公开(公告)号：EP3210956A1

公开(公告)日：2017-08-30

申请号：EP16157497.5

申请日：2016-02-26

申请人： Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG

发明人： HERBST, Dr. Kai ,  MUSCHELKNAUTZ, Dr. Christian

IPC分类号： C04B37/02 ,  C04B35/111 ,  H01L23/373 ,  H01L23/15

CPC分类号： C04B37/021 ,  C04B35/111 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/32 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/54 ,  C04B2237/60 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3735

摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft einen Kupfer-Keramik-Verbund, umfassend
- ein Keramiksubstrat,
- eine auf dem Keramiksubstrat vorliegende Beschichtung aus Kupfer oder einer Kupferlegierung,
wobei das Kupfer oder die Kupferlegierung Korngrößen im Bereich von 10 µm bis 300 µm aufweist.

摘要翻译： 本发明涉及一种铜 - 陶瓷复合物，包括： - 陶瓷衬底， - 在铜或铜合金的陶瓷基板涂层的本，其特征在于具有在10微米至300微米的范围内的晶粒尺寸的铜或铜合金。

公开(公告)号：EP2683675A2

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：EP12757872.2

申请日：2012-03-09

申请人： Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc.

发明人： CITTI, Olivier ,  KAZMIERCZAK, Andrea

IPC分类号： C04B35/101 ,  C04B35/495 ,  C03C3/097 ,  C03C3/083 ,  C03B17/06

CPC分类号： C03B17/064 ,  C04B35/1015 ,  C04B35/111 ,  C04B35/62665 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6023 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/783 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/95 ,  Y02P40/57

摘要： A refractory object can include at least 10 wt % Al2O3. In an embodiment, the refractory object can further include a dopant including an oxide of a rare earth element, Ta, Nb, Hf, or any combination thereof. In another embodiment, the refractory object may have a property such that the averaged grain size does not increase more than 500% during sintering, an aspect ratio less than approximately 4.0, a creep rate less than approximately 1.0×10−5 μm/(μm×hr), or any combination thereof. In a particular embodiment, the refractory object can be in the form of a refractory block or a glass overflow forming block. The glass overflow forming block can be useful in forming an Al—Si—Mg glass sheet. In a particular embodiment, a layer including Mg—Al oxide can initially form along exposed surfaces of the glass overflow forming block when forming the Al—Si—Mg glass sheet.

公开(公告)号：EP2298715A4

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：EP09794307

申请日：2009-06-23

申请人： JX NIPPON MINING & METALS CORP

发明人： SATOH KAZUYUKI ,  KOIDO YOSHIMASA

IPC分类号： C04B35/50 ,  C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/462 ,  C04B35/486 ,  C04B35/49 ,  C04B35/50 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/9669 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/517

公开(公告)号：EP2079118A2

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：EP09250008.1

申请日：2009-01-05

申请人： NGK INSULATORS, LTD.

发明人： Kaigawa, Kazuyuki ,  Yamaguchi, Hirofumi

IPC分类号： H01L41/187 ,  H01L41/24

CPC分类号： H01L41/1873 ,  C04B35/495 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62645 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/786 ,  H01L41/43

摘要： The present inventive (Li, Na, K)(Nb, Ta, Sb)O 3 based piezoelectric material has a sintered body having a surface microstructure comprises microscopic grains having a grain diameter of less than 5 µm, intermediate grains having a grain diameter of 5 µm or more and less than 15 µm, and coarse grains having a grain diameter of 15 µm or more and 50 µm or less, wherein the amount of coarse grains is 3% or more in a share of grains in terms of area. The present piezoelectric material can be manufactured by mixing metal-containing compounds so as to give the above-mentioned formulation, calcining the mixture and then crushing the resultant to obtain a calcined/crushed powder, then keeping temperature constantly at a temperature within a range from 800 to 950°C for a predetermined period of time in a constant temperature keeping process, and raising temperature to firing temperature for sintering.

摘要翻译： 本发明的（Li，Na，K）（Nb，Ta，Sb）O 3系压电材料具有具有表面微观结构的烧结体，其包含粒径小于5μm的微细晶粒， 5μm以上且小于15μm的粒子，粒径为15μm以上且50μm以下的粗晶粒，其中，粗粒的面积的面积份额为3％以上。 本发明的压电材料可以通过混合含金属的化合物来制造，以得到上述配方，煅烧混合物，然后粉碎所得物，得到煅烧/粉碎的粉末，然后将温度恒定在从 在恒温保持工序中800〜950℃保持规定时间，升温至烧结烧成温度。

公开(公告)号：EP1838645A2

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：EP05854775.3

申请日：2005-12-20

申请人： GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION

发明人： BAO, Zhihao ,  SPEYER, Robert F. ,  CHO, Namtae

IPC分类号： C04B35/563

CPC分类号： C04B35/563 ,  C04B35/62805 ,  C04B35/64 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5252 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/784 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9615

摘要： A method for pressureless sintering of B4C without sintering agents which reduces sintering time without sacrificing relative density, and avoids decomposition of B4C and loss of relative density.

公开(公告)号：EP1829842A1

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：EP05814135.9

申请日：2005-12-06

申请人： MURATA MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： OKAMATSU, Toshihiro, MURATA MANUFACTURING CO. LTD. ,  HIRAMATSU, Takashi, MURATA MANUFACTURING CO. LTD. ,  SANO, Harunobu, MURATA MANUFACTURING CO., LTD.

IPC分类号： C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC分类号： C04B35/4682 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/49 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/405 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1227

摘要： A dielectric ceramic is provided having a high relative dielectric constant, and in the case in which it is used for a multilayer ceramic capacitor (1), even when the thickness of a dielectric ceramic layer (3) is decreased, high insulating properties and superior reliability can be obtained.
The dielectric ceramic has a composition represented by 100(Ba 1-w-x-m Ca w Sr x Gd m ) k (Ti 1-y-z-n Zr y Hf z Mg n ) 0 3+a + pMnO 2 + qSiO 2 + rCuO, and is used for forming the dielectric ceramic layer (3) of a multilayer ceramic capacitor 1. However, 0.995≤k≤1.010, 0≤w

摘要翻译： 提供具有高相对介电常数的电介质陶瓷，并且在用于多层陶瓷电容器（1）的情况下，即使当电介质陶瓷层（3）的厚度减小时，绝缘性能也优异 可以获得可靠性。 电介质陶瓷具有由100（Ba 1-w x m Ca w Sr x Gd m）k（Ti 1-y z n Zr y Hf z Mg n）O 3 + a + pMnO 2 + qSiO 2 + rCuO表示的组成，并且被使用 用于形成多层陶瓷电容器1的介电陶瓷层（3）。然而，0.995‰k‰1.010,0‰w <0.04,0‰x‰0.04,0‰y‰0.10,0‰z‰0.05,0.015‰ ‰0.035,0.015‰‰0.035,0.01‰p‰1.0，0.5‰q‰2.5和0.01‰‰5.0。 另外，a是相对于3的偏差而选择的值，使得主要部件是电中性的。

公开(公告)号：EP1612816B1

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：EP05013898.1

申请日：2005-06-28

申请人： TDK Corporation

发明人： Ito, Kazushige ,  Sato, Akira

IPC分类号： H01G4/12 ,  C04B35/468

CPC分类号： C04B35/4682 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/785 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706

公开(公告)号：EP3202748A1

公开(公告)日：2017-08-09

申请号：EP17155005.6

申请日：2017-02-07

申请人： TDK Corporation

发明人： ITOH, Kazuhiko ,  SHIMURA, Yoshikazu ,  FUJITA, Kazutaka ,  MORIKOSHI, Hiroki ,  TERADA, Tomohiro

IPC分类号： C04B35/468 ,  H01L41/187 ,  H01C7/02

CPC分类号： C04B35/4682 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/784 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  H01C7/025 ,  H01L41/1871

摘要： A semiconductor ceramic composition which is a BaTiO 3 based semiconductor ceramic composition, wherein, part of Ba is replaced by at least A (at least one alkali metal element selected from Na and K), Bi and RE (at least one element selected from rare earth elements including Y), and part of Ti is replaced by at least TM (at least one element selected from the group including of V, Nb and Ta), the relationships of 0.7≤ {(the content of Bi) / (the content of A)}≤1.43, 0.017≤{(the content of Bi) + (the content of A)}≤0.25, and 0

摘要翻译： 一种半导体陶瓷组合物，它是一种BaTiO3基半导体陶瓷组合物，其中部分Ba被至少一种A（选自Na和K中的至少一种碱金属元素），Bi和RE（至少一种选自稀土 元素包括Y），并且部分Ti被至少TM（选自V，Nb和Ta中的至少一种元素）代替，0.7≤{（Bi含量）/（ A）}≤1.43,0.017≤{（Bi含量）+（A含量）}≤0.25时，满足0 <{（RE含量）+（TM含量）}≤0.01 Ti和TM的总含量设定为1mol，晶粒尺寸在1.1μm至4.0μm或更小的范围内具有最大的粒度分布峰值，并且峰值的分布频率为20％或更高。

公开(公告)号：EP2298712B1

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：EP09794308.8

申请日：2009-06-23

申请人： JX Nippon Mining & Metals Corporation

发明人： SATOH Kazuyuki ,  KOIDO Yoshimasa

IPC分类号： C04B35/00 ,  C04B35/50 ,  C23C14/34

CPC分类号： C23C14/08 ,  C04B35/486 ,  C04B35/50 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/724 ,  C04B2235/726 ,  C04B2235/727 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/9684 ,  C04B2235/9692 ,  C23C14/3414

公开(公告)号：EP2623479A1

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：EP11829212.7

申请日：2011-09-28

申请人： Kyocera Corporation

发明人： SHIKATA,Kunihide ,  KUSANO,Kazuhide

IPC分类号： C04B35/111 ,  G02B5/08 ,  H01L33/48

CPC分类号： C04B35/111 ,  C04B35/46 ,  C04B35/486 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9646 ,  G02B5/0242 ,  G02B5/0247 ,  G02B5/0284 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H05B33/02 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/10106 ,  Y10T428/268 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： There is provided a ceramics substrate for mounting a light-emitting element having high thermal conductivity which can achieve high reflectance and which can enhance heat dissipation performance to extend the lifetime of a light-emitting element. A ceramics substrate for mounting a light-emitting element includes a ceramic sintered body, the ceramic sintered body having a mounting section on which a light-emitting element is mounted, in a surface portion on a mounting section side of the ceramic sintered body, a ratio of crystal grains having a crystal grain size of 0.2 µm to 1.0 µm in equivalent circle diameter being in a range of 45% to 80%, a ratio of crystal gains having a crystal grain size of 2.0 µm to 6.0 µm in equivalent circle diameter being in a range of 5% to 15%, and a ratio of crystal grains having a crystal grain size of more than 6.0 µm in equivalent circle diameter being 2.7% or less. Therefore, the reflectance of the ceramics substrate for mounting a light-emitting element (1) can be improved, and a ceramics substrate for mounting a light-emitting element with high thermal conductivity can be produced.

摘要翻译： 提供了一种用于安装在具有高导热性可同时实现高反射率并且能够提高散热性能，延长的发光元件的寿命的发光元件提供一个陶瓷基片。 用于安装发光元件A陶瓷基板包括陶瓷烧结体，其具有在其上的发光元件安装在一个表面部分在陶瓷烧结体的安装部侧的安装部的陶瓷烧结体，一 具有0.2微米的晶粒尺寸为1.0微米的当量圆直径的范围为45％至80％，具有2.0微米的晶粒尺寸为在圆当量直径6.0微米晶体增益的比率的晶粒的比率 在范围为5％至15％，和具有大于6.0微米的当量圆直径为2.7％或更小的结晶粒径的晶粒的比率是。 因此，用于安装发光元件（1）的陶瓷基板的反射率可以得到改善，以及用于安装具有高导热性的发光元件的陶瓷基片可以制造。