半導体装置の製造方法
    3.
    发明专利

    公开(公告)号:JPWO2018047770A1

    公开(公告)日:2018-09-06

    申请号:JP2017031795

    申请日:2017-09-04

    摘要: 表面に接続端子(30)を有した複数の半導体チップ(40)が、封止材(10)の内部に埋め込まれた構造体を準備する工程と、構造体における半導体チップ(40)の接続端子(30)が埋め込まれている側の面上における領域に第1の絶縁性樹脂膜(60)を形成する工程と、第1の絶縁性樹脂膜(60)および構造体に、接続端子(30)の一部を露出させる第1の開口部(250)を形成する工程と、露出した接続端子(30)と、第1の絶縁性樹脂膜(60)とを覆うように導電膜(110)を形成する工程と、導電膜(110)の表面に第2の絶縁性樹脂膜(70)を形成し、第2の絶縁性樹脂膜(70)に導電膜(110)の一部を露出させる第2の開口部(300)を形成する工程と、を含み、第2の開口部(300)を形成する工程において、第2の絶縁性樹脂膜(70)における半導体チップ(40)上に形成された領域の外部に第2の開口部(300)を形成する。また、第1の絶縁性樹脂膜(60)を構成する樹脂材料として、アルカリ可溶性樹脂を含む感光性樹脂組成物であって、かかる感光性樹脂組成物からなる液滴について、懸滴法により測定した該液滴の表面張力が、20mN/m以上45mN/m以下となるものを使用することを特徴としている。