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公开(公告)号：JP2017167554A
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：JP2017093681
申请日：2017-05-10
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
CPC classification number: G02F1/167 , G02B26/026 , G02F1/133305 , G02F1/1368 , G09F9/372 , G09G3/344 , H01L51/0097 , H01L51/0545 , G02F2001/1672 , G02F2001/1676 , G02F2001/1678 , G02F2201/123
Abstract: 【課題】生産性に優れた表示装置を提供する。 【解決手段】開口部を有する絶縁体層と、開口部内に設けられ、チャネル部を形成する半 導体層と、半導体層とゲート絶縁膜を間に介して重なるゲート電極と、半導体層と電気的 に接続するソース電極及びドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタと、薄膜トランジ スタと電気的に接続する第1の電極と、第1の電極と対向する第2の電極と、第1の電極 及び第2の電極の間に設けられたマイクロカプセルを含む層と、を有する電気泳動表示装 置である。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2017126763A
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：JP2017032163
申请日：2017-02-23
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor： 荒井 康行
IPC: H01L27/108 , H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/06 , G11C11/405 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/108 , H01L27/10832 , H01L27/10835 , H01L27/1156 , H01L29/42392 , H01L29/66742 , H01L29/78696
Abstract: 【課題】集積度の高い半導体記憶装置を提供すること。または、電力が供給されない状況 でも記憶内容の保持が可能な半導体記憶装置を提供すること。または、書き込み可能な回 数が多い半導体記憶装置を提供すること。 【解決手段】メモリセルを二つのトランジスタと一つのキャパシタで構成し、これらのト ランジスタとキャパシタを立体的に配置することでメモリセルアレイの集積度を高める。 メモリセルに設けられるキャパシタの電荷量を制御するトランジスタをシリコンよりもバ ンドギャップの広いワイドギャップ半導体で形成しオフ電流を低減することによりキャパ シタに蓄積された電荷が漏出しないようにする。それにより電力が供給されない状況でも 記憶内容の保持が可能な半導体記憶装置を提供する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2017108175A
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：JP2017043381
申请日：2017-03-08
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置 を提供することを目的の一とする。 【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と 、酸化物半導体層と重なるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられ たゲート絶縁層と、酸化物半導体層に接して設けられた絶縁層と、を有し、酸化物半導体 層は、該酸化物半導体層の端面において、ソース電極またはドレイン電極と接し、且つ該 酸化物半導体層の上面において、絶縁層を介して、ソース電極またはドレイン電極と重な る半導体装置である。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6127168B2
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：JP2016020531
申请日：2016-02-05
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , G02F1/1368 , G02F1/1343 , G02F1/1345
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公开(公告)号：JP6116603B2
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：JP2015029480
申请日：2015-02-18
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
CPC classification number: H01L51/504 , H01L33/62 , H01L51/52 , H01L51/5203 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/5225 , F21L4/005 , F21S41/14 , F21S6/00 , F21S8/033 , F21S8/04 , F21S8/08 , F21W2131/103 , F21Y2105/00 , F21Y2115/10 , F21Y2115/15 , H01L2251/5361 , H01L2924/0002 , H01L51/5036
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2017049592A
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：JP2016196942
申请日：2016-10-05
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G02F1/1343 , H01L29/786 , H01L21/336 , H05B33/28 , H01L51/50 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/133553 , G02F1/134336 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02686 , H01L21/3003 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/1285 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L27/326 , H01L27/3265 , H01L27/3276 , H01L27/3279 , H01L29/66537 , H01L29/78621 , H01L29/78678 , H01L29/78684 , H01L29/78696 , G02F2001/133302 , G02F2001/136295 , G02F2201/123 , H01L27/3262 , H01L29/78633
Abstract: 【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供する。 【解決手段】絶縁表面上のゲート電極751及びソース配線753と、ゲート電極751及びソース配線753 上の第1の絶縁膜754と、第1の絶縁膜754上の半導体膜755と、半導体膜755上の第2の絶縁膜759と、第2の絶縁膜759上のゲート配線772と接続するゲート電極752と、ソース配線753と半導体膜755とを接続する接続電極761と、半導体膜756と接続する画素電極766とを有する。 【選択図】図13
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公开(公告)号：JP2017037312A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2016171570
申请日：2016-09-02
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/8236 , H01L27/088 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02 , G09F9/00 , G09F9/30
Abstract: 【課題】より良好な電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供すること を目的とする。 【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層上の導電性を有する第1の領域と、第1 の領域上のソース電極と、酸化物半導体層上の導電性を有する第2の領域と、第2の領域 上のドレイン電極と、酸化物半導体層上のゲート電極とを有し、ゲート電極は、第1の領 域と重なる領域を有し、ゲート電極は、第2の領域と重なる領域を有する半導体装置であ る。 【選択図】図3
Abstract translation: 并提供一种半导体器件，包括具有更好的电特性A.氧化物半导体 和A氧化物半导体层，所述氧化物半导体层上的具有第一区域的导电性，具有在第一区域上的源极电极的第二区域，导电的氧化物半导体层上 具有在第二区域上的漏电极，和氧化物半导体层上的栅电极时，栅电极具有与所述第一区域重叠的区域中，栅电极与所述第二区域重叠 具有区的半导体器件。 点域
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公开(公告)号：JP6030182B2
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：JP2015079667
申请日：2015-04-09
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor： 荒井 康行
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/477 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L29/417 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02581 , H01L21/02631
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公开(公告)号：JP2016192419A
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：JP2016159799
申请日：2016-08-17
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
CPC classification number: H01L51/504 , H01L27/3237 , H01L51/5203 , H01L51/5212 , H01L51/5253 , H01L51/5262 , G02F1/133604 , H01L2251/5338 , H01L2251/5361 , H01L33/382 , H01L51/5036 , H01L51/5088 , H01L51/524 , H01L51/5278
Abstract: 【課題】第1の電極と第2の電極に挟まれた発光物質を含む層を有する照明装置において 、第1の電極と第2の電極との接触を防止することを目的とする。 【解決手段】第1の電極が発光物質を含む層と重なる第1の領域と発光物質を含む層と重 ならない第2の領域とを有し、第2の電極が発光物質を含む層と重なる第3の領域と発光 物質を含む層と重ならない第4の領域とを有する構成とし、第2の領域を第4の領域と重 ならない位置に設け、第1の領域の縁及び第3の領域の縁を発光物質を含む層よりも内側 になるように配置する。 【選択図】図13
Abstract translation: 要解决的问题：为了防止第一电极和第二电极在包括保持在第一电极和第二电极之间的包含发光材料的层的照明装置中接触。解决方案：第一电极包括第一区域， 与含有发光材料的层重叠，并且与不含有发光材料的层重叠的第二区域。 第二电极包括与包含发光材料的层重叠的第三区域和不与含有发光材料的层重叠的第四区域。 第二区域设置在与第四区域不重叠的位置处，并且第一区域的边缘和第三区域的边缘设置在包含发光材料的层的内部。选择的图示：图13
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公开(公告)号：JP6002814B2
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：JP2015116889
申请日：2015-06-09
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/06 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L21/20 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , G02F1/13454 , H01L2029/7863
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