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公开(公告)号:JP2017128714A
公开(公告)日:2017-07-27
申请号:JP2016252815
申请日:2016-12-27
申请人: セントラル硝子株式会社
CPC分类号: H01L2224/48091
摘要: 【課題】柔軟性を有する硬化物を与えるシリコーン樹脂組成物、その硬化物、およびこれらを用いた光半導体装置を提供する。 【解決手段】 下記(A)成分、(B)成分および(C)成分を少なくとも含む、硬化性シリコーン樹脂組成物。 (A)成分: 所定の方法によって得られる、H−Si基を含有するシリコーン樹脂、 (B)成分: 所定の方法によって得られる、Vi−Si基を含有するシリコーン樹脂、 (C)成分: ヒドロシリル化触媒。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP5929679B2
公开(公告)日:2016-06-08
申请号:JP2012222769
申请日:2012-10-05
申请人: セントラル硝子株式会社
CPC分类号: G03F7/0757 , C08L83/04 , C08L83/12 , C09D183/04 , C09D183/06 , C09D183/08 , C09D5/00 , G03F7/168 , H01L21/02126 , C08G77/46 , C08G77/80 , C08K5/5419
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公开(公告)号:JP2015129908A
公开(公告)日:2015-07-16
申请号:JP2014145650
申请日:2014-07-16
申请人: セントラル硝子株式会社
IPC分类号: G03F7/039 , G03F7/023 , H01L21/027 , C08G77/24 , G03F7/075
CPC分类号: G03F7/0757 , C09D183/04 , G03F7/0046 , G03F7/0233 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/322 , G03F7/40
摘要: 【課題】高い耐熱性と耐熱透明性を有する膜およびその原料であるポジ型感光性樹脂組成物を提供する。さらに、前記膜を有する電子部品を提供する。 【解決手段】(A)一般式(1):[(R X ) b R 1 m SiO n/2 ](1)[式中、R X は (Xはそれぞれ独立に、水素原子または酸不安定性基であり、aは1〜5の整数である。)であり、bは1〜3、mは0〜2、nは1〜3の整数であり、b+m+n=4である。]で表される構造単位を少なくとも含むポリシロキサン化合物、(B)光酸発生剤もしくはキノンジアジド化合物および(C)溶剤を少なくとも含むポジ型感光性樹脂組成物。 【選択図】図2
摘要翻译: 要解决的问题:提供:具有高耐热性和高耐热透明性的膜和作为膜的成分的正性感光性树脂组合物; 和包含该膜的电子部件。解决方案:正型感光性树脂组合物至少含有(A)至少含有由[(R)RSiO]定义的通式(1)表示的结构单元的聚硅氧烷化合物,其中R表示基团 如图所示,每个X独立地表示氢原子或酸不稳定基团,表示1-5的整数,b表示1-3的整数,m表示0-2的整数,n表示整数 如果满足b + m + n = 4,则为1-3。 (B)光酸产生剂或醌二叠氮化合物; 和(C)溶剂。
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公开(公告)号:JPWO2020090746A1
公开(公告)日:2021-10-14
申请号:JP2019042183
申请日:2019-10-28
申请人: セントラル硝子株式会社
摘要: 式(1)で表される構成単位と、式(2)および式(3)の少なくとも一方の構成単位と、を含むポリシロキサン化合物と、溶剤と、を含むポリシロキサン組成物。 [(R x ) b R 1 m SiO n/2 ] (1) [(R y ) c R 2 p SiO q/2 ] (2) [SiO 4/2 ] (3) ここで、R x は、式(1a) で表される一価の基(Xは水素原子または酸不安定性基、aは1〜5の整数、破線は結合手を表す)であり、R y は、エポキシ基、オキセタン基、アクリロイル基、メタクリロイル基のいずれかを含む炭素数1〜30の一価の有機基である。 【選択図】なし
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公开(公告)号:JPWO2019167771A1
公开(公告)日:2021-03-18
申请号:JP2019006430
申请日:2019-02-21
申请人: セントラル硝子株式会社
摘要: 多層レジスト法における露光時の反射防止機能を有し、ドライエッチング時にフッ素系ガスのプラズマに対してはエッチング速度が速く、酸素系ガスのプラズマに対しては遅い珪素含有層を形成するための珪素含有層形成組成物を提供する。式(1)で表される構造単位を含むポリシロキサン化合物(A)と、溶剤(B)を含む、珪素含有層形成組成物。 [(R 1 ) b R 2 m SiO n/2n/2 ] (1) [式中、R 1 は下式で表される基である。 【化21】 (aは1〜5の整数である。波線は交差する線分が結合手であることを示す。) R 2 はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1以上、3以下のアルキル基、フェニル基、ヒドロキシ基、炭素数1以上、3以下のアルコキシ基または炭素数1以上3以下のフルオロアルキル基であり、bは1〜3の整数、mは0〜2の整数、nは1〜3の整数であり、b+m+n=4である。]
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公开(公告)号:JP6213257B2
公开(公告)日:2017-10-18
申请号:JP2014008423
申请日:2014-01-21
申请人: セントラル硝子株式会社
CPC分类号: C08G77/12 , C08G77/08 , C08K5/56 , C08L83/00 , C08L83/04 , C08L83/06 , C09D183/14 , C09K3/1018 , H01L23/296 , C08G77/16 , C08G77/20 , H01L2924/0002 , H01L33/56
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公开(公告)号:JP2017020005A
公开(公告)日:2017-01-26
申请号:JP2016122503
申请日:2016-06-21
申请人: セントラル硝子株式会社
IPC分类号: C08L83/07 , C09J183/14 , C09J183/07 , C09J11/04 , C09J11/06 , H01L23/29 , H01L23/31 , C08L83/14
CPC分类号: H01L2224/48091
摘要: 【課題】パッケージ基板への密着性および耐熱透明性に優れる硬化物を与える上、保存安定性に優れる硬化性ポリボロシロキサン樹脂組成物およびその硬化物、並びにこれらを用いた光半導体装置を提供することを目的とする。 【解決手段】(A)成分としてヒドロシリル基を有する所定のポリボロシロキサン樹脂と、(B)成分としてビニル基を有する所定のシリコーン樹脂と、(C)成分としてヒドロシリル化触媒とを少なくとも含む、硬化性ポリボロシロキサン樹脂組成物と、その組成物を硬化させてなる硬化物と、光半導体素子を少なくとも備え、該光半導体素子を封止するように該硬化物を備える光半導体装置。 【選択図】図1
摘要翻译: 给出具有优异的粘附性和耐热透明性到封装衬底的固化物的顶部,具有优异的贮存稳定性和固化性聚硼硅氧烷树脂组合物固化物,以及光半导体装置使用这些 其目的。 并具有预定聚硼硅氧烷树脂中的氢甲硅烷基为A(A),(B)和具有乙烯基作为组分的预定的有机硅树脂,其包含至少一个氢化硅烷化催化剂作为组分(C),固化 和性聚硼硅氧烷树脂组合物,通过固化该组合物,至少包括:光学半导体元件而获得的固化产品,其包含固化物的光半导体装置,以密封所述光半导体元件。 1点域
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公开(公告)号:JP6330272B2
公开(公告)日:2018-05-30
申请号:JP2013171012
申请日:2013-08-21
申请人: セントラル硝子株式会社
IPC分类号: G03F7/004 , G03F7/40 , G03F7/038 , G03F7/039 , C08L67/02 , C08L63/00 , C08G63/682 , G03F7/023
CPC分类号: C08G63/6826 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/0233 , G03F7/039 , G03F7/40
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公开(公告)号:JP6281288B2
公开(公告)日:2018-02-21
申请号:JP2014003330
申请日:2014-01-10
申请人: セントラル硝子株式会社
CPC分类号: C08G77/24 , C07F7/1804
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公开(公告)号:JP2017220622A
公开(公告)日:2017-12-14
申请号:JP2016115783
申请日:2016-06-10
申请人: セントラル硝子株式会社
IPC分类号: C09J11/06 , C09J11/04 , C09J183/07 , H01L21/301 , H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/304
摘要: 【課題】半導体ウエハの裏面研磨または切断等の加工を行う際、半導体ウエハが支持材から剥がれることなきよう半導体ウエハを支持材に迅速に確実に固定し、加工後に速やかに半導体ウエハを支持材から剥離させる、半導体ウエハの加工方法を提供する。 【解決手段】表面粗さがRa0.010以上、1.000以下であるガラス基板に、光重合性基を有するシロキサン化合物、光重合開始剤および発泡剤を少なくとも含む接着性組成物を塗布し、形成した接着面に半導体ウエハを粘着させ、次いで、該接着性組成物に高エネルギー光を照射して硬化させることからなる、ガラス基板に半導体ウエハを固定させる接着工程と、固定させた前記半導体ウエハを加工する加工工程と、硬化した前記接着性組成物を加熱し、該接着性組成物中の発泡剤を発泡させてガラス基板から半導体ウエハを剥離する剥離工程を有する、半導体ウエハの加工方法。 【選択図】図1
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