SYSTEME DE MESURE RESONANT A RESOLUTION AMELIOREE
    7.
    发明公开
    SYSTEME DE MESURE RESONANT A RESOLUTION AMELIOREE 审中-公开
    测量系统导致改进的决议

    公开(公告)号:EP3244169A1

    公开(公告)日:2017-11-15

    申请号:EP17167899.8

    申请日:2017-04-25

    摘要: Système de mesure résonant de type MEMS et/ou NEMS, comportant :
    Un dispositif optomécanique (4) comprenant au moins un élément résonant (14) à au moins une fréquence de résonance fr, un guide d'onde (10) couplé à un anneau optique (12) dont l'indice optique est sensible au déplacement de l'élément résonant (14),
    Des moyens d'excitation (6) de l'élément résonant (14) à au moins sa fréquence de résonance fr,
    Des moyens (2) aptes à injecter un faisceau lumineux à une fréquence f1 = fr + Δf dans le dispositif optomécanique, comportant une diode laser et des moyens de modulation disposés entre la diode laser (18) et le guide d'onde (10) à la fréquence f1.
    Un dispositif de photodétection (8) apte à mesurer l'intensité d'un faisceau lumineux de mesure sortant du guide d'onde (10), l'intensité du faisceau de mesure ayant au moins une composante à une fréquence 2Δf.

    摘要翻译: 谐振测量系统MEMS和/或NEMS,包括:耦合到一个环上的光 - 机械装置(4)包括至少一个谐振元件(14)连接到至少一个谐振频率fr,波导(10) 光学系数(12),其光学指数对谐振元件(14)的位移敏感;用于将谐振元件(14)激励(6)至少其谐振频率fr的装置; 2),其能够以频率f1 = fr +Δf将光束注入到光机械装置中,该光机械装置包括激光二极管和以该频率布置在激光二极管(18)和波导(10)之间的调制装置 F1。 一种能够测量从波导(10)出射的测量光束的强度的光电检测装置(8),该测量光束的强度具有至少一个频率为2Δf的分量。

    CAPTEUR A DETECTION PIEZORESISTIVE DANS LE PLAN
    9.
    发明公开
    CAPTEUR A DETECTION PIEZORESISTIVE DANS LE PLAN 有权
    传感器检测的压阻在同一水平上

    公开(公告)号:EP2491406A1

    公开(公告)日:2012-08-29

    申请号:EP10776608.1

    申请日:2010-10-20

    IPC分类号: G01P15/12 G01P15/08

    摘要: The invention relates to an in-plane MEMS or NEMS detection device for measuring movements oriented in one direction (Y1) comprising a seismic mass (202) suspended relative to a substrate, said seismic mass (202) capable of swiveling about an axis (Z) perpendicular to the plane of the substrate, at least one piezoresistive strain gauge (8), which is mechanically linked to the seismic mass (202) and to the substrate, wherein said piezoresistive gauge (8) has a thickness smaller than that of the seismic mass (202) and wherein the axis (Y) of the piezoresistive strain gauge (8) is orthogonal to the plan containing the swiveling axis (Z) and the center of gravity (G) of the seismic mass (202) and said plane is orthogonal to the direction (Y1) of the movements to be measured.

    STRUCTURE OPTO-MÉCANIQUE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION ASSOCIÉS

    公开(公告)号:EP4350425A1

    公开(公告)日:2024-04-10

    申请号:EP23201539.6

    申请日:2023-10-04

    摘要: Un aspect de l'invention concerne une structure opto-mécanique (SOM) comportant un substrat (SB) s'étendant selon un plan (P) ; un élément support (ES) agencé sur le substrat (SB ; au moins un élément conducteur (EC) adapté pour créer un champ électrique orienté perpendiculairement au plan (P) du substrat (SB) ; et un résonateur opto-mécanique. De plus, le résonateur opto-mécanique comprend un élément mobile mécaniquement (EM) réalisé dans un matériau piézoélectrique et agencé sur l'élément support (ES), le matériau piézoélectrique étant choisi de sorte que le champ électrique créé par l'élément conducteur (EC) lorsque ce dernier est soumis à un potentiel électrique entraîne un déplacement dudit élément mobile (EM) ; un résonateur optique (RO) couplé à l'élément mobile (EM). Enfin, l'élément conducteur (EC) est situé au-dessus ou au-dessous dudit élément mobile (EM), à une distance non nulle dudit élément mobile (EM), ledit élément conducteur (EC) et ledit élément mobile (EM) ayant une surface en regard l'une de l'autre.