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公开(公告)号：JP5464458B2
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：JP2012501804
申请日：2011-02-23
申请人： 国立大学法人北海道大学 , シャープ株式会社
IPC分类号： H01L33/06 , C30B29/62 , H01L21/205 , H01L29/06 , H01L31/06 , H01L31/10 , H01L33/24 , H01L33/30 , H01S5/042 , H01S5/343
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L29/0676 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/42
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公开(公告)号：JPWO2011105397A1
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：JP2012501804
申请日：2011-02-23
申请人： 国立大学法人北海道大学 , シャープ株式会社
IPC分类号： H01L33/06 , C30B29/62 , H01L21/205 , H01L29/06 , H01L31/04 , H01L31/10 , H01L33/24 , H01L33/30 , H01S5/042 , H01S5/343
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L29/0676 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/42
摘要： 半導体装置(10)は、ガラス基板(12)、下部電極層(14)、n型にドーピングされたポリシリコン半導体層(16)、ナノワイヤ(32)の成長の核となる開口部(22),(23)を有する低温絶縁膜(20)、その上に成長するコアシェル構造のナノワイヤ(32)、その周囲を覆う絶縁層(50)、上部電極層(52)を含んで構成される。ナノワイヤ(32)は、n型GaAsのコア層と、p型GaAsのシェル層とで構成される。この他に、ナノワイヤは、量子井戸構造を有するナノワイヤとすることもでき、処理温度を低温化できるInAsを用いることもできる。
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公开(公告)号：JPWO2011067872A1
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：JP2011544174
申请日：2010-06-04
申请人： 国立大学法人北海道大学 , シャープ株式会社
CPC分类号： H01S5/341 , B82Y20/00 , H01L21/02381 , H01L21/02463 , H01L21/02488 , H01L21/02546 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L2933/0083 , H01S5/1042 , H01S5/105 , H01S5/1835 , H01S5/18369 , H01S5/3428
摘要： 本発明は、低消費電力かつ高輝度に発光する発光素子に関する。本発明の発光素子は、IV族半導体基板と、前記IV族半導体基板上に配置された2以上のコアマルチシェルナノワイヤと、前記IV族半導体基板に接続された第1の電極と、前記コアマルチシェルナノワイヤの側面を被覆し、かつ前記コアマルチシェルナノワイヤの側面に接続された第2の電極とを有する。コアマルチシェルナノワイヤは、第1の導電型のIII−V族化合物半導体からなる中心ナノワイヤと、前記第1の導電型のIII−V族化合物半導体からなる第1のバリア層と、III−V族化合物半導体からなる量子井戸層と、第2の導電型のIII−V族化合物半導体からなる第2のバリア層と、第2の導電型のIII−V族化合物半導体からなるキャッピング層とを有する。
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公开(公告)号：JPWO2011040012A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：JP2011534074
申请日：2010-09-29
申请人： 国立大学法人北海道大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C16/303 , C23C16/45525 , C30B25/005 , C30B25/186 , C30B29/40 , H01L21/02373 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02538 , H01L21/02546 , H01L21/02603 , H01L21/02609 , H01L29/045 , H01L29/267 , H01L29/66356 , H01L29/7391
摘要： 本発明は、小さなサブ閾値で動作可能であり、かつ容易に製造されうるトンネル電界効果トランジスタに関する。本発明のトンネル電界効果トランジスタは、第1導電型にドープされたIV族半導体基板と;前記IV族半導体基板の(111)面上に配置されたIII−V族化合物半導体ナノワイヤであって、前記IV族半導体基板の(111)面に接続された第1の領域と、前記第1導電型と異なる第2導電型にドープされた第2の領域とを含むIII−V族化合物半導体ナノワイヤと;前記IV族半導体基板に接続されたソース電極と;前記III−V族化合物半導体ナノワイヤの第2の領域に接続されたドレイン電極と;前記IV族半導体基板の(111)面と前記III−V族化合物半導体ナノワイヤとの界面、または前記III−V族化合物半導体ナノワイヤの第1の領域と第2の領域との界面に効果を及ぼしうる位置に配置されたゲート電極とを有する。
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公开(公告)号：JPWO2015064094A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：JP2015544804
申请日：2014-10-29
申请人： 国立大学法人北海道大学 , 国立研究開発法人科学技術振興機構
CPC分类号： H01L21/0262 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02373 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02538 , H01L21/02546 , H01L21/02603 , H01L21/02609 , H01L21/02639 , H01L21/02658 , H01L29/045 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/16 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/413 , H01L29/66469 , H01L29/66977 , H01L29/775 , H01L29/78642
摘要： 本発明は、小さなサブ閾値(100mV/桁以下)で動作可能なIII−V族化合物半導体MOSFET(FET)に使用されうるIII−V族化合物半導体ナノワイヤに関する。III−V族化合物半導体ナノワイヤの側面は、微小な(111)面で構成される(−110)面である。たとえば、III−V族化合物半導体ナノワイヤは、その側面が(111)A面である第1の層と、その側面が(111)B面である第2の層とを有する。前記第1の層および前記第2の層は、軸方向に沿って交互に積層されている。
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公开(公告)号：JPWO2015022777A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015531725
申请日：2014-08-12
申请人： 国立大学法人北海道大学 , 国立研究開発法人科学技術振興機構
IPC分类号： H01L21/336 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/20 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66522 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02538 , H01L21/0257 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02661 , H01L29/045 , H01L29/0676 , H01L29/0847 , H01L29/401 , H01L29/413 , H01L29/66356 , H01L29/66666 , H01L29/7391
摘要： トンネル電界効果トランジスタ(TFET)は、p型を呈するIV族半導体基板の(111)面上に、III−V族化合物半導体ナノワイヤが配置され、ソース、ドレイン、およびゲートの各電極が適宜に配置され、または、n型を呈するIV族半導体基板の(111)面上に、III−V族化合物半導体ナノワイヤが配置され、ソース、ドレイン、およびゲートの各電極が適宜に配置され、構成されている。当該ナノワイヤは、第1の領域と第2の領域とによって構成されている。たとえば、第1の領域はp型ドーパントで断続的にドープされ、第2の領域はn型ドーパントでドープされている。
摘要翻译： 隧道场效应晶体管（TFET）是被布置在适当发挥p型，设置在III-V族化合物半导体纳米线，源极，漏极，和栅极的每个电极的表面上的第IV族半导体衬底（111） 或者，显示出n型表面上的所述IV族半导体基板（111），设置在III-V族化合物半导体纳米线，源极，漏极，和栅极的每个电极被适当地定位，被构造。 纳米线由第一和第二区域构成。 例如，第一区域被间歇地掺杂有p型掺杂剂，所述第二区域掺杂有n型掺杂剂。
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公开(公告)号：JP5652827B2
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：JP2011534074
申请日：2010-09-29
申请人： 国立大学法人北海道大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C16/303 , C23C16/45525 , C30B25/005 , C30B25/186 , C30B29/40 , H01L21/02373 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02538 , H01L21/02546 , H01L21/02603 , H01L21/02609 , H01L29/045 , H01L29/267 , H01L29/66356 , H01L29/7391
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