公开(公告)号：EP3140860A1

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：EP15719392.1

申请日：2015-04-17

申请人： Qualcomm Incorporated

发明人： GU, Shiqun ,  RADOJCIC, Ratibor ,  KIM, Dong Wook ,  LEE, Jae Sik

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H05K3/46 ,  H01L21/56 ,  H01L23/14 ,  H01L25/065 ,  H01L25/10 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/145 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/171 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/81896 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1533 ,  H01L2924/18161 ,  H05K3/4688 ,  H01L2924/014

摘要： An integrated device (e.g., integrated package) that includes a base portion for the integrated device, a first die (206) (e.g., first wafer level die), and a second die (208) (e.g., second wafer level die). The base portion includes a first inorganic dielectric layer (203), a first set of interconnects (280) located in the first inorganic dielectric layer, a second dielectric layer (202) different from the first inorganic dielectric layer, and a set of redistribution metal layers (230,240,250,260) in the second dielectric layer. The first die is coupled to a first surface of the base portion. The second die is coupled to the first surface of the base portion, the second die is electrically coupled to the first die through the first set of interconnects (280).

摘要翻译： 一些新颖的特征涉及在集成的装置（例如，集成的封装）那样包括用于集成装置，第一对（例如，第一晶片级模）的基部，和一个第二即（E. G.，第二晶片级模）。 基座部分包括第一无机介电层，第一组位于所述第一无机介电层中的互连，第二介电层从所述第一无机介电层不同，并且所述第二介电层中的一组再分布金属层。 第一个是连接到所述底座部分的第一表面上。 第二，其耦合到所述底座部分的第一表面，第二个是电通过所述第一组互连耦合到所述第一。