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公开(公告)号：EP2037549A3
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：EP08013780.5
申请日：2008-07-31
发明人： Lindberg, Hans , Illek, Stefan
CPC分类号： H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/1071 , H01S5/1085 , H01S5/183 , H01S5/4025 , H01S5/4056
摘要： Es ist eine Halbleiterlaservorrichtung (5) mit mindestens einem Halbleiterlaserchip (7) vorgesehen, wobei der Halbleiterlaserchip (7) eine aktive Schicht enthält, die elektromagnetische Strahlung emittiert. Zur Ausbildung eines Resonators (10) für die von der aktiven Schicht emittierte Strahlung ist mindestens ein Winkelreflektor (1) in dem Halbleiterlaserchip (7) ausgebildet. Der Winkelreflektor (1) weist eine erste und eine zweite reflektierende Oberfläche (14,15) auf, wobei die erste und die zweite reflektierende Oberfläche (14,15) zueinander in einem Winkel kleiner als 90 Grad angeordnet sind. Dadurch ergibt sich eine verbesserte Abstrahlcharakteristik der von der Halbleiterlaservorrichtung (5) emittierten Strahlung. Ein VCSEL (8) wird dabei von dem kantenemittierenenden Halbleiterlaser (7) optisch gepumpt, wobei das Pumpen durch den Resonator (10) effizienter gestaltet wird.
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2.发明公开Lichtemittierender Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung 有权Lichtemittierender Halbleiterchip和Verfahren zu dessen Herstellung
公开(公告)号：EP2267800A2
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：EP10183569.2
申请日：2001-08-08
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/10 , H01L33/30 , H01L33/405 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Halbleiterchip, insbesondere strahlungsemittierender Halbleiterchip, mit einer aktiven Dünnfilmschicht (2), in der eine Photonen emittierende Zone (3) ausgebildet ist und einem Trägersubstrat (1) für die Dünnfilmschicht (2), das an einer von der Abstrahlrichtung des Chips abgewandten Seite der Dünnfilmschicht (2) angeordnet und mit dieser verbunden ist. In der aktiven Dünnfilmschicht (2) ist vom Trägersubstrat (1) her mindestens eine Kavität (8) ausgebildet, durch die an der Grenze zwischen Trägersubstrat (1) und Dünnfilmschicht (2) eine Mehrzahl von Mesen (4) ausgebildet ist.
摘要翻译： 具有光发射区（3）的有源层（2）具有在其接合侧形成的载体层（1）。 在活性层中形成的凹部（8）具有从粘合侧随着凹部进入活性层的深度的增加而减小的截面面积。
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公开(公告)号：EP2037549A2
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：EP08013780.5
申请日：2008-07-31
发明人： Lindberg, Hans , Illek, Stefan
CPC分类号： H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/1071 , H01S5/1085 , H01S5/183 , H01S5/4025 , H01S5/4056
摘要： Es ist eine Halbleiterlaservorrichtung (5) mit mindestens einem Halbleiterlaserchip (7) vorgesehen, wobei der Halbleiterlaserchip (7) eine aktive Schicht enthält, die elektromagnetische Strahlung emittiert. Zur Ausbildung eines Resonators (10) für die von der aktiven Schicht emittierte Strahlung ist mindestens ein Winkelreflektor (1) in dem Halbleiterlaserchip (7) ausgebildet. Der Winkelreflektor (1) weist eine erste und eine zweite reflektierende Oberfläche (14,15) auf, wobei die erste und die zweite reflektierende Oberfläche (14,15) zueinander in einem Winkel kleiner als 90 Grad angeordnet sind. Dadurch ergibt sich eine verbesserte Abstrahlcharakteristik der von der Halbleiterlaservorrichtung (5) emittierten Strahlung. Ein VCSEL (8) wird dabei von dem kantenemittierenenden Halbleiterlaser (7) optisch gepumpt, wobei das Pumpen durch den Resonator (10) effizienter gestaltet wird.
摘要翻译： 该器件具有形成为泵浦辐射源和边缘发射极的半导体激光器芯片。 该芯片具有发射电磁辐射的有源层。 角形反射器（1）布置在芯片中，用于形成用于由层发射的辐射的谐振器（10）。 反射器具有以彼此成70度和90度之间的角度布置的两个反射表面（14,15）。 辐射作为入射辐射（3）在表面（14）处撞击，并从表面（14）反射到表面（15）。
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4.发明公开Trägerschicht für eine Halbleiterschichtenfolge und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips 审中-公开用于生产半导体芯片的半导体层序列和工艺载体层
公开(公告)号：EP1536466A2
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：EP04026487.1
申请日：2004-11-08
IPC分类号： H01L23/373
CPC分类号： H01L33/641 , H01L21/6835 , H01L23/15 , H01L23/3677 , H01L24/97 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2224/83048 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/10329 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/30105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Gegenstand der Erfindung ist eine Trägerschicht (1) für eine Halbleiterschichtenfolge, die eine elektrische Isolationsschicht (2) umfasst, die eine Keramik oder AlN enthält. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译： 用于半导体芯片的制造中的基材层（1）包括含陶瓷基或氮化铝（ALN） - 陶瓷材料的电绝缘（2）的层。
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公开(公告)号：EP1717854B1
公开(公告)日：2020-07-29
申请号：EP06004421.1
申请日：2006-03-03
发明人： Plössl, Andreas , Illek, Stefan , Grolier, Vincent
IPC分类号： H01L23/373 , H01L33/00 , H01L23/00 , H01L33/62
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6.发明公开
公开(公告)号：EP2091116A3
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：EP09151143.6
申请日：2009-01-22
发明人： Dachs, Jürgen , Illek, Stefan , Singer, Frank , Schwarz, Thomas , Schulz, Roland , Unold, Heiko
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterlasern (100) mit den folgenden Verfahrensschritten angegeben:
a) Bereitstellen einer Trägerscheibe (30),
b) Herstellen eines Verbunds (70) durch Aufbringen einer Vielzahl von Halbleiterlaserchips (4) auf eine Oberseite (31) der Trägerscheibe (30),
c) Vereinzeln des Verbundes (70) zu einer Vielzahl von Halbleiterlasern (100), wobei
- jeder Halbleiterlaser (100) einen Montageblock (3) und zumindest einen Halbleiterlaserchip (4) umfasst,
- jeder Montageblock (3) eine Montagefläche (13) aufweist, die im Wesentlichen senkrecht zu einer Oberseite (12) des Montageblocks (3) verläuft, auf welcher der Halbleiterlaserchip (4) angeordnet ist, und
- die Montagefläche (13) beim Vereinzeln des Verbunds erzeugt wird.-
7.发明公开Halbleiterchip mit einer Lötschichtenfolge und Verfahren zum Löten eines Halbleiterchips 审中-公开半导体芯片与焊料层序列和焊接的半导体芯片的方法
公开(公告)号：EP1717854A3
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：EP06004421.1
申请日：2006-03-03
发明人： Plössl, Andreas , Illek, Stefan , Grolier, Vincent
IPC分类号： H01L23/373 , H01L33/00
摘要： Bei einem Halbleiterchip (1), auf den eine zur Herstellung einer Lötverbindung vorgesehene Schichtenfolge (2) aufgebracht ist, wobei die Schichtenfolge (2) eine Lotschicht (15) und eine vom Halbleiterchip (1) aus gesehen der Lotschicht (15) nachfolgende Oxidationsschutzschicht (17) umfasst, ist zwischen der Lotschicht (15) und der Oxidationsschutzschicht (17) eine Barriereschicht (16) enthalten. Dadurch wird verhindert, dass ein Bestandteil der Lotschicht (15) vor dem Lötvorgang durch die Oxidationsschutzschicht (17) diffundiert und dort eine für die Herstellung einer Lötverbindung nachteilige Oxidation bewirkt.
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公开(公告)号：EP2267800A3
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：EP10183569.2
申请日：2001-08-08
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/10 , H01L33/30 , H01L33/405 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Halbleiterchip, insbesondere strahlungsemittierender Halbleiterchip, mit einer aktiven Dünnfilmschicht (2), in der eine Photonen emittierende Zone (3) ausgebildet ist und einem Trägersubstrat (1) für die Dünnfilmschicht (2), das an einer von der Abstrahlrichtung des Chips abgewandten Seite der Dünnfilmschicht (2) angeordnet und mit dieser verbunden ist. In der aktiven Dünnfilmschicht (2) ist vom Trägersubstrat (1) her mindestens eine Kavität (8) ausgebildet, durch die an der Grenze zwischen Trägersubstrat (1) und Dünnfilmschicht (2) eine Mehrzahl von Mesen (4) ausgebildet ist.
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公开(公告)号：EP2091116A2
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：EP09151143.6
申请日：2009-01-22
发明人： Dachs, Jürgen , Illek, Stefan , Singer, Frank , Schwarz, Thomas , Schulz, Roland , Unold, Heiko
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterlasern (100) mit den folgenden Verfahrensschritten angegeben:
a) Bereitstellen einer Trägerscheibe (30),
b) Herstellen eines Verbunds (70) durch Aufbringen einer Vielzahl von Halbleiterlaserchips (4) auf eine Oberseite (31) der Trägerscheibe (30),
c) Vereinzeln des Verbundes (70) zu einer Vielzahl von Halbleiterlasern (100), wobei
- jeder Halbleiterlaser (100) einen Montageblock (3) und zumindest einen Halbleiterlaserchip (4) umfasst,
- jeder Montageblock (3) eine Montagefläche (13) aufweist, die im Wesentlichen senkrecht zu einer Oberseite (12) des Montageblocks (3) verläuft, auf welcher der Halbleiterlaserchip (4) angeordnet ist, und
- die Montagefläche (13) beim Vereinzeln des Verbunds erzeugt wird.摘要翻译： 该方法包括制备由陶瓷材料制成的支撑盘，并且通过在支撑盘的上表面上的一组半导体激光芯片（4）产生晶片互连（40）。 互连由一组半导体激光器（100）隔离，半导体激光器（100）包括具有垂直于安装块的上表面（12）延伸的安装表面的安装块（3）。 其中一个芯片布置在安装块的上表面上，其中在隔离互连期间制造安装表面。 对于包括安装块的半导体激光器还包括独立权利要求。
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10.发明公开Halbleiterchip mit einer Lötschichtenfolge und Verfahren zum Löten eines Halbleiterchips 审中-公开Halbleiterchip mit einerLötschichtenfolgeund Verfahren zumLöteneines Halbleiterchips
公开(公告)号：EP1717854A2
公开(公告)日：2006-11-02
申请号：EP06004421.1
申请日：2006-03-03
发明人： Plössl, Andreas , Illek, Stefan , Grolier, Vincent
IPC分类号： H01L23/373 , H01L33/00
摘要： Bei einem Halbleiterchip (1), auf den eine zur Herstellung einer Lötverbindung vorgesehene Schichtenfolge (2) aufgebracht ist, wobei die Schichtenfolge (2) eine Lotschicht (15) und eine vom Halbleiterchip (1) aus gesehen der Lotschicht (15) nachfolgende Oxidationsschutzschicht (17) umfasst, ist zwischen der Lotschicht (15) und der Oxidationsschutzschicht (17) eine Barriereschicht (16) enthalten. Dadurch wird verhindert, dass ein Bestandteil der Lotschicht (15) vor dem Lötvorgang durch die Oxidationsschutzschicht (17) diffundiert und dort eine für die Herstellung einer Lötverbindung nachteilige Oxidation bewirkt.
摘要翻译： 该芯片具有一系列用于建立焊接连接的层。 所述一系列层包括与所述焊料层相邻并从所述半导体芯片的外部观察的焊料层（15）和氧化保护层。 阻挡层保持在焊料层和氧化保护层之间。 另外的阻挡层设置在润湿层和焊料层之间。 还包括用于在载体和半导体芯片之间形成焊料连接的方法的独立权利要求。
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