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    DEPOSITING SOLID MATERIALS
    12.
    发明公开
    DEPOSITING SOLID MATERIALS 审中-公开
    AUFBRINGEN VON FESTEM材料

    公开(公告)号：EP1452078A1

    公开(公告)日：2004-09-01

    申请号：EP02783258.3

    申请日：2002-12-03

    申请人： Qinetiq Limited

    发明人： JOHNSON, D. R.,Future Systems Technology Div. ,  DAMARELL, W. N.,Future Systems Technology Div. ,  KYNASTON-PEARSON, Anthony William Nigel

    IPC分类号： H05K3/12 ,  B05C9/06 ,  C23C18/16 ,  B41M3/00

    CPC分类号： B41J2/17 ,  B05C9/06 ,  B33Y30/00 ,  B41J2/01 ,  B41M3/001 ,  B41M3/008 ,  C23C18/16 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/161 ,  C23C18/1655 ,  C23C18/31 ,  H05K3/125 ,  H05K3/182

    摘要： Material can be deposited directly onto a substrate by using a fluid applicator such as an inkjet printer to apply at least two fluids which react to give the desired material for a range of applications. Thus, multiples of a printing mechanism are used to deposit materials as reagents that react together to form products. The materials may also be advantageously deposited from multiple inkjet heads to prepare a wide range of reaction scenarios in the form of user-defined patterns which may be sequences of differing layers and possibly to build up thicker layers. Thus, a PCB could be printed by the inkjet printer by simply printing the metal salt and the reducing agent directly, instead of two colours from a conventional inkjet printer for example. To print a three dimensional article, a pair of fluids which react to give a precipate can be used instead. Repeated passes can then build up a desired shape. The two processes could be combined to produce composite devices such as electrical components.

    摘要翻译： 材料可以通过使用诸如喷墨打印机的流体施加器直接沉积到基底上，以施加至少两种反应的流体，以在一定范围的应用中产生所需的材料。 因此，印刷机构的倍数用于沉积物质作为一起反应以形成产物的试剂。 这些材料还可有利地从多个喷墨头沉积以制备用户定义图案形式的宽范围的反应场景，其可以是不同层的序列，并且可能构建更厚的层。 因此，通过简单地直接打印金属盐和还原剂来代替来自常规喷墨打印机的两种颜色，可以由喷墨打印机印刷PCB。 为了印刷三维制品，可以使用反应产生沉淀物的一对流体。 重复的通行证可以建立所需的形状。 这两个过程可以组合以产生诸如电气部件的复合装置。

    Method and apparatus for plating and plating structure
    13.
    发明公开
    Method and apparatus for plating and plating structure 审中-公开
    电镀和电镀结构的方法和设备

    公开(公告)号：EP1022770A2

    公开(公告)日：2000-07-26

    申请号：EP00400172.3

    申请日：2000-01-24

    申请人： SONY CORPORATION

    发明人： Yoshio, Akira ,  Segawa, Yuji

    IPC分类号： H01L21/288 ,  C23C18/16 ,  H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/1655 ,  C23C18/1666 ,  C23C18/1844 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877 ,  H05K3/422

    摘要： There is a method and apparatus for plating in which electroless copper plating is performed in a contact hole and an interconnect trench on a minute scale of a semiconductor integrated circuit device, and a plating structure. Organic material originated from an organic gas carried over from the preceding step is removed from the inner surface of a blind hole, thereafter the surface of the barrier layer (7) is subjected to predetermined pretreatments comprising a hydroxylation treatment, a coupling treatment, a Pd colloidal solution treatment and the like, and following the pretreatments, electroless plating (8) with copper is effected desirably under influence of ultrasonic waves. Hence, a uniform, good quality plating layer (8) is formed inside and outside the hole and a CMP processing following the plating is performed with ease.

    摘要翻译： 存在用于在半导体集成电路器件的微小规模的接触孔和互连沟槽中实施无电镀铜以及电镀结构的电镀方法和装置。 源自前一步骤所携带的有机气体的有机材料从盲孔的内表面移除，然后对阻挡层（7）的表面进行预定的预处理，包括羟基化处理，偶联处理，Pd 胶体溶液处理等，并且在预处理后，用铜进行无电镀（8）期望在超声波的影响下进行。 因此，在孔的内部和外部形成均匀且高质量的镀层（8），并且容易地执行电镀之后的CMP处理。

    METHOD FOR THE ELECTROLESS NICKEL PLATING OF LONG BODIES
    14.
    发明公开
    METHOD FOR THE ELECTROLESS NICKEL PLATING OF LONG BODIES 失效
    一种长体化学镀镍方法

    公开(公告)号：EP0051608A1

    公开(公告)日：1982-05-19

    申请号：EP81901060.0

    申请日：1981-03-16

    申请人： KUCZMA, John J.Jr.

    发明人： KUCZMA, John J.Jr.

    IPC分类号： C23C18

    CPC分类号： C23C18/32 ,  C23C18/1655 ,  C23C18/1676 ,  C23C18/168 ,  C23C18/1683

    摘要： Procede et dispositif (10) de nickelage non electrique de corps allonges (12) comprenant un reservoir profond (11) pouvant contenir au moins un corps allonge (12) dans une position sensiblement verticale et immergee dans une solution (32) de nickelage non electrique, un systeme de distribution de fluide (18-29) comprenant une pluralite d'orifices de sortie (31, 31') de tuyaux perfores espaces verticalement a l'interieur du reservoir (11) et des moyens permettant de decharger (30) la solution de nickelage filtree et chauffee au travers des orifices de sortie (31, 31') du tuyau perfore diriges generalement vers le corps allonge (12) ou autour de celui-ci a l'interieur du reservoir (11) de maniere a permettre une dispersion directionnelle de la solution (32) sensiblement dans toute la profondeur du reservoir (11).

    摘要翻译： 方法，包括：一个深罐（11）的细长体（12）的非电镍镀的装置（10）可在基本垂直的位置包含至少一个细长主体（12），浸渍在非电镍的溶液（32） 流体分配系统（18-29），其包括在罐（11）内竖直间隔开的多个穿孔管的出口开口（31,31'）和用于卸载（30） 过滤并加热的镍溶液通过穿孔管的出口（31,31'），该穿孔管通常指向或围绕箱（11）内的细长主体（12），以便允许 基本上遍及罐（11）的深度方向分散溶液（32）。

    Method and apparatus for plating and plating structure
    17.
    发明公开
    Method and apparatus for plating and plating structure 审中-公开
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    公开(公告)号：EP1022770A3

    公开(公告)日：2000-12-06

    申请号：EP00400172.3

    申请日：2000-01-24

    申请人： SONY CORPORATION

    发明人： Yoshio, Akira ,  Segawa, Yuji

    IPC分类号： H01L21/288 ,  C23C18/16 ,  H01L21/768 ,  H01L21/306

    CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/1655 ,  C23C18/1666 ,  C23C18/1844 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877 ,  H05K3/422

    摘要： There is a method and apparatus for plating in which electroless copper plating is performed in a contact hole and an interconnect trench on a minute scale of a semiconductor integrated circuit device, and a plating structure. Organic material originated from an organic gas carried over from the preceding step is removed from the inner surface of a blind hole, thereafter the surface of the barrier layer (7) is subjected to predetermined pretreatments comprising a hydroxylation treatment, a coupling treatment, a Pd colloidal solution treatment and the like, and following the pretreatments, electroless plating (8) with copper is effected desirably under influence of ultrasonic waves. Hence, a uniform, good quality plating layer (8) is formed inside and outside the hole and a CMP processing following the plating is performed with ease.

    摘要翻译： 存在在半导体集成电路器件的微小尺寸的接触孔和互连沟槽中进行无电镀铜的电镀方法和装置以及电镀结构。 从前述步骤中携带的有机气体的有机材料从盲孔的内表面除去，然后对阻挡层（7）的表面进行预定的预处理，包括羟基化处理，偶联处理，Pd 胶体溶液处理等，并且在预处理之后，期望在超声波的影响下，用铜进行化学镀（8）。 因此，在孔的内部和外部形成均匀的优质镀层（8），并且容易地执行电镀后的CMP处理。

    Verfahren zur stromlosen Metallabscheidung
    20.
    发明公开
    Verfahren zur stromlosen Metallabscheidung 失效
    Verfahren zur stromlosen Metallabscheidung。

    公开(公告)号：EP0036940A1

    公开(公告)日：1981-10-07

    申请号：EP81101169.1

    申请日：1981-02-19

    申请人： MERCK PATENT GmbH

    发明人： Schmitt, Dieter, Dr.

    IPC分类号： C23C3/02

    CPC分类号： C23C18/44 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1655 ,  C23C18/1683 ,  C23C18/52

    摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur stromlosen Metallabscheidung in sehr gleichmäßiger Schichtdicke durch Versprühen eines wäßrigen Metallabscheidungsbads oderer mehrerer entsprechender Teilbäder auf ein Substrat, wobei das bzw. die Bäder im Augenblick des ersten Auftreffens auf das Substrat mit Wasser im Verhältnis von etwa 1 : 1 bis 1 : 20 verdünnt werden. Sobald aus dem so verdünnten Bad ein erster dünner Metallfilm abgeschieden ist, wird die Bad- bzw. Teilbäderkonzentration stufenweise oder in einem Schritt auf die übliche Konzentration erhöht.

    摘要翻译： 1.一种通过喷射含有金属盐和还原剂的金属沉积溶液的金属沉积溶液来均匀沉积金属的方法，其特征在于通过降低喷涂金属沉积溶液首先接触的点处的溶液浓度 衬底表面为喷射射流中浓度的约50至5％，首先在衬底表面上生产粘结薄的金属涂层，该涂层通过以下常规的沉积溶液处理而增加到所需厚度 浓度。