公开(公告)号：EP3078685A4

公开(公告)日：2017-09-13

申请号：EP14867273

申请日：2014-12-08

Applicant: LG CHEMICAL LTD

Inventor： LEE MI SOOK ,  KIM JUNG KEUN ,  LEE JE GWON ,  PARK NO JIN ,  KU SE JIN ,  CHOI EUN YOUNG ,  YOON SUNG SOO

IPC: C08F297/00 ,  C08F212/12 ,  C08F212/14 ,  C08F216/12 ,  C08F220/22 ,  C08F220/48 ,  C08F299/00 ,  C08J5/00 ,  C08J7/04 ,  C08L55/00

CPC classification number: C08F293/005 ,  B81C1/00428 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  C07C35/48 ,  C07C43/215 ,  C07C43/225 ,  C07C217/84 ,  C07C2601/16 ,  C07D209/48 ,  C07F7/1852 ,  C08F12/20 ,  C08F12/22 ,  C08F12/26 ,  C08F12/32 ,  C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  C08F220/30 ,  C08F2438/03 ,  C08J5/18 ,  C08J7/123 ,  C08J7/14 ,  C08J2353/00 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/162

Abstract: The present application provides the block copolymers and their application. The block copolymer has an excellent self assembling property and phase separation and various required functions can be freely applied thereto as necessary.

公开(公告)号：EP3203496A1

公开(公告)日：2017-08-09

申请号：EP15845720.0

申请日：2015-09-30

Applicant: LG Chem, Ltd.

Inventor： KU, Se Jin ,  LEE, Mi Sook ,  RYU, Hyung Ju ,  KIM, Jung Keun ,  YOON, Sung Soo ,  PARK, No Jin ,  LEE, Je Gwon ,  CHOI, Eun Young

IPC: H01L21/027

CPC classification number: C08L53/005 ,  B05D1/005 ,  B05D3/007 ,  B81C1/00428 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  C01P2002/70 ,  C07B2200/00 ,  C08F2/14 ,  C08F32/06 ,  C08F212/08 ,  C08F216/12 ,  C08F220/10 ,  C08F220/26 ,  C08F220/30 ,  C08F293/00 ,  C08F293/005 ,  C08F299/024 ,  C08F2220/301 ,  C08F2438/03 ,  C08G61/08 ,  C08G61/128 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/332 ,  C08G2261/3324 ,  C08G2261/40 ,  C08G2261/418 ,  C08J5/18 ,  C08J7/123 ,  C08J2353/00 ,  C08L53/00 ,  C08L53/02 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/039 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/162 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/30 ,  C08F214/182

Abstract: Provided is a method of manufacturing a patterned substrate. The method may be applied to a process of manufacturing a device such as an electronic device or integrated circuit, or another use, for example, to manufacture an integrated optical system, a guidance and detection pattern of a magnetic domain memory, a flat panel display, a LCD, a thin film magnetic head or an organic light emitting diode, and used to construct a pattern on a surface to be used to manufacture a discrete tract medium such as an integrated circuit, a bit-patterned medium and/or a magnetic storage device such as a hard drive.

Abstract translation: 提供一种制造图案化基板的方法。 该方法可以应用于制造诸如电子设备或集成电路的设备的过程或者例如用于制造集成光学系统，磁畴存储器的引导和检测图案，平板显示器 ，LCD，薄膜磁头或有机发光二极管，并且用于在要用于制造离散区域介质（诸如集成电路，位图形介质和/或磁体）的表面上构建图案 存储设备，如硬盘。

公开(公告)号：EP3202802A1

公开(公告)日：2017-08-09

申请号：EP15847598.8

申请日：2015-09-30

Applicant: LG Chem, Ltd.

Inventor： CHOI, Eun Young ,  PARK, No Jin ,  KIM, Jung Keun ,  LEE, Je Gwon ,  KU, Se Jin ,  LEE, Mi Sook ,  RYU, Hyung Ju ,  YOON, Sung Soo

IPC: C08F297/00 ,  C08F220/10 ,  C08F220/26 ,  C08F220/30 ,  C08F212/08 ,  C08F212/14 ,  C08F216/12 ,  C08J5/00 ,  C08J7/04

CPC classification number: C08L53/005 ,  B05D1/005 ,  B05D3/007 ,  B81C1/00428 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  C01P2002/70 ,  C07B2200/00 ,  C08F2/14 ,  C08F32/06 ,  C08F212/08 ,  C08F216/12 ,  C08F220/10 ,  C08F220/26 ,  C08F220/30 ,  C08F293/00 ,  C08F293/005 ,  C08F299/024 ,  C08F2220/301 ,  C08F2438/03 ,  C08G61/08 ,  C08G61/128 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/332 ,  C08G2261/3324 ,  C08G2261/40 ,  C08G2261/418 ,  C08J5/18 ,  C08J7/123 ,  C08J2353/00 ,  C08L53/00 ,  C08L53/02 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/039 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/162 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/30 ,  C08F214/182

Abstract: The present application relates to a block copolymer and uses thereof. The present application can provide a block copolymer - which exhibits an excellent self-assembling property and thus can be used effectively in a variety of applications - and uses thereof.

Abstract translation: 本申请涉及一种嵌段共聚物及其用途。 本申请可以提供一种嵌段共聚物 - 其表现出优异的自组装性并因此可以有效用于各种应用 - 及其用途。

公开(公告)号：EP3050099A4

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：EP14847868

申请日：2014-09-17

Applicant: INTEL CORP

Inventor： NYHUS PAUL A ,  HAN EUNGNAK ,  SIVAKUMAR SWAMINATHAN ,  PUTNA ERNISSE S

IPC: H01L21/768 ,  B81C1/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/039 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/32

CPC classification number: G03F7/0392 ,  B81C1/00428 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/26 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/32 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816

Abstract: Self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects are described. In an example, a structure for directed self-assembly includes a substrate and a block co-polymer structure disposed above the substrate. The block co-polymer structure has a polystyrene (PS) component and a polymethyl methacrylate (PMMA) component. One of the PS component or the PMMA component is photosensitive.

Abstract translation: 描述了用于后端线路（BEOL）互连的自对准通孔和插头图案化。 在一个实例中，用于定向自组装的结构包括基板和设置在基板上方的嵌段共聚物结构。 嵌段共聚物结构具有聚苯乙烯（PS）组分和聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）组分。 PS组件或PMMA组件之一是光敏的。

公开(公告)号：EP2829567B1

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：EP14177577.5

申请日：2014-07-18

Applicant: ARKEMA FRANCE

Inventor： Navarro, Christophe ,  Chevalier, Xavier ,  Nicolet, Celia

IPC: C08J5/18 ,  C08F297/02 ,  G03F7/00 ,  C09D153/00 ,  C08F2/00

CPC classification number: C08F297/026 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  C08F2/001 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0002 ,  C08L25/06

公开(公告)号：EP3078689A1

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：EP14867808.9

申请日：2014-12-09

Applicant: LG Chem, Ltd.

Inventor： PARK, No Jin ,  KIM, Jung Keun ,  LEE, Je Gwon ,  LEE, Mi Sook ,  KU, Se Jin ,  CHOI, Eun Young ,  YOON, Sung Soo

IPC: C08F297/00 ,  C08F299/00 ,  C08F212/08 ,  C08F220/10 ,  C08L83/00 ,  C08J5/18

CPC classification number: C08F293/005 ,  B81C1/00428 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  C07C35/48 ,  C07C43/215 ,  C07C43/225 ,  C07C217/84 ,  C07C2601/16 ,  C07D209/48 ,  C07F7/1852 ,  C08F12/20 ,  C08F12/22 ,  C08F12/26 ,  C08F12/32 ,  C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  C08F220/30 ,  C08F2438/03 ,  C08J5/18 ,  C08J7/123 ,  C08J7/14 ,  C08J2353/00 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/162

Abstract: The present application provides the block copolymers and their application. The present application may provide the block copolymers that have excellent self assembling and phase separation properties and therefore that can be effectively used in various applications. The present application may also provide applications of the block copolymers.

公开(公告)号：EP3050099A1

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：EP14847868.8

申请日：2014-09-17

Applicant: Intel Corporation

Inventor： NYHUS, Paul A. ,  HAN, Eungnak ,  SIVAKUMAR, Swaminathan ,  PUTNA, Ernisse S.

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC classification number: G03F7/0392 ,  B81C1/00428 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/26 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/32 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816

Abstract: Self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects are described. In an example, a structure for directed self-assembly includes a substrate and a block co-polymer structure disposed above the substrate. The block co-polymer structure has a polystyrene (PS) component and a polymethyl methacrylate (PMMA) component. One of the PS component or the PMMA component is photosensitive.

Abstract translation: 描述了用于后端（BEOL）互连的自对准通孔和插头图案。 在一个实例中，用于定向自组装的结构包括设置在衬底上方的衬底和嵌段共聚物结构。 嵌段共聚物结构具有聚苯乙烯（PS）组分和聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）组分。 PS组件或PMMA组件之一是光敏的。

公开(公告)号：EP2121514B1

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：EP08728282.8

申请日：2008-01-25

Applicant: Micron Technology, Inc.

Inventor： MILLWARD, Dan, B.

IPC: B81C1/00 ,  G03F7/00 ,  H01L21/033 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308

CPC classification number: C23F1/02 ,  B05D3/00 ,  B05D5/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/3086 ,  Y10S438/947

公开(公告)号：EP2860152A1

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：EP14182597.6

申请日：2014-08-28

Applicant: Tsung, Cheng-Sheng

Inventor： Tsung, Cheng-Sheng ,  Chuang, Shih-Hao

IPC: B81C1/00 ,  G02B5/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G01N21/01 ,  G01N2201/02 ,  G02B5/008 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0058

Abstract: A method for fabricating a microstructure to generate surface plasmon waves comprises steps of: (S1) preparing a substrate (10), and (S2) using a carrier material (22) to carry a plurality of metallic nanoparticles (21) and letting the metallic nanoparticles (21) undertake self-assembly to form a microstructure on the substrate (10), wherein the metallic nanoparticles (21) are separated from each other or partially agglomerated to allow the microstructure to be formed with a discontinuous surface. The present invention fabricates the microstructure having the discontinuous surface by a self-assembly method to generate the surface plasmon waves, thus exempts from using the expensive chemical vapor deposition (CVD) technology and is able to reduce the time and cost of fabrication. The present invention also breaks the structural limitation on generation of surface plasmon waves to enhance the effect of generating the surface plasmon waves.

公开(公告)号：EP2829567A1

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：EP14177577.5

申请日：2014-07-18

Applicant: ARKEMA FRANCE

Inventor： Navarro, Christophe ,  Chevalier, Xavier ,  Nicolet, Celia

IPC: C08J5/18 ,  C08F297/02 ,  G03F7/00 ,  C09D153/00 ,  C08F2/00

CPC classification number: C08F297/026 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  C08F2/001 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0002 ,  C08L25/06

Abstract: The present invention relates to a process for controlling the period characterizing the morphology obtained from a blend of block copolymers and of (co)polymers of one of the blocks on a surface employing a particular way of carrying out the synthesis of the blend of block copolymers and of (co)polymers of one of the blocks.