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公开(公告)号：JP2020074400A
公开(公告)日：2020-05-14
申请号：JP2019219330
申请日：2019-12-04
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/363 , C23C16/509 , C23C16/42 , G02F1/1365 , H01L51/50 , H05B33/14 , H05B33/10 , H05B33/02 , G09F9/30 , H01L21/336
Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性変動を抑制した半導体装置、又は信頼性を向上させた半導体装置を提供する。 【解決手段】チャネル形成領域を構成する酸化物半導体膜を有する半導体装置において、当該酸化物半導体膜上に水の侵入を抑制し、少なくとも窒素を含む絶縁膜と、当該絶縁膜から放出される窒素の侵入を抑制する絶縁膜と、を設ける。酸化物半導体膜に侵入する水は、大気に含まれる水又は当該水の侵入を抑制する絶縁膜上に設けられた膜などに含まれる水などがある。また、水の侵入を抑制する絶縁膜には、加熱による水素分子の放出量が5.0×10 21 分子/cm 3 未満の窒化絶縁膜を用いる。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2018061045A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2017218132
申请日：2017-11-13
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/283 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/288 , H01L21/363 , H01L21/316 , C23C16/42 , C23C14/08 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/02565 , H01L21/47573 , H01L27/1225 , H01L27/1259 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、酸素欠損の含有量を低減する。また 、酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性を向上させる。 【解決手段】基板上に形成されるゲート電極と、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、ゲー ト絶縁膜を介してゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜に接する一対の 電極とを有するトランジスタ上に、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜、及び一対の電極を覆 う第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜を覆う第2の絶縁膜を有し、第1の絶縁膜は、25℃ において0.5重量%のフッ酸に対する第1の絶縁膜のエッチング速度が10nm/分以 下であり、且つ第2の絶縁膜より遅いことを特徴とする。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6212192B2
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：JP2016198669
申请日：2016-10-07
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L51/50 , H05B33/14 , G02F1/1368 , H01L27/146 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/401 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/495 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66742 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78696
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公开(公告)号：JP6192989B2
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：JP2013112718
申请日：2013-05-29
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G09G3/20 , H01L51/50 , H05B33/14 , G09G3/3233
CPC classification number: H05B37/02 , G09G3/3258 , G09G2300/043 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2320/043 , G09G2320/045 , Y02B20/42
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公开(公告)号：JP6128906B2
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：JP2013051819
申请日：2013-03-14
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/49 , H01L29/423 , H01L21/283 , H01L21/28 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/08 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L29/66742
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6096461B2
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：JP2012224978
申请日：2012-10-10
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/316 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/02211 , H01L21/0214 , H01L21/02274 , H01L29/7869 , H01L27/3258 , H01L27/3272 , H01L27/3276
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公开(公告)号：JP2017028311A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2016198669
申请日：2016-10-07
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L51/50 , H05B33/14 , G02F1/1368 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/401 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/495 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66742 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 【課題】静電破壊による歩留まりの低下を防ぎ、信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層上の第1のゲート絶縁層と、第1のゲート絶 縁層上に設けられ、第1のゲート絶縁層よりも膜厚の小さい第2のゲート絶縁層と、第2 のゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層 及びドレイン電極層と、を有し、第1のゲート絶縁層は、電子スピン共鳴法において、g 値が2.003に現れる信号に対応するスピン密度が1×10 17 spins/cm 3 以 下である窒素を含むシリコン膜であり、第2のゲート絶縁層は、第1のゲート絶縁層より も含有水素濃度の低い窒素を含むシリコン膜である半導体装置を提供する。 【選択図】図1
Abstract translation: 甲防止成品率的降低，由于静电击穿，提供一种高可靠的半导体器件。 和栅电极层，设置在第一栅极绝缘层，一个小的第二栅绝缘膜厚度比所述第一栅极绝缘层上的栅电极层上的第一栅极绝缘层 一个层，第二栅极绝缘层上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层和电具有源和漏电极层连接时，第一栅极绝缘层，电子自旋 含有共振法中，G值是含氮自旋密度的硅膜是不大于1×1017spins /立方厘米，其对应于出现在2.003的信号，比所述第一栅极绝缘层在第二栅绝缘层 提供一种半导体装置是包括氮的氢浓度较低的硅膜。 点域1
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公开(公告)号：JP2016031930A
公开(公告)日：2016-03-07
申请号：JP2015143717
申请日：2015-07-21
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
CPC classification number: H01L51/003 , H01L2251/5338
Abstract: 【課題】歩留まりを改善した剥離方法、及び光取り出し効率の高い発光装置を提供する。 【解決手段】基板101上に剥離層102を形成する第1の工程と、剥離層の表面にプラズマ処理を行う第2の工程と、剥離層上に被剥離層110を形成する第3の工程と、剥離層と被剥離層を加熱する第4の工程と、剥離層と被剥離層を分離する第5の工程と、を有し、プラズマ処理は、亜酸化窒素及びシランを含む雰囲気下で行う、剥離方法。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供产率提高的分离方法和具有高光提取效率的发光装置。解决方案：分离方法包括：在基板101上形成分离层102的第一步骤; 对分离层的表面进行等离子体处理的第二步骤; 形成在分离层上分离的层110的第三步骤; 加热分离层和待分离层的第四步骤; 以及从分离层分离分离层的第五步骤。 在分离方法中，等离子体处理在含有一氧化二氮和硅烷的气氛下进行
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公开(公告)号：JP2021097242A
公开(公告)日：2021-06-24
申请号：JP2021034450
申请日：2021-03-04
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , G02F1/1368 , H01L29/786
Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性変動を抑制した半導体装置 、又は信頼性を向上させた半導体装置を提供する。 【解決手段】チャネル形成領域を構成する酸化物半導体膜を有する半導体装置において、 当該酸化物半導体膜上に水の侵入を抑制し、少なくとも窒素を含む絶縁膜と、当該絶縁膜 から放出される窒素の侵入を抑制する絶縁膜と、を設けることである。なお、酸化物半導 体膜に侵入する水としては、大気に含まれる水、又は当該水の侵入を抑制する絶縁膜上に 設けられた膜などに含まれる水などがある。また、水の侵入を抑制する絶縁膜としては、 加熱による水素分子の放出量が5.0×10 21 分子/cm 3 未満である窒化絶縁膜を用 いることができる。 【選択図】図1
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