摘要:
Integrierte Schaltung, bei der ein in einer ersten CTD-Anordnung transportiertes, signalabhängiges Ladungspaket in ein komplementäres Ladungspaket umgesetzt werden soll, das in einer zweiten CTD-Anordnung transportiert wird. Angestrebt wird eine einfache und platzsparende Ausbildung einer solchen Schaltung. Zu diesem Zweck ist ein Transfergate des ersten CTD als rücksetzbares "floating gate" ausgebildet, das mit einem solchen des zweiten CTD.verbunden ist, welches zu einer eine Konstantladung eingebenden Eingangsstufe des zweiten CTD gehört. Der Vorteil liegt in einer besonders raumsparenden Ausbildung der Schaltung. Das Anwendungsgebiet umfaßt Halbleiterbausteine für die analoge Signalverarbeitung. (Figur 1)
摘要:
In a sample-and-hold circuit having a first MOS transistor (5) for sampling an input voltage and a holding capacitor (C o ) for holding the sampled voltage, a second MOS transistor (10) has its source and its drain both connected to the output terminal (4) of the circuit. The capacitance between the gate and output electrode (S) of the first MOS transistor (5) is substantially equal to the sum of the capacitances between the gate and the drain, and between the gate and the source, of the second MOS transistor (10). When a voltage is applied to the gate of the first MOS transistor to turn it on or off, the gate of the second MOS transistor receives the same voltage after inversion (8), so that the charge accumulated in the channel region of the first transistor, can be absorbed in the channel region of the second transistor when the first transistor is turned off. In this way, the sampled voltage can be held constant after turning off the first MOS transistor.
摘要:
Die Erfindung betrifft einen Ladungsverschiebespeicher in Seriell-Parallel- Seriell-Organisation mit Grundladungsbetrieb, mit einer Einlesekette einer zugeordneten Parallelkette und einer Auslesekette aus Ladungsverschiebeelementen, wobei der Einlesekette (S1E, S2E) eine parallele Kette (UR, UN) von Grundladungen speichernden Ladungsverschiebeelementen zugeordnet ist, die nach Übernahme der die Informationen kennzeichnenden Ladungen (IL) aus der Einlesekette (S1 E, S2E) in die Parallelkette (PF1, PF2) vor erneuter serieller Eingabe von Informationsladungen (IL) in die Einlesekette (S1E, S2E) Grundladungen (GS) in die Einlesekette (S1 E, S2E) einspeist, und bei der der Ausgabekette (S1 A, S2A) eine Schaltungsanordnung (UR, UC)zugeordnet ist, die beim seriellen Auslesen der die Informationen kennzeichnenden Ladungen (IL) aus der Ausgabekette (S1A, S2A) die Ausgabekette mit Grundladungen (GS) füllt. Der Ausgabekette (S1A, S2A) ist eine weitere parallele Kette (V, D) von Ladungsverschiebeelementen zugeordnet, mit der vor erneuter Übergabe der die Informationen kennzeichnenden Ladungen (IL) aus der Parallelkette (PF1 ... PF8) in die Ausgabekette die Grundladungen (GS) aus der Ausgabekette (S1A, S2A) ausgeräumt werden. (Fig. 1)
摘要:
CCD-Speicher in verdichteter SPS Anordnung. Um eine streng periodische Taktansteuerung zu erreichen, wird immer aus den gleichen Elektroden der seriellen Ein-Ausgabekette übernommen bzw. übergeben. Dazu sind zwei Prinzipien realisiert: a) Die abgebende Elektrode der seriellen Kette hat zwei Ausgänge in das Parallelfeld, wobei die Übernahme abwechselnd durch den einen oder anderen Ausgang erfolgt. b) Es wird aus der seriellen Kette in Zwischenstufen übernommen, wobei diese Zwischenstufen jeweils zwei Ausgänge in das Parallelfeld aufweisen.
摘要:
Described herein are systems and methods related to a device including an analog-to-digital converter (DAC) configured to convert a digital signal into an analog signal. The systems and methods can receive an analog signal at a first input, and provide the analog signal to a first output in response to a first clock signal. The first clock signal has a level at least partially dependent on the analog signal. The systems and methods can provide a path to a ground node for the first clock signal in response to a second clock signal. The second clock signal is independent of the analog signal.
摘要:
A structure for in-memory serial processing includes a memory bank array. Each bank includes memory elements, each including first and second programmable resistors having inputs connected to an input node and outputs connected to first and second bitlines. In each bank, first and second feedback buffers are connected to the first and second bitlines and first and second output nodes. First and second output nodes of banks in the same column are connected to the same first and second column interconnect lines. The initial bank in each row includes amplifiers connected between the input nodes and memory elements. Outputs of these amplifiers are also connected by row interconnect lines to memory elements in downstream banks in the same row. Optionally, voltage buffers are connected to row interconnect lines and integrated into at least some banks. The amplifiers, feedback buffers, and voltage buffers minimize local IR drops and thereby processing errors.
摘要:
A sampling switch circuit, comprising an input node, connected to receive an input voltage signal, a sampling transistor comprising a gate terminal, a source terminal and a drain terminal, the source terminal connected to the input node, a hold-control node connected to receive a hold-control voltage signal, an output node connected to the drain terminal of the sampling transistor, a buffer circuit having a buffer input connected to the input node and a buffer output connected to a track-control node, the buffer circuit configured to provide a track-control voltage signal at the track-control node dependent on the input voltage signal and switching circuitry configured to connect the gate terminal of the sampling transistor to the track-control node or to the hold-control node in dependence upon a clock signal.