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    Method for generation of ionized air
    12.
    发明公开
    Method for generation of ionized air 失效
    Verfahren zur Erzeugung von ionisierten Luft。

    公开(公告)号：EP0476255A2

    公开(公告)日：1992-03-25

    申请号：EP91111599.6

    申请日：1991-07-12

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Batchelder, John S. ,  Gross, Vaughn P. ,  Gruver, Robert A. ,  Hobbs, Philip C.D. ,  Murray, Kenneth D.

    IPC分类号： H05F3/06 ,  H01L21/00 ,  H01L21/268

    CPC分类号： H01L21/67028 ,  H05F3/06 ,  Y10S430/138 ,  Y10S438/909

    摘要： Ionization of air is accomplished by use of a laser beam focussed to a small focal volume (20) of intense electric field adjacent an object to be discharged, e.g. a semiconductor chip or wafer (26). The electric field is sufficiently intense to ionize air. In the manufacture of a semiconductor circuit chip (26), during those steps which are conducted in an air environment, opportunity exists to remove from a surface (28) of a chip, or wafer, charge acquired during the manufacturing process. The ionized air is passed along the chip surface. Ions (24) in the air discharge local regions of the chip surface which have become charged by steps of a manufacturing process. By way of further embodiment of the invention, the ionization may be produced by injection of molecules of water into the air, which molecules are subsequently ionized by a laser beam and directed toward the chip via a light shield with the aid of a magnetic field.

    摘要翻译： 空气的离子化是通过使用聚焦于邻近待排出物体的强电场的小焦点体积（20）的激光束实现的。 半导体芯片或晶片（26）。 电场足够强以电离空气。 在半导体电路芯片（26）的制造中，在空气环境中进行的那些步骤中，存在从制造过程中获取的芯片或晶片的表面（28）移除的机会。 电离空气沿芯片表面通过。 芯片表面的放电局部区域中的离子（24）已经通过制造过程的步骤而被充电。 通过本发明的进一步实施例，电离可以通过将水分子注入到空气中来产生，该分子随后通过激光束被离子化，并借助于磁场通过光屏指向芯片。

    Method of boron diffusion into semiconductor wafers
    13.
    发明公开
    Method of boron diffusion into semiconductor wafers 失效
    在Halbleiterwafern的Verfahren zur Bor扩散。

    公开(公告)号：EP0472012A2

    公开(公告)日：1992-02-26

    申请号：EP91112736.3

    申请日：1991-07-29

    申请人： SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED

    发明人： Katayama, Masatake ,  Fujiya, Shoichi ,  Moroga, Isao ,  Shinomiya, Masaru

    IPC分类号： H01L21/225 ,  H01L21/22

    CPC分类号： H01L21/2254 ,  Y10S148/037 ,  Y10S438/909 ,  Y10S438/92

    摘要： A method of diffusing boron into semiconductor wafers is disclosed which is made of essentially boron deposition and boron diffusion steps. The deposition step is performed from 900 to 1,000°C and the diffusion step at a temperature substantially equal to or higher than the temperature at the deposition step. Oxidation induced stacking faults are greatly reduced.

    摘要翻译： 公开了将硼扩散到半导体晶片中的方法，其基本上由硼沉积和硼扩散步骤制成。 沉积步骤在900至1000℃下进行，扩散步骤在基本上等于或高于沉积步骤的温度的温度下进行。 氧化引起的堆垛层错大大减少。

    Semiconductor lasers
    17.
    发明公开
    Semiconductor lasers 失效
    半导体激光器

    公开(公告)号：EP0136839A3

    公开(公告)日：1986-11-26

    申请号：EP84306035

    申请日：1984-09-03

    申请人： XEROX CORPORATION

    发明人： Burnham, Robert ,  Holonyak, Nick, Jr.

    IPC分类号： H01S03/19 ,  H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/24 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0095 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/3432 ,  Y10S438/909

    摘要： The method of tuning the wavelength of a quantum well laser to a shorter emission wavelength is accomplished by the step of thermal annealing the laser for a prescribed period of time, the length of the period and the temperature of annealing being based upon what primary emission wavelength is desired. For good results, the annealing is conducted in an elemental anti-outdiffusion environment or the laser structure to be annealed is encapsulated so that any outdiffusion of laser elemental constituents is discouraged during thermal annealing. In an exemplary illustration of the invention, laser heterostructures of the GaAl/GaAlAs regime are utilized and annealed for several hours in an As environment to selectively reduce the emission wavelength by as much as 20. or more. The As environment prevents the outdiffusion of As from the GaAl GaAlAs heterostructure during thermal annealing, elemental As having the lowest temperature of vaporization of elemental Ga, Al and As. High temperature annealing above this temperature may tend to drive elemental As from the heterostructure thereby changing its operating characteristics. Thermal annealing may be carried out in an annealing furnace, generally sealed in a quartz ampoule, or in a thermal pulse annealing system wherein properly prepared wafer samples may be alternately heated uniformly for prescribed periods of time at predetermined temperatures and periodically checked to determine the amount emission wavelength shift as compared to the set emission wavelength desired to be achieved for the laser.

    Verfahren zur Herstellung von Kontakten mit niedrigem Übergangswiderstand
    18.
    发明公开
    Verfahren zur Herstellung von Kontakten mit niedrigem Übergangswiderstand 失效
    一种用于制造具有低接触电阻的接触过程。

    公开(公告)号：EP0187882A1

    公开(公告)日：1986-07-23

    申请号：EP85100403.6

    申请日：1985-01-17

    申请人： IBM DEUTSCHLAND GMBH ,  International Business Machines Corporation

    发明人： Bauer, Hans-Jürgen, Dr. ,  Fröhlich, Marianne-Babette

    IPC分类号： C23F4/00 ,  H01L21/285

    CPC分类号： H01L21/02063 ,  C23C14/022 ,  H01J37/18 ,  H01J37/32431 ,  H01L21/28512 ,  Y10S438/906 ,  Y10S438/909

    摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Kontakten mit niedrigem Übergangswiderstand zwischen erster und zweiter Metallisierung in integrierten Halbleiterschaltungen. Gemäß der Erfindung werden die zu reinigenden Halbleitersubstrate auf einem Substrathalter (18) in einer Vakuumkammer (12) angeordnet. In dieser wird mittels einer Hilfselektrode (20) ein Gasplasma erzeugt, das zur Verbesserung des Vakuums durch Herabsetzung des Wasserdampfpartialdrucks dient. Die eigentliche Reinigung der freigelegten Oberflächen der Halbleitersubstrate (19) erfolgt anschließend mittels Kathodenzerstäubung durch Anlegen einer Hochfrequenz an den Substrathalter (18). Durch die Aufteilung des Plasmas kann die Zeit für die Reinigung der Halbleitersubstrate wesentlich reduziert werden, so daß auch Substrate mit Masken aus temperaturempfindlichen Photoresistmaterialien mittels Kathodenzerstäubung gereinigt werden können. Die Erfindung umfaßt auch eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于生产具有在半导体集成电路的第一和第二金属之间的低接触电阻的接触的处理。 根据本发明，是一种基板保持架（18）上清洗后的半导体衬底被放置在真空室（12）。 在此是通过其用于通过降低水蒸汽分压，以改善真空的辅助电极（20）的装置产生的气体等离子体。 的半导体衬底（19）的暴露表面的实际清洗然后通过施加高频到衬底夹持器（18）采用由阴极溅射法进行。 通过将等离子体，用于清洁半导体衬底的时间可以显着减少，从而使与对温度敏感的光致抗蚀剂材料的掩模衬底可以用阴极溅射法的方法进行清洗。 本发明还包括用于执行该方法的装置。