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    半導体装置
    81.
    发明专利
    半導体装置 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：JP2016146510A

    公开(公告)日：2016-08-12

    申请号：JP2016097643

    申请日：2016-05-16

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 一條 充弘 ,  遠藤 俊弥 ,  鈴木 邦彦 ,  竹村 保彦

    IPC: H01L21/336 ,  H01L27/08 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L29/7869

    Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタにおいては、酸化物半導体内に水素が存在す ることでトランジスタの電気特性不良に繋がる。そこで、良好な電気特性を有する半導体 装置を提供する。 【解決手段】チャネル領域が形成される酸化物半導体層と接する絶縁層をハロゲン化珪素 を用いたプラズマCVD法により形成する。このようにして形成された絶縁層の水素濃度 は6×10 20 atoms/cm 3 未満であり、且つハロゲンの濃度は1×10 20 at oms/cm 3 以上であるので、酸化物半導体層に水素が拡散することを防ぐことができ 、ハロゲンにより酸化物半導体層内に存在する水素を不活性化させ、または脱離させ、良 好な電気特性を有する半導体装置を提供することできる。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：通过解决使用氧化物半导体的晶体管中存在氧化物半导体中的氢的存在导致晶体管的电特性缺陷的问题，提供具有优异电特性的半导体器件。解决方案：绝缘层 与通过使用卤化硅的等离子体化学气相沉积（CVD）方法形成与设置有沟道区的氧化物半导体层接触。 如此形成的绝缘层的氢浓度小于6×10原子/厘米，卤素浓度为1×10原子/厘米2以上; 因此，可以防止向氧化物半导体层的氢扩散，并且可以通过卤素使存在于氧化物半导体层中的氢失活或脱离。 因此，可以提供具有优异电特性的半导体器件。选择图：图1

    半導体装置の作製方法
    86.
    发明专利
    半導体装置の作製方法 有权
    半导体器件制造方法

    公开(公告)号：JP2015156504A

    公开(公告)日：2015-08-27

    申请号：JP2015078462

    申请日：2015-04-07

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 山崎 舜平 ,  鈴木 邦彦

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/133 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/3228 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1225

    Abstract: 【課題】信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、信頼性の高い 半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装 置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置の作製方法を提供 することを課題の一とする。 【解決手段】成膜中に水素原子を含む不純物と強く結合する物質を成膜室に導入して、成 膜室に残留する水素原子を含む不純物と反応せしめ、水素原子を含む安定な物質に変性す ることで、高純度化された酸化物半導体層を形成する。水素原子を含む安定な物質は酸化 物半導体層の金属原子に水素原子を与えることなく排気されるため、水素原子等が酸化物 半導体層に取り込まれる現象を防止できる。水素原子を含む不純物と強く結合する物質と しては、例えばハロゲン元素を含む物質が好ましい。 【選択図】図1

    半導体装置
    88.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开
    半导体器件

    公开(公告)号：JP2015084426A

    公开(公告)日：2015-04-30

    申请号：JP2014234203

    申请日：2014-11-19

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 山崎 舜平 ,  鈴木 邦彦 ,  高橋 正弘

    IPC: H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L21/02664 ,  H01L21/02565 ,  H01L23/564 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02631 ,  H01L2924/0002

    Abstract: 【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを 目的の一つとする。 【解決手段】フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる 水素や水分(水素原子や、H 2 Oなど水素原子を含む化合物)などの不純物を、酸化物半 導体層より排除し、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。ハロゲン元素は酸化 物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層及び/又は絶縁層に含ませて形成することが でき、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物半導体層に 付着させてもよい。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供包括具有稳定电特性的氧化物半导体的半导体器件。解决方案：借助诸如氟和氯的卤素，诸如氢和水分的杂质（氢原子或含有氢原子的化合物如 作为氧化物半导体层中含有的HO），氧化物半导体层中的杂质浓度降低。 氧化物半导体层可以通过使卤素包含在与氧化物半导体层接触的栅极绝缘层和/或绝缘层中而形成，或者可以通过等离子体处理将卤素附着到氧化物半导体层上 含有卤素的气体气氛。

    半導体装置
    89.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021153205A

    公开(公告)日：2021-09-30

    申请号：JP2021106380

    申请日：2021-06-28

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 一條 充弘 ,  遠藤 俊弥 ,  鈴木 邦彦 ,  竹村 保彦

    IPC: H01L21/28 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

    Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタにおいては、酸化物半導体内に水素が存在す ることでトランジスタの電気特性不良に繋がる。そこで、良好な電気特性を有する半導体 装置を提供する。 【解決手段】チャネル領域が形成される酸化物半導体層と接する絶縁層をハロゲン化珪素 を用いたプラズマCVD法により形成する。このようにして形成された絶縁層の水素濃度 は6×10 20 atoms/cm 3 未満であり、且つハロゲンの濃度は1×10 20 at oms/cm 3 以上であるので、酸化物半導体層に水素が拡散することを防ぐことができ 、ハロゲンにより酸化物半導体層内に存在する水素を不活性化させ、または脱離させ、良 好な電気特性を有する半導体装置を提供することできる。 【選択図】図1

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