公开(公告)号：EP1834924B1

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：EP07104090.1

申请日：2007-03-14

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： Robert, Philippe

IPC分类号： B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00293 ,  B81C1/00285 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0145

公开(公告)号：EP2354083B1

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：EP11152700.8

申请日：2011-01-31

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： Pornin, Jean-Louis ,  Gillot, Charlotte

IPC分类号： B81B7/00

CPC分类号： B81B7/0058 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/0163

公开(公告)号：EP2581339B1

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：EP12187748.4

申请日：2012-10-09

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： Pronin, Jean-Louis ,  Dumont, Geoffroy

IPC分类号： B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00285 ,  B81C2203/0145

公开(公告)号：EP2628708B1

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：EP13154830.7

申请日：2013-02-11

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： Baillin, Xavier ,  Pornin, Jean-Louis

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： B81C1/00134 ,  B81B3/0018 ,  B81B7/0038 ,  B81C1/00357 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145 ,  H01L21/2007

公开(公告)号：EP2803634A1

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：EP14168106.4

申请日：2014-05-13

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： Nicolas, Stéphane

IPC分类号： B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00285 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00293 ,  B81C1/00777 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0145 ,  G01C21/16 ,  G01C25/00 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/088 ,  G01P2015/0882 ,  H01L21/50 ,  H01L21/52 ,  H01L21/54 ,  H01L23/10 ,  H01L23/28 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Procédé d'encapsulation d'un dispositif microélectronique (102.1, 102.2), comportant les étapes de :
- réalisation du dispositif microélectronique sur un premier substrat (104) ;
- réalisation d'une portion (118.1, 118.2) d'un premier matériau non perméable à l'atmosphère ambiante et perméable à un gaz noble dans un deuxième substrat (108) à base d'un deuxième matériau non perméable à l'atmosphère ambiante et au gaz noble ;
- solidarisation du deuxième substrat au premier substrat, formant au moins une cavité (120.1, 120.2) dans laquelle est encapsulé le dispositif microélectronique telle que ladite portion du premier matériau forme une partie d'une paroi de la cavité ;
- injection du gaz noble dans la cavité à travers la portion du premier matériau ;
- fermeture hermétique de la cavité vis-à-vis de l'atmosphère ambiante et du gaz noble;
le ou les gaz de l'atmosphère ambiante étant différents du gaz noble.

公开(公告)号：EP2581339A3

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：EP12187748.4

申请日：2012-10-09

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： Pronin, Jean-Louis ,  Dumont, Geoffroy

IPC分类号： B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00285 ,  B81C2203/0145

摘要： Structure d'encapsulation (100) d'au moins un dispositif électronique (102), comportant au moins une première cavité (106) délimitée par un support (104) et au moins un capot (108) disposé sur le support et dans laquelle est encapsulé le dispositif électronique, le capot étant traversé par au moins une ouverture (110) faisant communiquer l'intérieur de la première cavité avec au moins une portion de matériau getter (112) disposée dans au moins une deuxième cavité (115), la deuxième cavité étant disposée sur le support et adjacente à la première cavité, au moins une partie de ladite portion de matériau getter étant disposée sur le support et/ou contre au moins une paroi latérale extérieure de la première cavité, la première cavité et la deuxième cavité formant ensemble un volume fermé hermétiquement.

公开(公告)号：EP2219215A4

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：EP08864653

申请日：2008-12-12

申请人： FUJIKURA LTD

发明人： YAMAMOTO SATOSHI ,  HASHIMOTO HIROKAZU

IPC分类号： H01L23/02 ,  B81C1/00 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L29/84

CPC分类号： B81C1/00317 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0145 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14683 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP2727136A2

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：EP12804454.2

申请日：2012-06-29

申请人： InvenSense, Inc.

发明人： DANEMAN, Michael, J. ,  LIM, Martin ,  SEEGER, Joseph ,  TCHERTKOV, Igor ,  NASIRI, Steven, S.

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L29/84

CPC分类号： H01L23/10 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/047 ,  B81B2207/115 ,  B81C1/00238 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/0792 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G02B26/0833 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A method and system for providing a MEMS device with a portion exposed to an outside environment are disclosed. The method comprises bonding a handle wafer to a device wafer to form a MEMS substrate with a dielectric layer disposed between the handle and device wafers. The method includes lithographically defining at least one standoff on the device wafer and bonding the at least one standoff to an integrated circuit substrate to form a sealed cavity between the MEMS substrate and the integrated circuit substrate. The method includes defining at least one opening in the handle wafer, standoff, or integrated circuit substrate to expose a portion of the to expose a portion of the device wafer to the outside environment.

公开(公告)号：EP2660190A1

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：EP13165131.7

申请日：2013-04-24

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives ,  Sorin CRM SAS

发明人： Souriau, Jean-Charles ,  Parat, Guy-Michel ,  Dal Molin, Renzo

IPC分类号： B81B7/00 ,  G01D11/24

CPC分类号： A61B5/686 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0214 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0145 ,  G01D11/245 ,  H01L21/56 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： Composant (100) comportant un élément actif (106) encapsulé hermétiquement dans une cavité (116) formée entre un support (102) et un capot (114), dans lequel le support et le capot sont en un matériau électriquement conducteur et isolés électriquement l'un par rapport à l'autre, et comprenant une première liaison électrique entre l'élément actif et le support, et une deuxième liaison électrique, distincte de la première liaison, entre l'élément actif et le capot, et dans lequel :
- l'élément actif est solidarisé au support par l'intermédiaire d'une couche diélectrique (104) disposée entre le support et l'élément actif, et entre le support et le capot ;
- la deuxième liaison électrique comporte une deuxième portion (210) de matériau électriquement conducteur reliée électriquement au capot, disposée sur la couche diélectrique et en contact électriquement avec un cordon de scellement (118) électriquement conducteur assurant une solidarisation hermétique du capot au support.

摘要翻译： 组件（100）具有在activeElement（106）气密地封装在一个支撑件（102）和盖（114）之间形成的空腔（116）并通过导电材料制成。 有源元件被牢固地通过支撑和有源元件之间定位在介电层附着到支撑件。 的电连接器（210）包括电连接到所述盖导电材料的一部分，并与密封凸起（118）的导电性电接触提供所述盖到所述支撑件的密封牢固的连接。 因此独立claimsoft被包括用于在封装组件的制造方法。

公开(公告)号：EP2581338A1

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：EP12187740.1

申请日：2012-10-09

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： Baillin, Xavier ,  Pornin, Jean-Louis

IPC分类号： B81C1/00 ,  H01L23/26

CPC分类号： B81C1/00285 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0145 ,  H01L21/50 ,  H01L23/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Procédé d'encapsulation d'un micro-dispositif (100) dans une cavité (108) formée entre un premier (102) et un deuxième substrat (106), comportant les étapes de :
- réalisation du micro-dispositif dans et/ou sur le premier substrat,
- report et solidarisation du deuxième substrat au premier substrat, formant la cavité dans laquelle est disposé le micro-dispositif,
- réalisation d'au moins un trou (112) à travers l'une des deux substrats (106), appelé substrat percé, et débouchant dans la cavité en regard d'une partie (113) de l'autre des deux substrats (102), appelé substrat d'accueil,
- dépôt d'au moins une portion de matériau getter (114) sur ladite partie du substrat d'accueil à travers le trou tel que le matériau getter n'obstrue pas le trou,
- fermeture hermétique de la cavité par obturation du trou.

摘要翻译： 该方法包括形成微装置（100）和/或在基片（102），即 无聊基板。 另一基板（106），即 接收基板，传送和用于形成该微器件被放置在空腔（108）前的基板固定。 的孔（112）是通过钻孔基板形成，并出现成相对于接收基板的一部分（113）的空腔中。 吸气材料部（114）被沉积在通过所述孔的接收基板的一部分。 该空腔被气密地通过通孔的堵塞封闭。