中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

162 records (took 0.087 seconds)

    発光素子、発光装置
    23.
    发明专利
    発光素子、発光装置 有权

    公开(公告)号：JP2017063217A

    公开(公告)日：2017-03-30

    申请号：JP2016227614

    申请日：2016-11-24

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 山崎 舜平 ,  瀬尾 哲史 ,  大澤 信晴 ,  下垣 智子 ,  井上 英子 ,  門間 裕史 ,  尾坂 晴恵 ,  鈴木 邦彦 ,  竹村 保彦

    IPC: H01L51/50

    CPC classification number: H01L51/0059 ,  H01L51/0067 ,  H01L2251/5384 ,  H01L2251/552

    Abstract: 【課題】外部量子効率が高い発光素子を提供する。 【解決手段】ゲスト、n型ホスト及びp型ホストを含む発光層を一対の電極間に有し、n型ホスト(あるいはp型ホスト)の三重項励起状態と基底状態のエネルギー差をゲストの三重項励起状態と基底状態のエネルギー差より差し引いた値が0.15電子ボルト以上である発光素子。該発光素子は、三重項励起状態にあるゲストからn型ホスト(あるいはp型ホスト)の三重項励起状態への遷移が起こりにくいため、三重項励起状態にあるゲストからの発光が効率的におこなわれる。あるいは、n型ホストのLUMO準位がゲストのLUMO準位より0.1電子ボルト以上高い、あるいはp型ホストのHOMO準位がゲストのHOMO準位より0.1電子ボルト以上低い発光素子。該発光素子は、ゲスト内で電子、正孔の再結合が効率よく発生し、発光効率あるいは外部量子効率を高めることができる。 【選択図】図2

    半導体装置の作製方法
    27.
    发明专利
    半導体装置の作製方法 有权
    半导体器件制造方法

    公开(公告)号：JP2016181719A

    公开(公告)日：2016-10-13

    申请号：JP2016122772

    申请日：2016-06-21

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 山崎 舜平 ,  鈴木 邦彦 ,  高橋 正弘

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L21/02664 ,  H01L21/02565 ,  H01L23/564 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02631 ,  H01L2924/0002

    Abstract: 【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを 目的の一つとする。 【解決手段】フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる 水素や水分(水素原子や、H 2 Oなど水素原子を含む化合物)などの不純物を、酸化物半 導体層より排除し、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。ハロゲン元素は酸化 物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層及び/又は絶縁層に含ませて形成することが でき、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物半導体層に 付着させてもよい。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种使用具有稳定电特性的氧化物半导体的半导体器件。解决方案：在半导体器件中，包含在氧化物半导体中的杂质如氢和水分（氢原子和包含氢原子的化合物如HO） 通过氟和氯表示的卤素从氧化物半导体层除去层，并且氧化物半导体层中的杂质浓度降低。 卤素可以通过包含在与氧化物半导体层接触的栅极绝缘层和/或绝缘层中而形成。 或者，可以通过在含卤素气体气氛中的等离子体处理将卤素粘附到氧化物半导体层。选择的图示：图1

    半導体装置の作製方法
    30.
    发明专利
    半導体装置の作製方法 有权
    半导体器件制造方法

    公开(公告)号：JP2016154253A

    公开(公告)日：2016-08-25

    申请号：JP2016077353

    申请日：2016-04-07

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 一條 充弘 ,  遠藤 俊弥 ,  鈴木 邦彦

    IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/441 ,  H01L21/477 ,  H01L29/247 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/47 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

    Abstract: 【課題】良好な電気特性を有する半導体装置を提供することである。 【解決手段】チャネル領域を形成する酸化物半導体層と接するゲート絶縁層に、水素濃度 が6×10 20 atoms/cm 3 未満であり、且つフッ素濃度が1×10 20 atom s/cm 3 以上であるゲート絶縁層を用いることで、ゲート絶縁層から放出される水素量 が低減され、酸化物半導体層に水素が拡散することを防ぐことができる。さらに、フッ素 により酸化物半導体層内に存在する水素を脱離させ、酸化物半導体層内の水素濃度を低減 させることができるため、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することできる。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有良好的电特性的半导体器件。解决方案：在半导体器件中，通过使用氢浓度小于6×10原子/ cm的栅绝缘层和等于或大于1×10 与用于形成沟道区的氧化物半导体层接触的栅极绝缘层的10atoms / cm 2，从栅极绝缘层排出的氢的量减少，并且可以防止氢向氧化物半导体层的扩散。 此外，由于氟能够解吸存在于氧化物半导体层中的氢以降低氧化物半导体层中的氢浓度，所以可以提供具有良好电特性的半导体器件。图1

Patent Agency Ranking