公开(公告)号：JP6329944B2

公开(公告)日：2018-05-23

申请号：JP2015515718

申请日：2013-05-10

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 橋本 貴之 ,  森 睦宏

IPC: H02M1/08 ,  H02M7/48 ,  H03K17/08

CPC classification number: H02M3/158 ,  H01L29/786 ,  H02M1/00 ,  H02M1/32 ,  H02M2001/0009 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/168 ,  H03K2217/0036

公开(公告)号：JP6318061B2

公开(公告)日：2018-04-25

申请号：JP2014192100

申请日：2014-09-22

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  株式会社 日立パワーデバイス

Inventor： 竹内 悠次郎 ,  森 睦宏 ,  橋本 貴之

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

公开(公告)号：JP2016063169A

公开(公告)日：2016-04-25

申请号：JP2014192100

申请日：2014-09-22

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  株式会社 日立パワーデバイス

Inventor： 竹内 悠次郎 ,  森 睦宏 ,  橋本 貴之

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: 【課題】ターンオフ時のスイッチング損失を低減させる電力変換用スイッチング素子を提供する。 【解決手段】p型チャネル層104の表面の一部で、第一のゲート電極106及び第二のゲート電極107のそれぞれにゲート絶縁膜105を介して接する部分に、n型ソース領域108、109が形成される。第一のゲート電極106に接する第一のn型ソース領域108のy方向の長さをa1とし、第一のn型ソース領域108を含むp型チャネル層104のy方向の繰り返し単位長さをb1とし、第二のゲート電極107に接する第二のn型ソース領域109のy方向の長さをa2とし、第二のn型ソース領域109を含むp型チャネル層104のy方向の繰り返し単位長さをb2としたとき、y方向に第一のn型ソース領域108が占める割合a1/b1を、y方向に第二のn型ソース領域109が占める割合a2/b2より小さくする。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供用于功率转换的开关元件，其降低关断时的开关损耗。解决方案：在半导体器件中，n型源极区域108,109形成在 分别经由栅极绝缘膜105接触第一栅电极106和第二栅电极107的部分处的p型沟道层104。 当假定与第一栅电极106接触的第一n型源极区域108的y方向上的长度为a1时，包括第一n沟道层104的p型沟道层104的y方向上的重复单位长度 型源极区108为b1，与第二栅电极107接触的第二n型源极区109的y方向的长度为a2，p型沟道层的y方向的重复单位长度 104包括第二n型源极区域109，b2是使由第一n型源极区域108占据的y方向的比率a1 / b1小于由y方向占据的y方向的比率a2 / b2 第二n型源区域109.SELECTED DRAWING：图1

公开(公告)号：JP5698302B2

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：JP2013092791

申请日：2013-04-25

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 森 睦宏 ,  新井 大夏

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78

公开(公告)号：JP6371053B2

公开(公告)日：2018-08-08

申请号：JP2013257733

申请日：2013-12-13

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  株式会社 日立パワーデバイス

Inventor： 石丸 哲也 ,  恩田 航平 ,  坂野 順一 ,  森 睦宏

IPC: H02M7/12 ,  H02M1/08 ,  H02M7/21

CPC classification number: H02M7/04 ,  H02M1/08 ,  H02M7/219 ,  H02M2001/0029 ,  H02M2007/2195 ,  H03K17/163 ,  Y02B70/1408

公开(公告)号：JP6286565B2

公开(公告)日：2018-02-28

申请号：JP2016548847

申请日：2015-09-09

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 内藤 孝 ,  児玉 一宗 ,  青柳 拓也 ,  菊池 茂 ,  能川 玄也 ,  森 睦宏 ,  井出 英一 ,  守田 俊章 ,  紺野 哲豊 ,  小野寺 大剛 ,  三宅 竜也 ,  宮内 昭浩

IPC: C04B37/02 ,  C04B37/00 ,  H01L23/36 ,  H01L23/12 ,  H01L21/52 ,  C03C8/18

CPC classification number: H01L23/3733 ,  C03C3/122 ,  C03C3/125 ,  C03C3/21 ,  C03C8/02 ,  C03C8/08 ,  C03C8/18 ,  C03C8/24 ,  C09J1/00 ,  C09J11/04 ,  H01L21/52 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/29 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29224 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29287 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：JP6268038B2

公开(公告)日：2018-01-24

申请号：JP2014106643

申请日：2014-05-23

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 平尾 高志 ,  森 睦宏

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/872 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/78

CPC classification number: H02M7/537 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8611 ,  H02M7/003 ,  H03K17/16 ,  H03K17/74

公开(公告)号：JP6228542B2

公开(公告)日：2017-11-08

申请号：JP2014534125

申请日：2012-09-07

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 橋本 貴之 ,  森 睦宏 ,  増永 昌弘

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H02M1/088 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7397 ,  H02M1/08 ,  H02M7/003 ,  H02M7/537 ,  H02M7/5387 ,  H01L29/7396 ,  H02M2001/0054

公开(公告)号：JP2017147468A

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：JP2017096229

申请日：2017-05-15

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 橋本 貴之 ,  森 睦宏 ,  増永 昌弘

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H02M7/48 ,  H01L29/78

Abstract: 【課題】ターンオン時の出力電圧の時間変化率(dv/dt)の制御性を向上させる。 【解決手段】電力変換用スイッチング素子103は、n − 型の半導体基板1の表面側に、第1のゲート電極6(G1)と第2のゲート電極6(G2)とからなるゲート電極の組が複数組繰り返して配置されて構成される。そして、このゲート電極の組は、互いに異なるゲート電極の組に属し、互いに隣接する2つのゲート電極6が、ともに第1のゲート電極6(G1)となるか、または、ともに第2のゲート電極6(G2)となるように配置され、第1のゲート電極6(G1)および第2のゲート電極6(G2)には、駆動タイミングに時間差のある第1の駆動信号および第2の駆動信号がそれぞれ供給される。 【選択図】図12

公开(公告)号：JP2016025300A

公开(公告)日：2016-02-08

申请号：JP2014150565

申请日：2014-07-24

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 小野瀬 秀勝 ,  森 睦宏

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861

Abstract: 【課題】 マスクの合わせズレが生じた場合であっても耐圧低下を生じ難いターミネーション構造を有する高耐圧半導体装置を提供する。 【解決手段】 SiCからなる高耐圧半導体装置が、p型の第1領域41,第2領域42,第3領域43,第4領域44,第5領域45,第6領域46および第7領域47が、この順に並置され、かつこの順に低くなる不純物キャリア濃度を有するターミネーション部を備え、第1領域41は第2領域42に包含され、第2領域42および第3領域43は第4領域44に包含され、第2領域42と第3領域43との間には第4領域44が介在し、第5領域45は第6領域46に包含され、第4領域44と第6領域46との間、および第6領域46と第7領域47との間には、n−層12が介在する。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供具有端接结构的高耐压电压半导体器件，即使在掩模发生未对准时也难以降低耐电压。解决方案：由SiC形成的高耐受电压半导体器件包括端接 p型的第一区域41，第二区域42，第三区域43，第四区域44，第五区域45，第六区域46和第七区域47在该区域中并排布置 并且具有以这种顺序下降的这种杂质载流子浓度。 第一区域41包括在第二区域42中。第二区域42和第三区域43包括在第四区域44中。第四区域44介于第二区域42和第三区域43之间。第五区域45 包括在第六区域46中.N层12插入在第四区域44和第六区域46之间以及第六区域46和第七区域47之间。选择的图示：图1