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公开(公告)号：JPWO2015064094A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：JP2015544804
申请日：2014-10-29
申请人： 国立大学法人北海道大学 , 国立研究開発法人科学技術振興機構
CPC分类号： H01L21/0262 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02373 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02538 , H01L21/02546 , H01L21/02603 , H01L21/02609 , H01L21/02639 , H01L21/02658 , H01L29/045 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/16 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/413 , H01L29/66469 , H01L29/66977 , H01L29/775 , H01L29/78642
摘要： 本発明は、小さなサブ閾値(100mV/桁以下)で動作可能なIII−V族化合物半導体MOSFET(FET)に使用されうるIII−V族化合物半導体ナノワイヤに関する。III−V族化合物半導体ナノワイヤの側面は、微小な(111)面で構成される(−110)面である。たとえば、III−V族化合物半導体ナノワイヤは、その側面が(111)A面である第1の層と、その側面が(111)B面である第2の層とを有する。前記第1の層および前記第2の層は、軸方向に沿って交互に積層されている。
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公开(公告)号：JPWO2015022777A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015531725
申请日：2014-08-12
申请人： 国立大学法人北海道大学 , 国立研究開発法人科学技術振興機構
IPC分类号： H01L21/336 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/20 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66522 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02538 , H01L21/0257 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02661 , H01L29/045 , H01L29/0676 , H01L29/0847 , H01L29/401 , H01L29/413 , H01L29/66356 , H01L29/66666 , H01L29/7391
摘要： トンネル電界効果トランジスタ(TFET)は、p型を呈するIV族半導体基板の(111)面上に、III−V族化合物半導体ナノワイヤが配置され、ソース、ドレイン、およびゲートの各電極が適宜に配置され、または、n型を呈するIV族半導体基板の(111)面上に、III−V族化合物半導体ナノワイヤが配置され、ソース、ドレイン、およびゲートの各電極が適宜に配置され、構成されている。当該ナノワイヤは、第1の領域と第2の領域とによって構成されている。たとえば、第1の領域はp型ドーパントで断続的にドープされ、第2の領域はn型ドーパントでドープされている。
摘要翻译： 隧道场效应晶体管（TFET）是被布置在适当发挥p型，设置在III-V族化合物半导体纳米线，源极，漏极，和栅极的每个电极的表面上的第IV族半导体衬底（111） 或者，显示出n型表面上的所述IV族半导体基板（111），设置在III-V族化合物半导体纳米线，源极，漏极，和栅极的每个电极被适当地定位，被构造。 纳米线由第一和第二区域构成。 例如，第一区域被间歇地掺杂有p型掺杂剂，所述第二区域掺杂有n型掺杂剂。
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公开(公告)号：JP5211352B2
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：JP2010533729
申请日：2008-10-17
申请人： 国立大学法人北海道大学 , シャープ株式会社
IPC分类号： H01L33/08 , B82Y10/00 , F21V8/00 , F21Y101/02 , H01L21/203 , H01L21/205
CPC分类号： H01L27/153 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
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公开(公告)号：JPWO2010044129A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：JP2010533729
申请日：2008-10-17
申请人： 国立大学法人北海道大学 , シャープ株式会社
IPC分类号： H01L33/08 , B82Y10/00 , F21V8/00 , H01L21/203
CPC分类号： H01L27/153 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 本発明は、MOVPE選択成長法を用いて、同一基板上に複数の波長を有する半導体面発光素子を製造することを目的とする。具体的に、半導体結晶基板;前記基板の表面に配置された絶縁膜であって、前記絶縁膜は2以上の領域に区分されており、かつ前記2以上の領域のそれぞれには、前記基板の表面を露出させる2以上の開口部が形成されている絶縁膜;前記基板の表面から前記開口部を通って上方に延伸する半導体ロッドであって、前記延伸方向にn型半導体層とp型半導体層が積層されており、p−n接合を有する半導体ロッド、ならびに前記半導体結晶基板に接続された第一電極、および前記半導体ロッドの上部に接続された第二電極を含む半導体発光素子アレーであって、前記半導体ロッドの前記基板表面からの高さは、前記2以上の領域毎に異なる、半導体発光素子アレーが提供される。
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公开(公告)号：JP5309386B2
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：JP2007214119
申请日：2007-08-20
申请人： 国立大学法人北海道大学 , シャープ株式会社
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/44 , H01L33/06 , H01L33/16 , H01L33/18 , H01L33/28 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/34 , H01L33/42
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a semiconductor surface light emitting device having a plurality of wavelengths on the same substrate using the MOVPE (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy) selective growth method. SOLUTION: A semiconductor light emitting device array comprising: a semiconductor crystal substrate; an insulating film arranged on the surface of the substrate, divided into two or more regions, wherein two or more openings that expose the surface of the substrate are formed in the two or more regions, respectively; a semiconductor rod extending upward from the surface of the substrate through the opening, on which an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer are laminated in the extending direction, and having a p-n junction; a first electrode connected to the semiconductor crystal substrate; and a second electrode connected to the upper part of the semiconductor rod, wherein the height from the substrate surface of the semiconductor rod differs for every region. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
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公开(公告)号：JPWO2011040012A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：JP2011534074
申请日：2010-09-29
申请人： 国立大学法人北海道大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C16/303 , C23C16/45525 , C30B25/005 , C30B25/186 , C30B29/40 , H01L21/02373 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02538 , H01L21/02546 , H01L21/02603 , H01L21/02609 , H01L29/045 , H01L29/267 , H01L29/66356 , H01L29/7391
摘要： 本発明は、小さなサブ閾値で動作可能であり、かつ容易に製造されうるトンネル電界効果トランジスタに関する。本発明のトンネル電界効果トランジスタは、第1導電型にドープされたIV族半導体基板と;前記IV族半導体基板の(111)面上に配置されたIII−V族化合物半導体ナノワイヤであって、前記IV族半導体基板の(111)面に接続された第1の領域と、前記第1導電型と異なる第2導電型にドープされた第2の領域とを含むIII−V族化合物半導体ナノワイヤと;前記IV族半導体基板に接続されたソース電極と;前記III−V族化合物半導体ナノワイヤの第2の領域に接続されたドレイン電極と;前記IV族半導体基板の(111)面と前記III−V族化合物半導体ナノワイヤとの界面、または前記III−V族化合物半導体ナノワイヤの第1の領域と第2の領域との界面に効果を及ぼしうる位置に配置されたゲート電極とを有する。
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公开(公告)号：JP5464458B2
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：JP2012501804
申请日：2011-02-23
申请人： 国立大学法人北海道大学 , シャープ株式会社
IPC分类号： H01L33/06 , C30B29/62 , H01L21/205 , H01L29/06 , H01L31/06 , H01L31/10 , H01L33/24 , H01L33/30 , H01S5/042 , H01S5/343
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L29/0676 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/42
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公开(公告)号：JPWO2011105397A1
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：JP2012501804
申请日：2011-02-23
申请人： 国立大学法人北海道大学 , シャープ株式会社
IPC分类号： H01L33/06 , C30B29/62 , H01L21/205 , H01L29/06 , H01L31/04 , H01L31/10 , H01L33/24 , H01L33/30 , H01S5/042 , H01S5/343
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L29/0676 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/42
摘要： 半導体装置(10)は、ガラス基板(12)、下部電極層(14)、n型にドーピングされたポリシリコン半導体層(16)、ナノワイヤ(32)の成長の核となる開口部(22),(23)を有する低温絶縁膜(20)、その上に成長するコアシェル構造のナノワイヤ(32)、その周囲を覆う絶縁層(50)、上部電極層(52)を含んで構成される。ナノワイヤ(32)は、n型GaAsのコア層と、p型GaAsのシェル層とで構成される。この他に、ナノワイヤは、量子井戸構造を有するナノワイヤとすることもでき、処理温度を低温化できるInAsを用いることもできる。
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公开(公告)号：JP5652827B2
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：JP2011534074
申请日：2010-09-29
申请人： 国立大学法人北海道大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C16/303 , C23C16/45525 , C30B25/005 , C30B25/186 , C30B29/40 , H01L21/02373 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02538 , H01L21/02546 , H01L21/02603 , H01L21/02609 , H01L29/045 , H01L29/267 , H01L29/66356 , H01L29/7391
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