公开(公告)号：KR20210034703A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：KR1020217008658A

申请日：2012-01-19

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 신야 사사가와 ,  모토무 쿠라타

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L27/12 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L21/28 ,  H01L21/441 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 본 발명은, 양호한 특성이 유지되면서, 불량이 저감되고 미세화가 실현된 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
반도체층을 형성하고, 반도체층 위에 제 1 도전층을 형성하고, 제 1 레지스트 마스크를 사용하여 제 1 도전층을 에칭함으로써 오목부를 갖는 제 2 도전층을 형성하고, 제 1 레지스트 마스크를 축소하여 제 2 레지스트 마스크를 형성하고, 제 2 레지스트 마스크를 사용하여 제 2 도전층을 에칭함으로써 주연에 테이퍼 형상의 돌출부를 각각 갖는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하고, 소스 전극 및 드레인 전극 위에 반도체층의 일부와 접하는 게이트 절연층을 형성하고, 게이트 절연층 위에서 반도체층과 중첩되는 부분에 게이트 전극을 형성한다.

公开(公告)号：KR102232539B1

公开(公告)日：2021-03-29

申请号：KR1020130137548A

申请日：2013-11-13

Applicant: 삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 김봉균 ,  문영민

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L29/78696 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/441 ,  H01L21/465 ,  H01L21/467 ,  H01L21/76846 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565

Abstract: 개시된 박막 트랜지스터는, 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 중첩하며, 산화물 반도체를 포함하는 액티브 패턴, 및 상기 액티브 패턴 상부에 배치되며, 소스 전극 및 상기 소스 전극과 이격되는 드레인 전극을 포함하는 소스 금속 패턴을 포함한다. 상기 액티브 패턴은 상기 소스 금속 패턴의 하면 전체를 커버하며, 상기 소스 금속 패턴보다 큰 테이퍼 각을 갖는다.

公开(公告)号：JP2018195859A

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：JP2018173883

申请日：2018-09-18

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/441 ,  H01L21/46 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す ることを目的の一とする。 【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜の上面部に、 チャネル保護膜として機能する、酸化物半導体膜と同種の成分でなる金属酸化物膜が積層 されているトランジスタを提供する。また、トランジスタの活性層に用いる酸化物半導体 膜は、熱処理によって、水素、水分、水酸基または水素化物などの不純物を酸化物半導体 より排除し、かつ不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成す る主成分材料である酸素を供給することによって、高純度化および電気的にi型(真性) 化されたものである。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6345853B2

公开(公告)日：2018-06-20

申请号：JP2017149564

申请日：2017-08-02

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 大原 宏樹 ,  佐々木 俊成

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  C01G15/006 ,  C01G45/006 ,  C01G49/009 ,  C01G51/006 ,  C01G53/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/40 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/441 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：JP6306674B2

公开(公告)日：2018-04-04

申请号：JP2016229211

申请日：2016-11-25

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/146 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/441 ,  H01L21/465 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/477 ,  H01L21/67017 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3244 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：JP6306641B2

公开(公告)日：2018-04-04

申请号：JP2016107078

申请日：2016-05-30

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 神長 正美 ,  相原 大和 ,  栃林 克明 ,  荒川 徹

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/441 ,  H01L21/47573 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：JP2017123499A

公开(公告)日：2017-07-13

申请号：JP2017081075

申请日：2017-04-17

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/441 ,  H01L21/46 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す ることを目的の一とする。 【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜の上面部に、 チャネル保護膜として機能する、酸化物半導体膜と同種の成分でなる金属酸化物膜が積層 されているトランジスタを提供する。また、トランジスタの活性層に用いる酸化物半導体 膜は、熱処理によって、水素、水分、水酸基または水素化物などの不純物を酸化物半導体 より排除し、かつ不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成す る主成分材料である酸素を供給することによって、高純度化および電気的にi型(真性) 化されたものである。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6142357B2

公开(公告)日：2017-06-07

申请号：JP2013171537

申请日：2013-08-21

Applicant: 株式会社タムラ製作所 ,  国立研究開発法人情報通信研究機構

Inventor： 佐々木 公平 ,  東脇 正高

IPC: H01L21/425

CPC classification number: C30B31/22 ,  C30B29/16 ,  C30B33/02 ,  H01B1/08 ,  H01L21/425 ,  H01L21/441 ,  H01L21/477 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45

公开(公告)号：JPWO2015064682A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：JP2015545292

申请日：2014-10-30

Applicant: 京セラ株式会社

Inventor： 幹裕 梅原 ,  幹裕 梅原 ,  善則 久保 ,  善則 久保

IPC: H01L23/15 ,  H01L23/14

CPC classification number: H01L29/04 ,  B06B1/00 ,  B06B1/0603 ,  G06F1/1626 ,  G06F1/1656 ,  G06F1/203 ,  H01L21/441 ,  H01L21/465 ,  H01L41/00 ,  H01L41/0926

Abstract: 金属体がサファイア構造体から剥がれ難く、かつサファイア基板表面に他の部材を障害なく当接させる。平坦面を有し、前記平坦面に凹部が設けられたサファイア構造体と、前記凹部の内部に配置されて前記凹部の内面と接合した金属体とを有し、前記金属体は前記平坦面と面一な表面部分を備えることを特徴とする金属体付きサファイア構造体を提供する。

公开(公告)号：JP2016519847A

公开(公告)日：2016-07-07

申请号：JP2016503517

申请日：2013-07-02

Applicant: 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. ,  京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd.

Inventor： 翔 ▲劉▼ ,  翔 ▲劉▼ ,  ▲剛▼ 王 ,  ▲剛▼ 王 ,  建▲設▼ 薛 ,  建▲設▼ 薛

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L21/441 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本発明は、薄膜トランジスタ及びその製造方法、アレイ基板並びにディスプレイを提供する。薄膜トランジスタは、基板、基板上に形成されたゲート電極、ソース電極、ドレイン電極及び半導体層と、ゲート電極と半導体層との間にあり、或いは、ゲート電極とソース電極及びドレイン電極との間にあるゲート絶縁層、及び半導体層とソース電極及びドレイン電極との間にあり、ソース接触穴及びドレイン接触穴を有するエッチング阻止層と、ソース電極と半導体層との間にあるソースバッファー層、及びドレイン電極と半導体層との間にあるドレインバッファー層と、を備え、ソース電極及びドレイン電極は金属銅電極であり、バッファー層は銅合金層である。ソースバッファー層及びドレインバッファー層を形成することによって、その上にあるソース電極及びドレイン電極層、及びその下方にある半導体層の付着力が向上され、TFTの性能も向上され、画像の品質も向上された。

Abstract translation: 本发明是薄膜晶体管及其制造方法，提供一种阵列基板和显示器。 的薄膜晶体管基板，形成在基板上的栅电极，源电极，漏电极和半导体层是在栅电极和半导体层之间，或者在栅电极与源电极和漏电极之间 栅绝缘层，和在半导体层与源电极和漏电极，以及具有源极接触孔和漏接触孔，源极电极与半导体层之间的源缓冲层和漏电极的蚀刻停止层之间 和与所述半导体层，源电极和漏电极之间的漏极缓冲层是金属铜电极，所述缓冲层是铜合金层。 通过形成源缓冲层和漏电极缓冲层，源电极和它上面的漏电极层，所述半导体层的粘附在其下部，TFT的性能也得到改善，提高，增强了图像的质量 它一直。