公开(公告)号：EP2937902A1

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：EP15164172.7

申请日：2015-04-20

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： Mollard, Laurent ,  Bourgeois, Guillaume ,  Destefanis, Gérard

IPC分类号： H01L27/144 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/103 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/02966 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/1032 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1832

摘要： L'invention concerne une matrice de photodiodes (300) comprenant :
- une couche utile (10) en Cd x Hg 1-x Te ;
- des premières zones dopées (151) formant chacune une jonction PN (15) avec une deuxième zone dopée (152) entourant les premières zones dopées.
Selon l'invention, la matrice (300) comprend, entre deux jonctions PN (15), des régions (14) présentant un gradient de concentration en cadmium décroissant depuis la face supérieure (108) vers la face inférieure (109) de la couche utile.
L'invention concerne également un procédé de réalisation d'une telle matrice de photodiodes.

摘要翻译： 本发明涉及一种光电二极管阵列（300），包括： - Cd x Hg 1-x Te的有用层（10） 第一掺杂区域（151），每个区域与围绕第一掺杂区域的第二掺杂区域（152）形成PN结（15）。 根据本发明，矩阵（300）在两个PN结（15）之间包括具有从层的上表面（108）到下表面（109）递减的镉浓度梯度的区域（14） 有用。 本发明还涉及用于制造这种光电二极管矩阵的方法。

公开(公告)号：EP2750203A1

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：EP13199542.5

申请日：2013-12-24

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： Rothman, Johan

IPC分类号： H01L31/107

CPC分类号： H01L31/02966 ,  H01L31/1032 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1075 ,  H01L31/1832

摘要： L'invention concerne une structure (1) semiconductrice de type photodiode à avalanche destinée à recevoir un rayonnement électromagnétique dans une gamme de longueurs d'onde donnée. La structure comporte une première zone (210) semiconductrice d'un premier type de conductivité présentant une première face longitudinale (201), ladite première zone (210) étant réalisée en tellurure de mercure-cadmium du type Cd x Hg 1-x Te avec une proportion x de cadmium qui est variée. La structure (1) comportant en outre au moins une deuxième zone semiconductrice (310) en contact la première zone (210), et une troisième zone (410) semiconductrice en contact avec la deuxième zone (310). La première zone (210) comporte un élément dopant, tel que l'arsenic, dont la concentration est variée alternativement dans une direction sensiblement perpendiculaire à la première face longitudinale (201 entre une concentration dite faible et une concentration dite forte. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d'une structure (1) selon l'invention.

摘要翻译： 所述结构（1）具有第一半导体区（210），即 吸收区域，包括纵向面（201），用于接收电磁辐射，并且第二半导体区（310），即 乘区，住在与脸部接触。 第一区是由汞 - 镉 - 碲化物制成，并且第三半导体区（410），即 收集区，保持与第二区接触。 第一区包括提供多数载流子浓度是谁的方向是变化的垂直于低和高浓度之间的纵向面的掺杂元素。 因此独立claimsoft包括一种用于制造结构的方法。

公开(公告)号：EP2452370A4

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：EP10797901

申请日：2010-07-09

申请人： FIRST SOLAR INC

发明人： POWELL RICK C ,  GLOECKLER MARKUS ,  BULLER BENYAMIN ,  SHAO RUI

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/073

CPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1832 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： A method of manufacturing a photovoltaic cell may include depositing a cadmium sulfide layer on a transparent conductive oxide stack; depositing a zinc-containing layer on the cadmium sulfide layer; and depositing a cadmium telluride layer on the zinc-containing layer.

摘要翻译： 制造光伏电池的方法可以包括在透明导电氧化物堆叠上沉积硫化镉层; 在硫化镉层上沉积含锌层; 以及在所述含锌层上沉积碲化镉层。

公开(公告)号：EP2437316A2

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：EP11181468.7

申请日：2011-09-15

申请人： General Electric Company

发明人： Zhong, Dalong ,  Parthasarathy, Gautam ,  Nardi Jr., Richard Arthur

IPC分类号： H01L31/073

CPC分类号： H01L31/073 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0084 ,  C23C14/0629 ,  C23C14/3485 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/1832 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： One aspect of the present invention provides a device 100 that includes a substrate 110; a first semiconducting layer 116; a transparent conductive layer 112; a transparent window layer 114. The transparent window layer 114 includes cadmium sulfide and oxygen. The device 100 has a fill factor of greater than about 0.65. Another aspect of the present invention provides a method of making the device 100.

摘要翻译： 本发明的一个方面提供一种装置100，其包括基板110; 第一半导体层116; 透明导电层112; 透明窗口层114.透明窗口层114包括硫化镉和氧气。 装置100具有大于约0.65的填充因子。 本发明的另一方面提供一种制造装置100的方法。

公开(公告)号：EP1535309A4

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：EP03731605

申请日：2003-06-10

申请人： II VI INC

发明人： SZELES CSABA ,  LYNN KELVIN G

IPC分类号： G01T1/24 ,  H01L21/00 ,  C01B19/00 ,  C22C18/00 ,  C22C20/00 ,  C22C28/00 ,  C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  C30B17/00 ,  C30B28/06 ,  C30B29/48 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/09 ,  H01L31/103 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/02966 ,  C30B11/00 ,  C30B29/48 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02625 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/085 ,  H01L31/1032 ,  H01L31/1832

摘要： A method of forming a radiation detector compound comprising: (a) providing a mixture of Cd, Zn and Te; (b) heating the mixture to a liquid state; (c) adding to the liquid mixture a first dopant that adds shallow level donors (electrons) to the top of an energy band gap of said mixture when it is solidified; (d) adding to the liquid mixture a second dopant that adds deep level donors and/or acceptors to the middle of said band gap of said mixture when it is solidified; and (e) solidifying said mixture including said first and second dopants to form the compound.

摘要翻译： 一种由化合物或合金制成的辐射探测器（图1），所述化合物或合金包含浓度在10和10,000原子部分/十亿之间的Cd x Zn 1-x Te（0 = x = 1），Pb和至少一种选自 （i）元素周期表第III列中浓度在10至10,000原子份数/ 10亿之间的Cland（ii）元素表现出全电补偿，高电阻率，在所施加的电偏压下的完全耗尽和优异的电荷传输。

公开(公告)号：EP1291928A2

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：EP02017650.9

申请日：2002-08-06

申请人： Sumitomo Electric Industries, Ltd.

发明人： Ando, Koshi, Tottori University ,  Nakamura, Takao, Sumitomo Electric Industries Ltd

IPC分类号： H01L31/105 ,  H01L31/107 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0352

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/105 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1832

摘要： A blue-violet-near-ultraviolet pin-photodiode with small dark current, high reliability and long lifetime. The pin-photodiode has a metallic n-electrode, a n-ZnSe single crystal substrate, an optionally added n-ZnSe buffer layer, an n-Zn 1-x Mg x S y Se 1-y layer, an i-Zn 1-x Mg x S y Se 1-y layer, a p-Zn 1-x Mg x S y Se 1-y layer, a p-(ZnTe/ZnSe) m SLE, a p-ZnTe contact layer, an optionally provided antireflection film and a metallic p-electrode.
A blue-violet-near-ultraviolet avalanche photodiode with small dark current, high reliability and long lifetime. The avalanche photodiode has a metallic n-electrode, a n-ZnSe single crystal substrate, an optionally added n-ZnSe buffer layer, an n-Zn 1 - x Mg x S y Se 1 - y layer, an i-Zn 1 - x Mg x S y Se 1 - y layer, a p-Zn 1 - x Mg x S y Se 1 - y layer, a p-(ZnTe/ZnSe) m SLE, a p-ZnTe contact layer, an optionally provided antireflection film and a metallic p-electrode. Upper sides of the layered structure are etched into a mesa-shape and coated with insulating films.

摘要翻译： 蓝紫色近紫外灯管光电二极管，暗电流小，可靠性高，使用寿命长。 针状光电二极管具有金属n电极，n-ZnSe单晶衬底，任选添加的n-ZnSe缓冲层，n-Zn 1-x Mg x S y Se 1-y层，i-Zn 1 -x Mg x S y Se 1-y层，p-Zn 1-x Mg x S y Se 1-y层，p-（ZnTe / ZnSe）m SLE，p-ZnTe接触层，任选提供 抗反射膜和金属p电极。 蓝紫色近紫外线雪崩光电二极管，暗电流小，可靠性高，使用寿命长。 雪崩光电二极管具有金属n电极，n-ZnSe单晶衬底，任选添加的n-ZnSe缓冲层，n-Zn 1-x Mg x S y Se 1-y层，i-Zn 1 - x Mg x S y Se 1-y层，p-Zn 1-x Mg x S y Se 1-y层，p-（ZnTe / ZnSe）m SLE，p-ZnTe接触层，任选提供的抗反射 膜和金属p电极。 层状结构的上侧被蚀刻成台面形状并涂覆有绝缘膜。

公开(公告)号：EP0284435B1

公开(公告)日：1997-10-15

申请号：EP88302719.5

申请日：1988-03-25

申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA

发明人： Tokunaga, Hiroyuki ,  Yonehara, Takao

IPC分类号： H01L21/36 ,  H01L21/365 ,  C30B23/04 ,  C30B25/04 ,  C23C16/02

CPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1832 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543

公开(公告)号：EP0300799B1

公开(公告)日：1996-03-20

申请号：EP88306720.9

申请日：1988-07-21

申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA

发明人： Nakagawa, Katsumi ,  Kanai, Masahiro ,  Ishihara, Shunichi ,  Arao, Kozo ,  Fujioka, Yasushi ,  Sakai, Akira ,  Murakami, Tsutomu

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/036 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L31/073 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1832 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/547

公开(公告)号：EP0448692A1

公开(公告)日：1991-10-02

申请号：EP90915698.0

申请日：1990-10-09

申请人： GRUMMAN AEROSPACE CORPORATION

发明人： SOLOMON, Allen, L.

IPC分类号： H01L21 ,  H01L27 ,  H01L31

CPC分类号： H01L31/1832 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/1032 ,  Y02E10/50 ,  Y10S117/913

摘要： L'invention concerne un substrat polycristallin ou amorphe (14) ayant une seule couche cristalline (24) formée sur le substrat pour produire un réseau de détecteurs photosensibles ainsi qu'un procédé de formation. La couche unique cristalline est développée par graphotaxie, c'est-à-dire épitaxie latérale, sur le substrat cristallin non unique. Un cristal d'ensemencement (16) du matériau comprenant la couche à développer est noyé dans le substrat. La croissance graphotaxiale se produit depuis le cristal d'ensemencement et progresse à travers la surface du substrat. Plusieurs procédés d'obtention d'une croissance graphotaxiale sont décrits.

公开(公告)号：EP0413159A2

公开(公告)日：1991-02-20

申请号：EP90113754.7

申请日：1990-07-18

申请人： FUJITSU LIMITED

发明人： Saito, Tetsuo, c/o Fujitsu Ltd., Patent Department ,  Kochi, Tetsuya, c/o Fujitsu Ltd., Patent Departmen ,  Yamamoto, Tamotsu, c/o Fujitsu Ltd., Patent Depart ,  Ozaki, Kazuo, c/o Fujitsu Ltd., Patent Depart ,  Yamamoto, Kosaku, c/o Fujitsu Ltd., Patent Depart

IPC分类号： H01L21/363 ,  H01L31/0296 ,  C30B23/02

CPC分类号： H01L31/1832 ,  C30B23/02 ,  C30B29/48 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02631 ,  Y10S148/064 ,  Y10S438/971

摘要： A method of growing a ternary or quaternary compound semiconductor layer, including:-
exposing in an enclosure

(a) an initial layer comprising at least two of the elements of the compound semiconductor, and
(b) a source comprising all the elements of the compound semiconductor and having the composition of an off-stoichiometric melt,
heating the initial layer and the source, in the enclosure, to place them in a three-phase equilibrium condition, to grow the compound semiconductor layer on/from the initial layer, vapours from the source being transported to the initial layer.
A sensing device using a compound semiconductor layer.

摘要翻译： 生长三元或四元化合物半导体层，的方法，包括： - 暴露到外壳（a）一初始层，包括至少两个的化合物半导体的元件，和（b）一个源，包括该化合物的所有元素 半导体和从具有偏离化学计量的熔融物的组成，加热该初始层和源极，在所述外壳，以将它们放置在一个三相平衡状态，开/化合物半导体层从初始层生长，蒸气 源被输送到初始层。 使用化合物半导体层的感测装置。