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1.发明公开COMPOSITIONS AND METHODS FOR SELECTIVELY ETCHING TITANIUM NITRIDE 审中-公开ZUSAMMENSETZUNGEN UND VERFAHREN ZUM SELEKTIVENÄTZENVON TITANNITRID
公开(公告)号：EP3039098A4
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：EP14840279
申请日：2014-08-28
申请人： ENTEGRIS INC , ATMI TAIWAN CO LTD
发明人： COOPER EMANUEL I , CHEN LI-MIN , LIPPY STEVEN , HSU CHIA-JUNG , TU SHENG-HUNG , WANG CHIEH JU
IPC分类号： C09K13/00 , C09K13/06 , H01L21/311 , H01L21/3213
CPC分类号： C09K13/00 , C09K13/06 , H01L21/31111 , H01L21/32134
摘要： Compositions useful for the selective removal of titanium nitride and/or photoresist etch residue materials relative to insulating materials from a microelectronic device having same thereon. The removal compositions contain at least one oxidant, one etchant, and one activator to enhance the etch rate of titanium nitride.
摘要翻译： 可用于相对于其上具有相同材料的微电子器件相对于绝缘材料选择性去除氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余材料的组合物。 除去组合物含有至少一种氧化剂，一种蚀刻剂和一种活化剂以增强氮化钛的蚀刻速率。
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2.发明公开AQUEOUS FORMULATIONS FOR REMOVING METAL HARD MASK AND POST-ETCH RESIDUE WITH Cu/W COMPATIBILITY 审中-公开水性配方的金属去除HART口罩和废弃物的后CU / W兼容性蚀刻
公开(公告)号：EP3027709A4
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：EP14832434
申请日：2014-07-31
申请人： ENTEGRIS INC
发明人： CHEN LI-MIN , LIPPY STEVEN , WHITE DANIELA , COOPER EMANUEL I
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/02 , H01L21/311
CPC分类号： B81C1/00539 , C09K13/08 , C09K13/10 , G03F7/405 , H01L21/02063 , H01L21/31144 , H01L21/32134
摘要： Compositions useful for the selective removal of titanium nitride and/or photoresist etch residue materials relative to metal conducting, e.g., tungsten, and insulating materials from a microelectronic device having same thereon. The removal compositions are low pH and contain at least one oxidizing agent and at least one etchant as well as corrosion inhibitors to minimize metal erosion and passivating agents to protect dielectric materials.
摘要翻译： 组合物用于从其上具有相同的微电子器件中选择性地除去氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残留物的材料相对于金属导电，E. G.，钨，和绝缘材料是有用的。 的除去组合物是低pH值和含有至少一种氧化剂和至少一种蚀刻剂以及腐蚀抑制剂，以尽量减少金属腐蚀和负债婷剂，以保护介电材料。
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公开(公告)号：EP2847364A4
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：EP13787810
申请日：2013-05-10
申请人： ENTEGRIS INC
发明人： CHEN TIANNIU , BILODEAU STEVEN M , COOPER EMANUEL I , CHEN LI-MIN , BARNES JEFFREY A , BISCOTTO MARK , BOGGS KARL E , RAJARAM REKHA
IPC分类号： C23F1/08 , H01L21/302
CPC分类号： H01L21/32134 , C23F1/28 , C23F1/30 , C23F1/44 , H01L21/02068 , H01L21/28518
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公开(公告)号：EP2814895A4
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：EP13749640
申请日：2013-02-15
申请人： ENTEGRIS INC
发明人： LIU JUN , BARNES JEFFREY A , COOPER EMANUEL I , SUN LAISHENG , THOMAS ELIZABETH , CHANG JASON
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02074 , C11D3/044 , C11D3/3409 , C11D3/39 , C11D3/3942 , C11D7/06 , C11D11/0047
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5.发明公开USE OF NON-OXIDIZING STRONG ACIDS FOR THE REMOVAL OF ION-IMPLANTED RESIST 审中-公开VERWENDUNG NICHT-OXIDIERENDER STARKERSÄURENZUR ENTFERNUNG VON IONENIMPLANTIERTENWIDERSTÄNDEN
公开(公告)号：EP3084809A4
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：EP14873036
申请日：2014-12-19
申请人： ENTEGRIS INC , ATMI KOREA CO LTD
发明人： BILODEAU STEVEN , COOPER EMANUEL I , LEE JAESEOK , KIM WONLAE , BARNES JEFFREY A
IPC分类号： H01L21/311 , G03F7/42
CPC分类号： H01L21/31133 , G03F7/423 , H01L21/02057 , H01L21/0273
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6.发明公开COMPOSITIONS AND METHODS FOR SELECTIVELY ETCHING TITANIUM NITRIDE 审中-公开ZUSAMMENSETZUNGEN UND VERFAHREN ZUM SELEKTIVENÄTZENVON TITANNITRID
公开(公告)号：EP3004287A4
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：EP14807521
申请日：2014-06-06
申请人： ENTEGRIS INC
发明人： CHEN LI-MIN , LIPPY STEVEN , COOPER EMANUEL I , SONG LINGYAN
IPC分类号： C09K13/00 , C11D3/00 , C11D3/39 , C11D3/395 , C11D11/00 , C23G1/20 , G03F7/42 , H01L21/02 , H01L21/3213
CPC分类号： C09K13/02 , C09K13/00 , C11D3/0073 , C11D3/044 , C11D3/30 , C11D3/3942 , C11D3/3947 , C11D3/3956 , C11D7/06 , C11D11/0047 , C23G1/20 , G03F7/423 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/31144 , H01L21/32134
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7.发明公开COMPOSITION AND PROCESS FOR STRIPPING PHOTORESIST FROM A SURFACE INCLUDING TITANIUM NITRIDE 审中-公开组合物和方法用于表面的除漆合影氮化钛
公开(公告)号：EP2850495A4
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：EP13791286
申请日：2013-05-17
申请人： ENTEGRIS INC
发明人： COOPER EMANUEL I , CONNER MARC , OWENS MICHAEL
IPC分类号： G03F7/42 , B08B3/00 , C11D3/04 , C11D3/36 , G03F7/32 , H01L21/027 , H01L21/311
CPC分类号： G03F7/423 , C11D3/042 , C11D3/364 , H01L21/31133
摘要： A method and low pH compositions for removing bulk and/or hardened photoresist material from microelectronic devices have been developed. The low pH compositions include sulfuric acid and at least one phosphorus-containing acid. The low pH compositions effectively remove the hardened photoresist material while not damaging the underlying silicon-containing layer(s) or the metal gate materials.
摘要翻译： 一种用于去除从微电子器件的体积和/或硬化的光致抗蚀剂材料的方法，和低pH值的组合物已被开发。 低pH值的组合物包括硫酸和至少一种含磷的酸。 同时不损坏下面的含硅层（一个或多个）或金属栅极材料的低pH值的组合物有效地除去硬化的光刻胶材料。
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公开(公告)号：EP2798669A4
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：EP12863340
申请日：2012-12-27
申请人： ENTEGRIS INC
发明人： BARNES JEFFREY A , COOPER EMANUEL I , CHEN LI-MIN , LIPPY STEVEN , RAJARAM REKHA , TU SHENG-HUNG
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/311
CPC分类号： C09K13/10 , C09K13/00 , C09K13/06 , C09K13/08 , C11D7/02 , C11D7/08 , C11D7/3209 , C11D11/0047 , C23F1/02 , C23F1/30 , C23F1/40 , H01L21/02063 , H01L21/31144 , H01L21/32134
摘要： Compositions useful for the selective removal of titanium nitride and/or photoresist etch residue materials relative to metal conducting, e.g., tungsten, and insulating materials from a microelectronic device having same thereon. The removal compositions contain at least one oxidant and one etchant, may contain various corrosion inhibitors to ensure selectivity.
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