公开(公告)号：JP2021007178A

公开(公告)日：2021-01-21

申请号：JP2020171724

申请日：2020-10-12

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 佐々木 俊成 ,  羽持 貴士 ,  宮本 敏行 ,  野村 昌史 ,  肥塚 純一 ,  岡崎 健一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L27/146 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336

Abstract: 【課題】酸化物半導体膜を有するトランジスタにおいて、酸化物半導体膜への水素及び窒 素の移動を抑制する。また、酸化物半導体を有するトランジスタを用いた半導体装置にお いて、電気特性の変動を抑制すると共に、信頼性を向上させる。 【解決手段】酸化物半導体膜を有するトランジスタと、当該トランジスタ上に設けられる 窒化絶縁膜とを有し、窒化絶縁膜が、昇温脱離ガス分析法において、水素分子の放出量が 5×10 21 分子/cm 3 未満、好ましくは3×10 21 分子/cm 3 以下、さらに好ま しくは1×10 21 分子/cm 3 以下であり、アンモニア分子の放出量が1×10 22 分 子/cm 3 未満、好ましくは5×10 21 分子/cm 3 以下、さらに好ましくは1×10 21 分子/cm 3 以下である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6811301B2

公开(公告)日：2021-01-13

申请号：JP2019218069

申请日：2019-12-02

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  佐々木 俊成 ,  羽持 貴士 ,  宮本 敏行 ,  野村 昌史 ,  肥塚 純一 ,  岡崎 健一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/363 ,  H01L51/50 ,  H05B33/22 ,  H05B33/14 ,  G09F9/30 ,  C23C16/42 ,  C23C16/30 ,  H01L21/336

公开(公告)号：JP6630334B2

公开(公告)日：2020-01-15

申请号：JP2017218132

申请日：2017-11-13

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 岡崎 健一 ,  宮本 敏行 ,  野村 昌史 ,  羽持 貴士 ,  山崎 舜平 ,  佐々木 俊成

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/288 ,  H01L21/363 ,  H01L21/316 ,  C23C16/42 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

公开(公告)号：JP6542857B2

公开(公告)日：2019-07-10

申请号：JP2017195679

申请日：2017-10-06

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  田中 哲弘 ,  家田 義紀 ,  宮本 敏行 ,  野村 昌史 ,  羽持 貴士 ,  岡崎 健一 ,  一條 充弘 ,  遠藤 俊弥

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/06 ,  H01L21/336

公开(公告)号：JP2018157224A

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：JP2018112770

申请日：2018-06-13

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 野村 昌史 ,  岡崎 健一 ,  宮本 敏行 ,  羽持 貴士 ,  山崎 舜平

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  H01L51/50 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート絶縁膜を有する半 導体装置を提供する。また、現在実用化されている量産技術からの膜構成、プロセス条件 、または生産装置等の変更が少なく、半導体装置に安定した電気特性を付与し、信頼性の 高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。 【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上 に形成された酸化物半導体膜と、を有し、ゲート絶縁膜は、窒化酸化シリコン膜と、窒化 酸化シリコン膜上に形成された酸化窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜上に形成され た金属酸化膜と、を含み、金属酸化膜上に酸化物半導体膜が接して形成される。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017228800A

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：JP2017176316

申请日：2017-09-14

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 宮本 敏行 ,  野村 昌史 ,  羽持 貴士 ,  岡崎 健一

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 【課題】静電破壊による歩留まりの低下を防ぎ、信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層上の第1のゲート絶縁層と、第1のゲート絶 縁層上に設けられ、第1のゲート絶縁層よりも膜厚の小さい第2のゲート絶縁層と、第2 のゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層 及びドレイン電極層と、を有し、第1のゲート絶縁層は、電子スピン共鳴法において、g 値が2.003に現れる信号に対応するスピン密度が1×10 17 spins/cm 3 以 下である窒素を含むシリコン膜であり、第2のゲート絶縁層は、第1のゲート絶縁層より も含有水素濃度の低い窒素を含むシリコン膜である半導体装置を提供する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6224931B2

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：JP2013146063

申请日：2013-07-12

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  田中 哲弘 ,  家田 義紀 ,  宮本 敏行 ,  野村 昌史 ,  羽持 貴士 ,  岡崎 健一 ,  一條 充弘 ,  遠藤 俊弥

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1207 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1225

公开(公告)号：JP2017157840A

公开(公告)日：2017-09-07

申请号：JP2017074984

申请日：2017-04-05

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 佐々木 俊成 ,  羽持 貴士 ,  宮本 敏行 ,  野村 昌史 ,  肥塚 純一 ,  岡崎 健一

IPC: H01L21/336 ,  H01L27/146 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/247 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 【課題】酸化物半導体膜を有するトランジスタにおいて、酸化物半導体膜への水素及び窒 素の移動を抑制する。また、酸化物半導体を有するトランジスタを用いた半導体装置にお いて、電気特性の変動を抑制すると共に、信頼性を向上させる。 【解決手段】酸化物半導体膜を有するトランジスタと、当該トランジスタ上に設けられる 窒化絶縁膜とを有し、窒化絶縁膜が、昇温脱離ガス分析法において、水素分子の放出量が 5×10 21 分子/cm 3 未満、好ましくは3×10 21 分子/cm 3 以下、さらに好ま しくは1×10 21 分子/cm 3 以下であり、アンモニア分子の放出量が1×10 22 分 子/cm 3 未満、好ましくは5×10 21 分子/cm 3 以下、さらに好ましくは1×10 21 分子/cm 3 以下である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6139968B2

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：JP2013099643

申请日：2013-05-09

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  宮本 敏行 ,  野村 昌史 ,  羽持 貴士 ,  岡崎 健一

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

公开(公告)号：JP2017055138A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：JP2016232336

申请日：2016-11-30

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  佐々木 俊成 ,  羽持 貴士 ,  宮本 敏行 ,  野村 昌史 ,  肥塚 純一 ,  岡崎 健一

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H05B33/10 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性変動を抑制した半導体装置 、又は信頼性を向上させた半導体装置を提供する。 【解決手段】チャネル形成領域を構成する酸化物半導体膜を有する半導体装置において、 当該酸化物半導体膜上に水の侵入を抑制し、少なくとも窒素を含む絶縁膜と、当該絶縁膜 から放出される窒素の侵入を抑制する絶縁膜と、を設けることである。なお、酸化物半導 体膜に侵入する水としては、大気に含まれる水、又は当該水の侵入を抑制する絶縁膜上に 設けられた膜などに含まれる水などがある。また、水の侵入を抑制する絶縁膜としては、 加熱による水素分子の放出量が5.0×10 21 分子/cm 3 未満である窒化絶縁膜を用 いることができる。 【選択図】図1