用减薄压电阵元中压电陶瓷片厚度的工艺,同时实现了压电阵元总体厚度的减小,以及对压电陶瓷片厚度的精确控制,获得了具有可调谐振频率的压电阵元;本发明采用的减薄后再沉积电极、设置背衬材料的技术方案既可使背衬材料设置均匀,又不影响对压电陶瓷片与背衬材料的结合。
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公开(公告)号:CN112740551A
公开(公告)日:2021-04-30
申请号:CN201980062393.X
申请日:2019-09-24
申请人: 京瓷株式会社
IPC分类号: H03H9/25 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/187 , H01L41/312 , H01L41/337 , H03H3/08
摘要: 本公开的复合基板具备:压电基板,具有作为元件形成面的第1面和作为其背面的第2面;蓝宝石基板,具有与第2面对置地配置的第3面和作为其背面的第4面;和氧化铝层,具有与第2面对置的第5面和与第3面对置的第6面,并将第2面和第3面接合。第3面的算术平均粗糙度Ra为0.1μm以上且0.5μm以下。第5面的算术平均粗糙度Ra为0.1μm以下并且小于所述第3面的算术平均粗糙度Ra。
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公开(公告)号:CN112074622A
公开(公告)日:2020-12-11
申请号:CN201980026669.9
申请日:2019-02-19
申请人: 日本碍子株式会社
IPC分类号: C23C14/10 , C23C14/08 , C30B25/06 , C30B25/18 , C30B29/16 , C30B29/18 , H01L21/02 , H01L41/187 , H01L41/337 , H03H9/25
摘要: 本发明在将压电性材料基板1(1A)借助接合层2A而接合于支撑基板3时,即便对得到的接合体进行加热处理时,也不会发生接合体破损或压电性材料基板1(1A)剥离。接合体具备:支撑基板3;压电性材料基板1(1A),所述压电性材料基板1(1A)由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂-钽酸锂构成的组中的材质形成;以及接合层2A,其将支撑基板3和压电性材料基板1(1A)接合,并与压电性材料基板1(1A)的接合面1a相接。在接合层2A设置有从压电性材料基板1(1A)朝向支撑基板3延伸的空隙22、23。空隙22、23的支撑基板侧末端22b的宽度t2相对于空隙22、23的压电性材料基板侧末端22a、23a的宽度t1的比率(t2/t1)为0.8以下。
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公开(公告)号:CN111492577A
公开(公告)日:2020-08-04
申请号:CN201880052320.8
申请日:2018-11-12
申请人: 日本碍子株式会社
IPC分类号: H03H9/25 , B32B9/00 , C30B29/30 , C30B33/06 , H01L21/02 , H01L41/053 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/31 , H01L41/337 , H03H3/08
摘要: 在将由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂-钽酸锂组成的组中的材质形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时,抑制接合体的特性劣化。接合体(7、7A)具备:支撑基板(4);氧化硅层(5),其设置于支撑基板(4)上;以及压电性材料基板(1、1A),其设置于氧化硅层(5)上、并由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂-钽酸锂组成的组中的材质形成。压电性材料基板(1、1A)与氧化硅层(5)的界面(A)处的氮浓度高于氧化硅层(5)与所述支撑基板(1)的界面处的氮浓度。
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公开(公告)号:CN109742228B
公开(公告)日:2020-06-23
申请号:CN201910010496.3
申请日:2019-01-07
申请人: 南京航空航天大学
IPC分类号: H01L41/335 , H01L41/337 , H01L41/338 , H01L41/37 , H01L41/08 , H01L41/22
摘要: 本发明公开了一种压电复合材料及驱动器的制备方法。该制备方法包括:将压电材料粘贴在切割板上;采用线切割机将压电材料切割成第一设定厚度的薄片状压电材料,记为第一薄片状压电材料;对第一薄片状压电材料进行抛光打磨,获得第二设定厚度的薄片状压电材料,记为第二薄片状压电材料;将第二薄片状压电材料粘贴于切割承载膜上,并采用绷盘固定;对切割承载膜上的第二薄片状压电材料进行机械切割,制得压电相体积分数连续可调的压电阵列;采用聚合物基体对压电阵列中压电相之间的间隙进行浇注,并固化成型;取下切割承载膜,得到压电复合材料。本发明提供的压电复合材料及驱动器的制备方法具有制备工艺简单、效率高的特点。
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公开(公告)号:CN110640581A
公开(公告)日:2020-01-03
申请号:CN201911033956.0
申请日:2019-10-29
申请人: 孙维涛
发明人: 孙维涛
IPC分类号: B24B19/00 , B24B19/11 , B24B27/00 , B24B41/06 , B24B47/12 , B24B47/20 , B24B47/22 , H01L41/337
摘要: 本发明涉及压电陶瓷聚合物复合材料加工领域,具体是涉及一种压电陶瓷聚合物复合材料的加工设备,包括伺服电机、机架、中心轴、摩擦传动盘、变速联动部、打磨部、承接盘和接装部,所述伺服电机通过电机座固定在机架上;所述伺服电机传动连接中心轴的一端;所述中心轴转动连接在机架上;所述中心轴上固定连接摩擦传动盘;所述摩擦传动盘传动连接三个变速联动部;三个变速联动部均匀环绕固定在机架上;三个变速联动部分别传动连接一个打磨部;三个打磨部分别固定在三个变速联动部上;所述中心轴的另一端固定连接承接盘;所述承接盘的中间固定有接装部。本发明可以对压电陶瓷聚合物复合材料加工成的圆环形毛坯进行均匀的打磨,打磨效果好。
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公开(公告)号:CN108781064B
公开(公告)日:2019-10-11
申请号:CN201780017368.0
申请日:2017-02-22
申请人: 日本碍子株式会社
IPC分类号: H03H3/08 , H01L41/313 , H01L41/337 , H01L41/39 , H03H9/25
摘要: 在压电性材料基板1上形成接合层3,接合层3包含选自由氮化硅、氮化铝、氧化铝、五氧化钽、莫来石、五氧化铌和氧化钛构成的组中的一种以上的材质。通过对接合层的表面4和支撑基板的表面照射中性束A,将接合层的表面和支撑基板的表面活化。将接合层的表面5与支撑基板的表面直接键合。
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公开(公告)号:CN109417126A
公开(公告)日:2019-03-01
申请号:CN201880002089.1
申请日:2018-03-14
申请人: BEFS株式会社
IPC分类号: H01L41/22 , H01L41/09 , H01L41/337 , H01L41/338 , H01L41/43 , H01L41/047 , G06K9/00
摘要: 提供超声波指纹传感器的制造方法。超声波指纹传感器的制造方法包括:准备按预先指定的非完全烧结条件烧结的压电片形态的陶瓷烧结体的步骤;在所述陶瓷烧结体的第一表面方向按预先指定的间隔向第一方向平行地切削加工至第二表面侧剩下残留区域的深度并在所述陶瓷烧结体的第二表面方向按预先指定的间隔向垂直于第一方向的第二方向平行地切削加工至所述第一表面侧剩下残留区域的深度形成陶瓷加工体的步骤;按预先指定的完全烧结条件对所述陶瓷加工体进行烧结处理的步骤;向通过切削加工形成于所述陶瓷加工体的槽填充绝缘材料的步骤;以及进行研磨处理去除分别位于第一表面侧与第二表面侧的残留区域使在第一表面的方向与第二表面的方向露出分别排列成阵列形态的压电棒的步骤。
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公开(公告)号:CN108028312A
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201680002597.0
申请日:2016-09-14
申请人: 日本碍子株式会社
IPC分类号: H01L41/337 , B24B37/10 , H01L41/18 , H01L41/312 , H01L41/335 , H03H3/08
CPC分类号: H01L41/337 , B24B37/10 , B81C1/00611 , H01L21/30625 , H01L21/7684 , H01L41/0805 , H01L41/18 , H01L41/312 , H01L41/338 , H03H3/02
摘要: 本发明的复合基板的制造方法包括以下工序:(a)对直径2英寸以上的贴合基板的压电基板侧进行镜面研磨直至所述压电基板的厚度为20μm以下,该贴合基板是将压电基板和支撑基板接合而得到的;(b)进行离子束加工,加工成:所述压电基板的外周部的厚度比内周部厚且所述压电基板的内周部的厚度的最大值与最小值的差值在整个平面中为100nm以下;(c)使用直径5mm~30mm的研磨垫,使所述研磨垫带来的按压力保持恒定,并且,使所述研磨垫边旋转边移动,从而进行CMP研磨,除去通过所述离子束加工而产生的变质层的至少一部分,使所述压电基板的整个表面变得平坦。
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