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公开(公告)号：JP2018200951A
公开(公告)日：2018-12-20
申请号：JP2017104813
申请日：2017-05-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/60 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L23/12
Abstract: 【課題】複数の電極対の抵抗を容易に異ならせること。 【解決手段】複数の電極22を有する半導体チップ10と、複数の電極22と複数の電極対70を形成する複数の電極42を有する半導体チップ30と、半導体チップ10の複数の電極22が設けられた面と半導体チップ30の複数の電極42が設けられた面との間に挟まれ、金属ナノ粒子52を含有する中間膜50と、を備え、複数の電極対70のうちの電極対70aは金属ナノ粒子52を構成する金属原子54で形成されたデンドライト構造体56aで接続され、電極対70b、70cはデンドライト構造体56で接続されていない又は電極対70aを接続するデンドライト構造体56aとは異なる太さのデンドライト構造体56bで接続されている、半導体装置。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2016219693A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：JP2015105379
申请日：2015-05-25
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/31 , H01L21/76895 , H01L21/76898 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L23/528 , H01L23/562 , H01L23/3114
Abstract: 【課題】貫通電極と配線との接続部の界面に生じる応力を緩和し、接続部の界面で剥離が生じてしまうのを抑制して、歩留まりや信頼性を向上させる。 【解決手段】半導体装置を、半導体基板1と、半導体基板の表面側に設けられた配線層2と、半導体基板の裏面側から半導体基板を貫通し、配線層に含まれる配線2Xに接続される貫通電極3と、配線層に含まれる配線の貫通電極に接続される部分に貫通電極の側へ突出するように設けられ、貫通電極の材料よりも熱膨張係数の小さい絶縁材料からなる部分4A,4Bを含む応力緩和部4とを備えるものとする。 【選択図】図1
Abstract translation: 在贯通电极配线之间的连接部分的界面产生的应力松弛从在一部分中出现的连接的界面的剥离，提高了成品率和可靠性得到抑制。 的一种半导体器件，包括：半导体衬底1，形成于该半导体基板的表面侧的布线层2，贯通从所述半导体基板的背面侧的半导体基板，被连接到布线2X包括在布线层 贯通电极3设置成朝向中的部分中的贯通电极，其通过包括在布线层中的布线的电极连接到所述突出部4A，其包括具有比所述的材料的热膨胀系数低的电介质材料通过电极， 应以及应力缓和部4包括图4B。 点域1
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公开(公告)号：JP5857615B2
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：JP2011228333
申请日：2011-10-17
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/321 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/7684 , H01L21/76849 , H01L21/7685 , H01L21/76877 , H01L23/53295 , H01L2924/0002
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公开(公告)号：JP5834907B2
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：JP2011287937
申请日：2011-12-28
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L24/96 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2224/12105 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/73259 , H01L2224/73267 , H01L2224/97 , H01L2924/15788 , H01L2924/18162
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2015146391A
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：JP2014018780
申请日：2014-02-03
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 【課題】工程増及び工程煩雑化を可及的に抑止しつつ、抗折強度の確保及びゲッタリング効果の確保を双方共に容易且つ確実に実現する半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】半導体装置は、半導体基板1と、半導体基板1の表面に形成された機能素子2とを備えており、半導体基板1は、その裏面1bにおいて、結晶欠陥密度の高い第1の表層1Aと、第1の表層1Aよりも裏面に近い位置に形成された第1の表層1Aよりも結晶欠陥密度の低い第2の表層1Bとを有する。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：为了提供半导体装置及其制造方法，能够在抑制步骤数增加和步骤复杂化的同时，容易且确定地实现弯曲强度的确定和吸气效果的确定 尽可能地。解决方案：半导体器件包括半导体衬底1和形成在半导体衬底1的表面上的功能元件2.半导体衬底1在其背面1b上具有第一表面层1A，其具有 高的晶体缺陷密度，以及形成在比第一表面层1A更靠近背面的位置并且具有低于第一表面层1A的晶体缺陷密度的晶体缺陷密度的第二表面层1B。
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公开(公告)号：JP2015076428A
公开(公告)日：2015-04-20
申请号：JP2013209947
申请日：2013-10-07
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L2224/18 , H01L2224/96
Abstract: 【課題】疑似ウエハの反りを抑制し、複数のデバイスチップが1チップに集積された電子部品を良好な歩留りで製造できる電子部品の製造方法を提供する。 【解決手段】まず、型枠13内に複数のデバイスチップ14a,14bを、デバイスチップ14a,14bの電極形成面を下にして配置する。次に、型枠13内にモールド樹脂15を注入し、モールド樹脂15を硬化させて、疑似ウエハ10とする。その後、型枠13から疑似ウエハ10を取り外し、疑似ウエハ10に切り込み16を形成する。次いで、疑似ウエハ10上に再配線を形成した後、疑似ウエハ10を個々の電子部品に切り分ける。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制造能够制造多个器件芯片作为一个芯片集成为一个芯片的电子部件的电子部件的制造方法。解决方案：首先，多个器件芯片14a，14b 被布置在模板13中，同时将装置芯片14a，14b的电极形成表面向下引导。 随后，将模塑树脂15注入模板13中，并固化以产生伪晶片10.此后，从模板13中取出伪晶片10，在伪晶片10中形成切口16.最后， 在伪晶片10上形成布线，将伪晶片10切割成各个电子部件。
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公开(公告)号：JP6741944B2
公开(公告)日：2020-08-19
申请号：JP2016174704
申请日：2016-09-07
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 北田 秀樹
IPC: H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/82
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公开(公告)号：JP2019213015A
公开(公告)日：2019-12-12
申请号：JP2018106403
申请日：2018-06-01
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 北田 秀樹
Abstract: 【課題】安全性の高い認証コードを生成する電子装置を提供する。 【解決手段】電子装置は、第1回路と、第2回路と、前記第1回路に電気的に接続される第1接合部と、前記第2回路に電気的に接続される第2接合部と、前記第1回路又は前記第1接合部に接続され、前記第1回路及び前記第1接合部の第1電気特性を計測する第1計測回路と、前記第2回路又は前記第2接合部に接続され、前記第2回路及び前記第2接合部の第2電気特性を計測する第2計測回路と、前記第1計測回路及び前記第2計測回路に接続され、前記第1計測回路及び前記第2計測回路によってそれぞれ計測された前記第1電気特性及び前記第2電気特性に基づいて識別子を生成する識別子生成部とを含む。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2018195642A
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：JP2017096577
申请日：2017-05-15
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/60
Abstract: 【課題】針状結晶を効率良く成長させること。 【解決手段】電極14を有する半導体チップ10と、電極14と針状結晶32で電気的に接続された電極24を有する半導体チップ20と、を備え、電極14及び電極24の少なくとも一方は、針状結晶32を発生する金属膜16と、金属膜16を囲んで設けられ、金属膜16よりも熱膨張係数が小さく且つヤング率が大きい金属膜18と、を含む、半導体装置。 【選択図】図1
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