公开(公告)号：JP6137743B2

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：JP2013014353

申请日：2013-01-29

Applicant: エヌエックスピー ユーエスエイ インコーポレイテッド ,  NXP USA,Inc.

Inventor： ム フチェン ,  ワン ヤンツオ

IPC: G11C16/02

CPC classification number: G11C16/0416 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/349 ,  H01L21/28273

公开(公告)号：JP2017084341A

公开(公告)日：2017-05-18

申请号：JP2016172642

申请日：2016-09-05

Applicant: エイチジーエスティーネザーランドビーブイ ,  Hgst Netherlands B V

Inventor： MICHAEL STEPHEN ROTHBERG

IPC: G06F12/16 ,  G11C29/00

CPC classification number: G06F3/0616 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/0653 ,  G06F3/0688 ,  G11C16/349 ,  G11C16/3495

Abstract: 【課題】フラッシュメモリデバイスのための消耗管理方法を提供する。【解決手段】フラッシュストレージシステムを管理するための機械実装方法は、データ操作のためのコマンドを受信すること210を含む。方法は、フラッシュストレージシステムにおける複数のフラッシュメモリデバイスのそれぞれのための予定寿命値を決定することを含み、複数のフラッシュメモリデバイスのうちの少なくとも1つのための予定寿命値は、複数のフラッシュメモリデバイスのうちの少なくとも別の1つのための予定寿命値よりも高い220。また、複数のフラッシュメモリデバイスのうちの1つのフラッシュメモリブロックを、複数のフラッシュメモリデバイスのためのそれぞれの予定寿命値に基づいて、データ操作のために選択すること230を含む。【選択図】図2

公开(公告)号：JPWO2015033404A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：JP2015535204

申请日：2013-09-04

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 幸一郎 山口 ,  誠 御明 ,  仁 志賀 ,  昇 柴田

IPC: G11C29/12

CPC classification number: G11C29/76 ,  G11C11/406 ,  G11C16/00 ,  G11C16/349 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/24 ,  G11C2029/4402

Abstract: 半導体記憶装置は、メモリセルの少なくとも一部の複数のメモリセルに接続された複数のワード線と、メモリセルの少なくとも一部の複数のメモリセルの一群を含む複数のブロックとを有するメモリセルアレイと、複数のワード線の中の特定の2以上のワード線に接続される複数のメモリセルを含み、これらメモリセルにメモリセルアレイ内の不良情報を記憶する不良情報記憶ブロックと、不良情報記憶ブロック内のメモリセルのデータを読み出して、不良情報記憶ブロックの不良判定を行う第1不良検出部と、不良と判定されると、メモリセルのデータの読み出し電圧レベルを変更して、再び不良情報記憶ブロック内のメモリセルのデータを読み出して、不良情報記憶ブロックの不良判定を行う第2不良検出部と、不良と判定されると、不良情報記憶ブロックを不良と決定する不良決定部と、を備える。

Abstract translation: 所述半导体存储器件包括连接到所述多个存储器单元的存储器单元中的至少一部分中的多个字线，其具有多个块包括一组中的至少一些所述多个存储器单元的存储器单元中的一个存储单元阵列 包括多个连接到所述多个字线中的一个特定的两个或更多个字线的存储器单元的，用于在存储器单元中的存储器单元阵列中存​​储缺陷信息的缺陷信息存储块，缺陷信息存储块 读取存储器单元，执行故障信息存储块的异常判定的第一故障检测部的数据时，它被确定为是有缺陷的，通过改变存储单元的数据的读出电压电平，再次缺陷信息存储块 读取内，并执行故障信息存储块的异常判定的第二故障检测单元的存储单元的数据时，它被确定为是有缺陷的，缺陷信息 包括有缺陷的确定部分，用于确定存储块为有缺陷，则。

公开(公告)号：JP5960724B2

公开(公告)日：2016-08-02

申请号：JP2013549612

申请日：2012-01-17

Applicant: サイプレス セミコンダクター コーポレイション

Inventor： サジー レヴィー ,  クリシュナスワミー ラムクマー ,  フレドリック ジェン ,  サム ゲハ

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/318 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/349

公开(公告)号：JP5923085B2

公开(公告)日：2016-05-24

申请号：JP2013509042

申请日：2011-05-02

Applicant: マイクロン テクノロジー, インク.

Inventor： ラドキ,ウィリアム ヘンリー. ,  シェン,ツェンレイ ,  フィーリー,ピーター エス.

IPC: G11C16/06 ,  G11C29/42 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C16/26 ,  G11C11/26 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/349 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/42 ,  G11C29/50004 ,  G11C7/14

公开(公告)号：JP2015228197A

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：JP2014114588

申请日：2014-06-03

Applicant: コニカミノルタ株式会社

Inventor： 野川 博司

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/06 ,  G06F12/00 ,  G06F12/16 ,  G06F12/02

CPC classification number: H04N1/00912 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/10 ,  G11C16/349 ,  G11C16/3495 ,  H04N1/00832 ,  H04N1/00891 ,  H04N1/393 ,  H04N1/40068 ,  G11C2211/5641 ,  H04N2201/0094

Abstract: 【課題】記憶媒体としてフラッシュメモリを使用している画像形成装置において、各機能の動作に必要なデータを保持可能にしつつ、データの信頼性及び機能のパフォーマンスの向上を図る。 【解決手段】単一メモリセル当たりに多値でデータを記録するか2値でデータを記録するかを領域毎に変更可能なフラッシュメモリを備える画像形成装置において、前記画像形成装置の使用状態を監視し、使用履歴情報を生成して記憶する履歴情報生成部と、前記使用履歴情報を参照して、使用頻度が相対的に高いデータを特定する判定部と、少なくとも前記特定したデータを2値で記録できるように、前記フラッシュメモリの記録領域における、2値でデータを記録する領域と多値でデータを記録する領域との比率を変更する記録領域変更部と、を有する。 【選択図】図3

Abstract translation: 要解决的问题：提高数据的可靠性和功能性能，同时使得可以在使用闪存作为存储介质的图像形成装置中保存各种功能的操作所需的数据。解决方案：具有闪存存储器的图像形成装置 可以针对每个区域改变是将每个单个存储器单元的数据记录为多个值还是将数据记录为二进制值的步骤，包括：历史信息生成部，其监视图像形成装置的使用状态并生成使用历史信息 存储它 确定部分，其参考使用历史信息并指定具有较高使用频率的数据; 以及记录区域改变部分，其将记录作为二进制值的数据的区域的比率改变为在闪速存储器的记录区域中记录数据作为多个值的区域，使得至少可以将指定的数据记录为 二进制值。

公开(公告)号：JP5789226B2

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：JP2012161748

申请日：2012-07-20

Applicant: インテリジェント インテレクチュアル プロパティー ホールディングス 2 エルエルシー

Inventor： ロバート・ウッド ,  ジェア・ヒュン ,  ハイロング・サン

IPC: G06F3/08 ,  G06F12/06

CPC classification number: G11C16/3454 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/349

公开(公告)号：JP5785330B2

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：JP2014528595

申请日：2012-08-30

Applicant: マイクロン テクノロジー, インク.

Inventor： バラナシ,チャンドラ シー.

IPC: G11C16/02 ,  G06F3/08 ,  G06F12/16

CPC classification number: G11C16/3495 ,  G11C16/102 ,  G11C16/349 ,  G11C7/1006 ,  G06F2212/7204 ,  G06F2212/7211

公开(公告)号：JP5764235B2

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：JP2014092635

申请日：2014-04-28

Applicant: インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション ,  INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

Inventor： アシシュ・ジャグモハン ,  ルイス・エー・ラストラス−モンターノ ,  ジョン・ピーター・カリディス ,  ミケーレ・マルティーノ・フランチェスキーニ

IPC: G06F12/16

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F11/1012 ,  G11C16/349 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/401 ,  G06F2212/403 ,  G06F2212/7207

公开(公告)号：JP2015069542A

公开(公告)日：2015-04-13

申请号：JP2013205003

申请日：2013-09-30

Applicant: ラピスセミコンダクタ株式会社

Inventor： 松本 拓也 ,  宮崎 聡司 ,  前田 智行

IPC: G06F12/00 ,  G06F12/16

CPC classification number: G11C16/3431 ,  G06F11/1068 ,  G06F12/0246 ,  G06F3/06 ,  G11C16/08 ,  G11C16/14 ,  G11C16/3495 ,  G06F2212/7211 ,  G11C11/5635 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/16 ,  G11C16/349 ,  G11C7/1057 ,  G11C7/106

Abstract: 【目的】半導体メモリから消去回数が最小のブロックを高速に検索することが可能な半導体装置、及び半導体メモリにおける消去回数の検索方法を提供することを目的とする。 【構成】検索開始命令に応じて、ブロック各々のアドレスの系列からなる読出アドレス信号を生成し、当該読出アドレス信号をブロック管理メモリに供給することにより、ブロック管理メモリから各ブロックに対応した消去回数データ片の系列を連続して読み出す。そして、ブロック管理メモリから読み出された消去回数データ片が最小消去回数データ片よりも小なる消去回数を示す場合に、当該消去回数データ片を取り込んで保持しこれを上記最小消去回数データ片として出力すると共に、読出アドレス信号を取り込んで保持し当該読出アドレス信号によって示されるアドレスを最小消去回数アドレスとして出力する。 【選択図】図5

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够从半导体存储器中快速搜索最小擦除频率的块的半导体器件，以及用于在半导体存储器中擦除频率的搜索方法。解决方案：读取地址信号由一系列每个 根据搜索开始命令生成块的地址。 通过将读取地址信号提供给块管理存储器，从块管理存储器连续读取与块对应的一系列擦除频率数据段。 在从块管理存储器读取的擦除频率数据块表示小于最小擦除频率数据段的擦除频率的情况下，取出并保持该擦除频率数据，并将其作为最小擦除 读取地址信号并被保持，并且将由读取地址信号表示的地址作为最小擦除频率地址输出。