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公开(公告)号：EP4461109A1
公开(公告)日：2024-11-13
申请号：EP23737536.5
申请日：2023-01-04
申请人： Enphase Energy, Inc.
发明人： HARRISON, Michael J.
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公开(公告)号：EP4362648A1
公开(公告)日：2024-05-01
申请号：EP23190998.7
申请日：2023-08-11
发明人： FURUTA, Hironori , ISHIKAWA, Takuma , SHINOHARA, Yuuki , SUZUKI, Takahito , TANIGAWA, Kenichi , KITAJIMA, Yutaka
IPC分类号： H10N30/071 , H10N30/072 , H10N39/00 , H01L33/00 , H01L21/78
CPC分类号： H10N30/072 , H10N39/00 , H10N30/071 , H01L33/0093 , H01L2221/6836820130101 , H01L21/7806 , H01L2221/6831820130101 , H01L2221/6835420130101 , H01L21/6835
摘要： A manufacturing method of an electronic device includes a process of forming a support layer (15) that is provided to extend from a first surface (14f) of a functional layer (14) formed on a first substrate (10) via a first layer (11), as a surface on a side opposite to the first substrate (10), to the first substrate (10) and supports the functional layer (14) with respect to the first substrate (10), a process of forming a thin film holding layer (16) on at least one of the support layer (15) and the first surface (14f) of the functional layer (14), a process of removing the first layer (11), a process of joining a transfer member (18) to a surface of the thin film holding layer (16) on a side opposite to the functional layer (14), a process of separating the functional layer (14), the support layer (15) and the thin film holding layer (16) from the first substrate (10), a process of transferring the functional layer (14), the support layer (15) and the thin film holding layer (16) to a different second substrate (20), and a process of removing the thin film holding layer (16).
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公开(公告)号：EP4202931A1
公开(公告)日：2023-06-28
申请号：EP23151392.0
申请日：2020-05-14
发明人： WANG, Hui-Lin , HSU, Po-Kai , WENG, Chen-Yi , JHANG, Jing-Yin , WANG, Yu-Ping , CHEN, Hung-Yueh
摘要： A method for fabricating semiconductor device includes the steps of: forming a substrate having a magnetic tunneling junction (MTJ) region and a logic region; forming a MTJ on the MTJ region; forming a top electrode on the MTJ; forming an inter-metal dielectric (IMD) layer around the MTJ; removing the IMD layer directly on the top electrode to form a recess; forming a first hard mask on the IMD layer and into the recess; removing the first hard mask and the IMD layer on the logic region to form a contact hole; and forming a metal layer in the recess and the contact hole to form a connecting structure on the top electrode and a metal interconnection on the logic region.
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公开(公告)号：EP2946416B1
公开(公告)日：2024-09-25
申请号：EP14749312.6
申请日：2014-01-30
CPC分类号： B06B1/0622 , B25J9/104 , B25J15/0009 , B06B1/0292 , Y10S901/29 , H10N39/00 , H10N30/2048
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公开(公告)号：EP4432546A1
公开(公告)日：2024-09-18
申请号：EP23315053.1
申请日：2023-03-17
申请人： CAIRDAC
发明人： Regnier, Willy , Nguyen-Dinh, An
IPC分类号： H02N2/18 , H10N30/30 , H10N30/071 , H10N39/00 , A61N1/378
CPC分类号： H02N2/186 , H10N30/306 , H10N30/071 , H10N39/00 , A61N1/3785
摘要： Un récupérateur d'énergie piézoélectrique comprend un ensemble pendulaire avec une lame (22) élastiquement déformable en flexion, une monture (24) couplée avec encastrement à une extrémité proximale de la lame, et une masse inertielle (26) montée à une extrémité distale, libre, de la lame. La lame comprend un structure sandwich flexible comportant une âme centrale (50), une couche piézoélectrique (46, 48) sur au moins l'une des faces de l'âme centrale, et au moins une électrode de surface (52, 54). L'âme centrale (50) de la structure sandwich flexible est réalisée en un matériau semi-conducteur apte à former un substrat de circuit intégré, de préférence en Si. Le substrat en matériau semi-conducteur comporte des structures intégrées monolithiques (42, 44, 46, 56, 58), et l'agencement, sur l'étendue du substrat, de ces structures intégrées forme en direction longitudinale une pluralité de zones successives (L1, L2, L3) ayant des coefficients de raideur en flexion (σ) différents d'une zone à l'autre.
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公开(公告)号：EP4310332A1
公开(公告)日：2024-01-24
申请号：EP23186779.7
申请日：2023-07-20
发明人： BARTSCH, Stefan
IPC分类号： F04B43/12 , F04B43/08 , F04B43/09 , A61M5/142 , A61M60/279 , H02N2/02 , H10N30/20 , H10N39/00
摘要： Offenbart ist eine Verdrängereinheit für eine medizinische Schlauchpumpe, mit linearbeweglichen Verdrängern, die von einer Antriebseinrichtung der Verdrängereinheit quer zu einer Förderrichtung gegen einen Schlauch betätigbar sind.
Offenbart ist zudem eine medizinische Schlauchpumpe mit einer derartigen Verdrängereinheit.-
公开(公告)号：EP3319133B1
公开(公告)日：2023-09-20
申请号：EP16813778.4
申请日：2016-05-20
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