公开(公告)号：JP2018181658A

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：JP2017081008

申请日：2017-04-17

Applicant: 独立行政法人国立高等専門学校機構 ,  株式会社FLOSFIA

Inventor： 香取 重尊 ,  織田 真也 ,  人羅 俊実

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/26 ,  H05B33/10

Abstract: 【課題】簡便且つ容易に、効率良く工業的有利に有機発光素子を製造できる新規な製造方法を提供する。 【解決手段】基体上に直接又は他の層を介して、少なくとも正孔輸送層及び/又は発光層を積層して有機発光素子を製造する方法において、前記正孔輸送層及び/又は発光層の積層を、α—NPD及び/又はAlq3とγ—ブチロラクトンとを含む原料溶液を霧化又は液滴化し(霧化・液滴化工程)、得られたミスト又は液滴をキャリアガスで基体上まで搬送し(搬送工程)、前記基体上で前記ミスト又は液滴を反応させて、前記基体上に前記正孔輸送層及び/又は発光層を形成する(成膜工程)ことにより行うことにより、有機発光素子を得る。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP6349592B2

公开(公告)日：2018-07-04

申请号：JP2014149314

申请日：2014-07-22

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人羅 俊実 ,  織田 真也 ,  高塚 章夫

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L29/872 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L21/28 ,  H01L21/20 ,  H01L29/47 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  C23C16/40 ,  H01L29/26

公开(公告)号：JP2018076567A

公开(公告)日：2018-05-17

申请号：JP2016220078

申请日：2016-11-10

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 佐々木 貴博 ,  柳生 慎悟 ,  人羅 俊実

IPC: B32B9/00 ,  B05D1/02 ,  B05D3/02 ,  B05D7/24 ,  C23C16/448 ,  C23C16/40

Abstract: 【課題】簡単且つ容易に、工業的有利に、熱可塑性樹脂からなる基体と、前記基体との密着性に優れた金属酸化膜とを備える積層体を製造することができる製造方法を提供する。 【解決手段】遷移金属を含む原料溶液4aを用いて熱可塑性樹脂からなる基体10上に金属酸化膜を成膜する積層体の製造方法において、原料溶液4aを霧化または液滴化し、得られたミストまたは液滴4bをキャリアガスを用いて基体10近傍まで搬送し、ついで、ミストまたは液滴4aを熱反応させることにより、基体10上に金属酸化膜を形成する 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018049894A

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：JP2016183550

申请日：2016-09-20

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 徳田 梨絵 ,  織田 真也 ,  人羅 俊実

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L29/47 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  C23C16/40 ,  H01L21/312 ,  H01L21/285 ,  H01L29/872

Abstract: 【課題】半導体層と電極との界面の密着性に優れ、電気特性が良好であり、信頼性に優れた半導体装置を提供する。 【解決手段】少なくとも半導体層、第1の電極及び第2の電極を含む半導体装置であって、前記半導体層と第1の電極とが、熱硬化樹脂である第1の樹脂で覆われており、第2の電極と第1の樹脂とが、熱硬化樹脂である第2の樹脂で覆われており、前記半導体層が、っ酸化物半導体を主成分として含むを特徴とする半導体装置。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2018002544A

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：JP2016131157

申请日：2016-06-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 織田 真也 ,  徳田 梨絵 ,  人羅 俊実

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/205 ,  H01L29/872 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/47 ,  H01L21/28 ,  H01L21/20 ,  C30B29/22

Abstract: 【課題】膜表面の300μm四方以上の面積にわたって、クラックを実質的に含まない結晶性酸化物半導体膜を提供する。 【解決手段】コランダム構造を有する下地基板1と、少なくとも第1の層2aと第2の層2bとを含む2層以上の酸化物層が直接又は他の層を介して300μm四方以上の面積にわたって表面に形成されている下地基板を用いて、前記酸化物層上に、コランダム構造を有する結晶性酸化物半導体を主成分として含む結晶性酸化物半導体膜を形成することにより、膜表面の300μm四方以上の面積にわたって、クラックを実質的に含まない結晶性酸化物半導体膜を得る。 【選択図】図15

公开(公告)号：JP2017112345A

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：JP2016056305

申请日：2016-03-18

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 香取 重尊 ,  織田 真也 ,  人羅 俊実

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/316

Abstract: 【課題】良質なシリコン酸化膜を、簡便かつ容易に、工業的有利に成膜できる成膜方法を提供する。 【解決手段】ケイ素含有化合物を含む第1の原料溶液と、酸化剤を含む第2の原料溶液とをそれぞれ霧化または液滴化し、得られた第1のミストまたは液滴と、第2のミストまたは液滴とをそれぞれキャリアガスでもって基体まで搬送し、ついで、前記基体上で、第1のミストまたは液滴と、第2のミストまたは液滴とを熱反応させて、前記基体上にシリコン酸化膜を成膜する。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2017100939A

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：JP2016247779

申请日：2016-12-21

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 金子 健太郎 ,  人羅 俊実 ,  平尾 孝

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/20 ,  H01L21/365 ,  C30B29/22

Abstract: 【課題】コランダム型結晶表面の結晶性を改善する方法を提供する。 【解決手段】コランダム型結晶構造を有する半導体層上に形成されている、前記半導体層とは異なる材料・組成からなるコランダム型結晶構造を有する層(特に、下地基板と半導体層との間に形成されている結晶性応力緩和層、または半導体層と絶縁膜との間に形成されているキャップ層もしくは構造相転移防止層)の一部または全部を、CMP等の方法で表面研磨することにより、コランダム型結晶表面の結晶性を改善する。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2016201540A

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：JP2016078494

申请日：2016-04-08

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 織田 真也 ,  徳田 梨絵 ,  人羅 俊実

IPC: H01L29/786 ,  C23C16/40 ,  C30B29/22 ,  H01L21/365

Abstract: 【課題】電気特性に優れた結晶性酸化物半導体膜を提供する。 【解決手段】結晶基板の主面が、a面、m面またはr面であって、主面の全部または一部にコランダム構造を有する結晶基板上に、直接にまたは他の層を介して、コランダム構造を有する結晶性酸化物半導体を主成分として含む結晶性酸化物半導体膜を積層して、電気特性に優れた結晶性酸化物半導体膜を得る。そして、得られた電気特性に優れた結晶性酸化物半導体膜を半導体装置に用いる。 【選択図】なし

Abstract translation: 以提供良好的结晶氧化物半导体膜的电特性。 晶体衬底的主表面，一个表面，m面或R面，具有刚玉结构的主表面的全部或一部分的结晶基板上，直接或通过其它层， 通过层叠含有作为主要成分的结晶性的氧化物半导体膜具有刚玉结构的结晶氧化物半导体，以获得良好的结晶性的氧化物半导体膜的电特性。 然后，使用具有在半导体装置获得优良的电特性的结晶氧化物半导体膜。 系统技术领域

公开(公告)号：JP2016190174A

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：JP2015070467

申请日：2015-03-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 佐々木 貴博 ,  織田 真也 ,  人羅 俊実

IPC: C23C16/448 ,  B05B17/06

Abstract: 【課題】長時間霧化が可能であり、長時間霧化でもミストの制御性に優れており、成膜に適した均質なミストを生成可能な霧化装置を提供する。 【解決手段】霧化用原料液が収容されている筒状体と、超音波伝達液が収容されている超音波伝達液槽と、前記超音波伝達液槽の底面部に前記筒状体の底面部に対して超音波を照射する超音波振動子とを具備し、前記超音波伝達液が少なくとも前記筒状体の底面部に浸漬しており、前記超音波伝達液を循環させる超音波伝達液循環手段をさらに具備する霧化装置を用いて成膜する。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供长时间雾化的雾化器，即使在长时间雾化的情况下也能获得优异的雾度控制性，并且产生适合于沉积的均匀雾。溶液：雾化器包括：一个圆筒体，其中原料液体 用于雾化存储; 超声波透过液槽，其中储存有超声波透过液; 以及超声波振子，其位于超声波透过液箱的底面部，并且利用超声波照射筒体的底面部。 至少筒状体的底面部浸渍有超声波透过液。 雾化器还包括使超声波透过液循环的超声波传播液体循环装置。 使用雾化器进行沉积。图1：

公开(公告)号：JP2016157878A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：JP2015035938

申请日：2015-02-25

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 織田 真也 ,  佐々木 貴博 ,  人羅 俊実

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 【課題】回転ドメインと反りが低減された結晶性酸化物半導体膜を提供する。 【解決手段】ミストを用いて、基体上に、第1の層と、第1の層とは異なる材料を主成分とする第2の層とが、少なくとも1層ずつ交互に積層されている量子井戸構造を有するバッファ層を介して、コランダム構造を有し、かつアルミニウム、ガリウムおよびインジウムからなる1種または2種以上を少なくとも含有する酸化物半導体を主成分として含む、膜中の回転ドメインの含有率が0.02体積%以下の結晶性酸化物半導体膜を形成する。 【選択図】なし

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种其旋转畴和翘曲减小的结晶氧化物半导体膜。解决方案：通过在具有量子阱结构的缓冲层上的基底上的雾形成晶体氧化物半导体膜，该缓冲层通过交替层叠在 至少一个第一层和至少一个第二层，其包括与第一层不同的材料作为主要成分。 所述结晶氧化物半导体膜具有刚玉结构，并且包括作为主要成分的包含由铝，镓和铟组成的组中的至少一种或多种的氧化物半导体。 在电影中，旋转域占0.02体积％以下。选择图：无