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公开(公告)号：JP4482659B2
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：JP2004113178
申请日：2004-04-07
Applicant: 株式会社ピーアイ技術研究所 , 独立行政法人産業技術総合研究所
IPC: G01R27/26
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公开(公告)号：JPWO2004087793A1
公开(公告)日：2006-06-29
申请号：JP2005504206
申请日：2004-03-26
Applicant: 株式会社ピーアイ技術研究所
CPC classification number: C08G73/1067 , C08G73/10 , G03F7/0233 , G03F7/039 , G03F7/0392 , H01L23/29 , H01L2924/0002 , H05K1/0346 , H05K3/4676 , Y10T428/24479 , Y10T428/24802 , Y10T428/31681 , H01L2924/00
Abstract: 耐熱性、電気絶縁性、耐薬品性に優れたポリイミドの性質を維持し、さらに、誘電率が公知のポリイミドよりも低い、新規なポリイミド、それを含む組成物及びその製造方法が開示されている。本発明のポリイミドは、テトラアミン、テトラカルボン酸ジ無水物及び芳香族ジアミンを、触媒の存在下、重縮合させることにより製造された、誘電率が2.7以下の架橋ポリイミドである。
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公开(公告)号：JPWO2003060010A1
公开(公告)日：2005-05-19
申请号：JP2003560102
申请日：2003-01-15
Applicant: 株式会社ピーアイ技術研究所
CPC classification number: C08G73/1021 , C08G73/10 , C08G73/1032 , G03F7/0233 , G03F7/0392
Abstract: ブロック共重合ポリイミドが、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを、ケトン、エーテル、エステルから選ばれる少なくとも一種からなる溶媒中でラクトンと塩基の触媒存在下に加熱して得られたポリイミドであるブロック共重合ポリイミド組成物、光酸発生剤を含有したポジ型ブロック共重合型ポリイミド組成物、インキ、およびそれらの製造方法であり、大気中においても白化することがないことを特徴とするものである。
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公开(公告)号：JP4547087B2
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：JP2000516260
申请日：1998-10-12
Applicant: 株式会社ピーアイ技術研究所
IPC: G03F7/039 , C08G73/10 , C08L79/08 , C09D179/08 , G03F7/004 , G03F7/022 , H01L21/027 , H05K3/28 , H05K3/46
CPC classification number: C08G73/10 , G03F7/0045 , G03F7/039 , Y10S430/106
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP4204352B2
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：JP2003056962
申请日：2003-03-04
Applicant: 株式会社ピーアイ技術研究所 , 独立行政法人産業技術総合研究所
IPC: H01L21/3205 , H01L21/312 , H01L21/768
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公开(公告)号：JP4171777B2
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：JP18946999
申请日：1999-05-31
Applicant: 株式会社ピーアイ技術研究所 , 独立行政法人産業技術総合研究所
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公开(公告)号：JP4154478B2
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：JP2002042756
申请日：2002-02-20
Applicant: 株式会社ピーアイ技術研究所 , 独立行政法人産業技術総合研究所
IPC: G03F7/027 , H01L21/3205 , G03F7/037 , H01L23/52 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming an electrode penetrating an integrated circuit chip from the surface to the rear surface in order to mount three or more integrated circuit chips directly on a circuit board while stacking. SOLUTION: A thin conductive semiconductor substrate is bored by etching and a photosensitive polyimide insulation film is deposited thereon by rotary coating. A pattern of holes of smaller diameter is then formed by exposure and development, the through hole is filled with a metallic material, and the rear surface of the substrate is ground to expose the metal thus forming a through electrode. The inventive through electrode has such a structure as a polyimide insulation layer is formed on the side face of a through hole made through a substrate of ground potential and the center of the hole is filled with a metallic material. Since a coaxial line structure is attained, a wide range characteristic impedance can be realized by controlling the thickness of the polyimide insulation film on the side face of the hole. COPYRIGHT: (C)2003,JPO
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公开(公告)号：JP3911209B2
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：JP2002203373
申请日：2002-07-12
Applicant: 株式会社ピーアイ技術研究所 , 独立行政法人産業技術総合研究所
IPC: H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/12 , H01L23/522
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公开(公告)号：JP3798839B2
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：JP3377796
申请日：1996-02-21
Applicant: 株式会社ピーアイ技術研究所
IPC: B32B15/088 , C09J179/08 , B29C65/46 , B29C65/48 , B32B15/08 , C08G73/10 , C09J5/00
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