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公开(公告)号:JP5757531B2
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:JP2012151174
申请日:2012-07-05
申请人: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
IPC分类号: F03G7/06
CPC分类号: F03G7/065 , B81B3/0021 , C22C14/00 , C23C14/0005 , C23C14/14 , C23C14/541
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公开(公告)号:JP5746960B2
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:JP2011275128
申请日:2011-12-15
申请人: 豊田鉄工株式会社
发明人: 峠岡 慶太朗
CPC分类号: C21D1/09 , C21D1/18 , C21D1/34 , C21D1/673 , C21D1/70 , C21D9/46 , C23C14/541 , C23C16/46 , C23C16/482 , H05B3/0033 , C21D2221/00 , H05B2203/032
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公开(公告)号:JPWO2013073096A1
公开(公告)日:2015-04-02
申请号:JP2013544101
申请日:2012-09-27
申请人: パナソニックIpマネジメント株式会社
IPC分类号: C23C14/24
CPC分类号: C23C16/44 , C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/541 , C23C14/564 , F28D1/00
摘要: 真空装置100は、真空槽11と、真空槽11の内部に配置された熱源12と、冷却ガスを循環させることによって熱源12を冷却する冷却器20と、冷却器20に接続され、真空槽11の外部へと延びているガス供給経路1と、熱源12を冷却するときに、ガス供給経路1を通じて冷却器20に冷却ガスを供給する冷却ガス供給器14と、熱源12を使用するときに、冷却器20の内部の真空引きを行う真空ポンプ13と、を備えている。
摘要翻译: 真空装置100包括一个真空室11,配置在真空槽11内的热源12,用于通过循环冷却气体冷却热源12的冷却器20,被连接到冷却器20中,真空室11 延伸到外部的气体供给通路1,冷却热源12时,用于供给通过气体供给路径1冷却气体冷却器20的冷却气体供给单元14,使用热源12时, 对于冷却器20以及抽真空的真空泵13。
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公开(公告)号:JPWO2012172722A1
公开(公告)日:2015-02-23
申请号:JP2013520410
申请日:2012-04-25
申请人: パナソニック株式会社
CPC分类号: C23C16/458 , B65G13/00 , C23C14/50 , C23C14/541 , C23C14/562 , C23C16/4581 , C23C16/463 , C23C16/466 , C23C16/545
摘要: 基板搬送ローラ6Aは、真空中で基板を搬送するように構成され、第1シェル11、内ブロック12及びシャフト10を備えている。第1シェル11は、基板を支持するための円筒形の外周面を有し、基板と同期して回転できる。内ブロック12は、第1シェル11の内部に配置され、基板と同期して回転することが禁止されている。シャフト10は、内ブロック12を貫通し、かつ支持している。第1シェル11の内周面と内ブロック12との間に隙間部15が形成されている。隙間部15には、内ブロック12から第1シェル11の前記内周面に向かってガスが導入される。
摘要翻译: 基片供料辊6A被配置成在真空传送基板,所述第一壳体11设置有一内体12和轴10。 第一壳体11具有外周表面的圆柱形用于支撑衬底,可以在与基板同步旋转。 内部块12设置在第一壳体11内,禁止在与基板同步地旋转。 轴10穿过内体12和支撑延伸。 间隙15的内周面和第一壳体11的内块12之间形成。 间隙部分15中,气体从内块12朝向第一壳体11的内周表面引入。
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公开(公告)号:JP2014156655A
公开(公告)日:2014-08-28
申请号:JP2014033808
申请日:2014-02-25
发明人: HIZUKA JUNICHI , MARUYAMA YOSHIKI , SAITO TAKAYUKI , IMOTO YUKI , UTO NORIAKI , ENDO YUTA , SATO HITOMI , HIROHASHI TAKUYA , YAMAZAKI SHUNPEI
IPC分类号: C23C14/06 , G02F1/1343 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号: H01B1/02 , C23C14/0676 , C23C14/3414 , C23C14/541 , C23C14/5806
摘要: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transparent conductive film having favorable transparency and conductivity at low cost, to reduce the resistivity of a transparent conductive film formed using conductive oxynitride including zinc and aluminum, and to provide a transparent conductive film that is formed using conductive oxynitride including zinc and aluminum.SOLUTION: When aluminum and nitrogen are made to be included in a transparent conductive film formed using oxide including zinc to form a transparent conductive film that is formed using conductive oxynitride including zinc and aluminum, the transparent conductive film can have reduced resistivity. Heat treatment after the formation of the transparent conductive film that is formed using conductive oxynitride including zinc and aluminum enables reduction in resistivity of the transparent conductive film.
摘要翻译: 要解决的问题:为了降低使用包括锌和铝的导电氮氧化物形成的透明导电膜的电阻率,提供了一种透明导电膜,具有良好的透明性和导电性的透明导电膜,并提供使用导电 包括锌和铝的氮氧化物。解决方案:当使用包含锌的氧化物形成的透明导电膜中包含铝和氮以形成使用包括锌和铝的导电氮氧化物形成的透明导电膜时,透明导电膜可以具有 电阻率降低。 在形成使用包括锌和铝的导电氮氧化物形成的透明导电膜之后的热处理使得能够降低透明导电膜的电阻率。
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公开(公告)号:JPWO2012124246A1
公开(公告)日:2014-07-17
申请号:JP2012523161
申请日:2012-01-23
申请人: パナソニック株式会社
CPC分类号: H01M4/0426 , C23C14/24 , C23C14/541 , C23C14/562 , H01M4/1395
摘要: 薄膜の製造装置100Aは、真空槽22、成膜源9(蒸発源)、搬送系40及びコータ11を備えている。成膜源9は、真空槽22内の成膜領域31で基板21の第1主面上に薄膜を形成するために使用される。搬送系40は、成膜領域31を基板21が通過するように設定された搬送経路に沿って、基板21を巻き出しローラ23(送出位置)から巻き取りローラ26(回収位置)へと搬送する役割を担う。薄膜を形成する際に基板21に加わる熱によって蒸発しうる基板冷却材料10をコータ11で基板21の第2主面に付与する。
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公开(公告)号:JP2014122394A
公开(公告)日:2014-07-03
申请号:JP2012279532
申请日:2012-12-21
申请人: Kobe Steel Ltd , 株式会社神戸製鋼所
发明人: OBA NAOKI , TAMAGAKI HIROSHI
IPC分类号: C23C14/56
CPC分类号: C23C14/541 , C23C14/562 , C23C16/466 , C23C16/545
摘要: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate carrying apparatus securing a wide temperature control range for a substrate without deterioration of the substrate carrying quality of improving the heat transfer efficiency in non-contact parts of a substrate and a film formation roll.SOLUTION: A substrate carrying apparatus 2a which is arranged in a film formation apparatus 1 carrying out a film formation treatment on the surface of a substrate W and has a cylindrical or columnar film formation roll 6 carrying the substrate W, and the film formation roll 6 comprises: a central small-diameter portion formed in the central part, in the longitudinal direction along the axial center, of the film formation roll 6 and not coming in contact with the substrate W; and both end large-diameter portions 11a and 11b formed at both ends, in the longitudinal direction, of the central small-diameter portion, coming in contact with the substrate W and rotating around the axial center to carry the substrate W, and has a gas introduction mechanism introducing a gas into a space formed between the substrate W and the central small-diameter portion.
摘要翻译: 要解决的问题:提供一种确保基板的宽温度控制范围的基板承载装置,而不会降低基板承载质量,从而提高基板和成膜辊的非接触部分中的传热效率。解决方案:A 基板搬送装置2a配置在成膜装置1中,在基板W的表面进行成膜处理,并具有承载基板W的圆筒状或圆柱状的成膜辊6,成膜辊6包括: 中心小直径部分形成在成膜辊6的中心部分沿着轴向中心的纵向方向,并且不与基底W接触; 以及形成在中心小直径部分的纵向两端的两端部大直径部分11a和11b与基板W接触并围绕轴向中心旋转以承载基板W,并且具有 气体引入机构将气体引入到形成在基板W和中心小直径部分之间的空间中。
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公开(公告)号:JP2014514734A
公开(公告)日:2014-06-19
申请号:JP2013558073
申请日:2012-03-09
IPC分类号: H01L21/26 , C23C14/58 , C23C16/56 , H01L21/205 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/31
CPC分类号: C23C14/5806 , C23C14/34 , C23C14/3435 , C23C14/541 , C23C16/4581 , C23C16/481 , H01J37/3411 , H01J37/3488 , H01L21/02104 , H01L21/28518 , H01L21/2855 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H01L21/68742 , H01L21/76882
摘要: 基板を処理する方法及び装置を開示する。 装置は、基板上への材料処理と熱処理の両方共に行うことができる二重機能チャンバである。 チャンバは、チャンバの処理位置と搬送位置の間に配置された環状の放射源を有する。 リフトピンは、基板の放射加熱を供給するために基板支持体が放射源平面よりも下に下がっている間、処理位置に基板を維持するに十分な長さを有する。 その第1の面に形成された開口を有する基板を処理する方法は、第1の面上の開口に材料を堆積させる段階と、第1の面の反対側の第2の面を加熱することにより材料をリフローさせる段階とを含む。 第2の材料をその後に堆積させることができ、開口を部分的に又は完全に充填する。 代替的に、循環的な堆積/リフロー処理を行うことができる。
【選択図】 図1-
公开(公告)号:JP2014109073A
公开(公告)日:2014-06-12
申请号:JP2013244649
申请日:2013-11-27
申请人: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd , サムスンコーニング精密素材株式会社Samsung Corning Precision Materials Co.,Ltd.
发明人: OH JUNG HONG , AN JIN SOO , RIM CHANG MOOG , YANG GI-MO , OH SANG YOON
CPC分类号: C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/541 , C23C14/562
摘要: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a roll-to-roll sputtering method which can form a vapor deposited film on a flexible substrate at a high temperature by a sputtering vapor-deposition method.SOLUTION: In a roll-to-roll sputtering method, a flexible substrate wound up by a feed roll is conveyed to a vapor deposition part and a vapor deposited film is formed on the flexible substrate, and then the flexible substrate is wound up by a winding roll. The vapor deposition part includes a first vapor deposition part. The first vapor deposition part includes: a first sputter which deposits a first target substance on one surface of the flexible substrate; and a heater which is arranged on the other surface of the flexible substrate and heats the flexible substrate.
摘要翻译: 要解决的问题:提供可以通过溅射气相沉积法在高温下在柔性基板上形成气相沉积膜的辊对辊溅射方法。解决方案:在辊对辊溅射法中, 将由进料辊卷绕的柔性基板输送到蒸镀部,在柔性基板上形成气相沉积膜,然后通过卷绕辊卷绕柔性基板。 蒸镀部包括第一蒸镀部。 第一气相沉积部分包括:第一溅射,其在柔性基板的一个表面上沉积第一目标物质; 以及设置在柔性基板的另一表面上并加热柔性基板的加热器。
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80.
公开(公告)号:JP5462272B2
公开(公告)日:2014-04-02
申请号:JP2011535283
申请日:2010-10-05
申请人: キヤノンアネルバ株式会社
发明人: 徹哉 遠藤 , アインシタイン ノエル アバラ
IPC分类号: C23C14/34
CPC分类号: C23C14/541 , C23C14/50 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J37/34 , H01L21/67103 , H01L21/68721 , H01L21/68735
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