公开(公告)号：KR102224383B1

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：KR1020200012906A

申请日：2020-02-04

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 펭-웨이 구오 ,  웬-쉬앙 리아오 ,  칭-후이 첸

IPC: H01Q9/04 ,  H01Q3/18

CPC classification number: H01Q9/0414 ,  H01Q1/48 ,  H01L23/481 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L23/528 ,  H01L23/66 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/40 ,  H01Q3/18 ,  H01Q9/0407 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/18

Abstract: 디바이스는, 적어도 하나의 전도성 필라의 근위 단부에 전기적으로 연결되는 접지판, 및 접지판에 실질적으로 평행하는 안테나 패드를 포함하고, 안테나 패드는 제1 유전 상수를 가지는 유전체 패드에 의해 적어도 하나의 전도성 필라의 원위 단부로부터 분리되며, 접지판, 적어도 하나의 전도성 필라 및 유전체 패드는 제1 유전 상수와 다른 제2 유전 상수를 갖는 유전체 충전 재료로 채워지는 안테나 캐비티를 둘러싼다.

公开(公告)号：JP6314705B2

公开(公告)日：2018-04-25

申请号：JP2014138239

申请日：2014-07-04

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 松村 宏志 ,  石橋 大二郎 ,  鈴木 俊秀 ,  川野 陽一

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01Q19/10 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/66 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19105 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q7/00

公开(公告)号：JP6303443B2

公开(公告)日：2018-04-04

申请号：JP2013245281

申请日：2013-11-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 露谷 和俊 ,  勝俣 正史

IPC: H05K3/46

CPC classification number: H01L24/20 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/544 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/83 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/4918 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H05K1/185 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：JP6294670B2

公开(公告)日：2018-03-14

申请号：JP2014000857

申请日：2014-01-07

Applicant: 株式会社ジャパンディスプレイ

Inventor： 川田 靖

IPC: H05B33/04 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/02 ,  G09F9/30 ,  G09F9/00

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/5253 ,  H01L2224/18 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/566 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP2017123452A

公开(公告)日：2017-07-13

申请号：JP2016173875

申请日：2016-09-06

Applicant: サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド.

Inventor： リー、ハイ ジョーン ,  小崎 真 ,  パク、ジ ヒュン ,  リム、ジョン ボン

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01L28/75 ,  H01L23/481 ,  H01L27/016 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/18 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/19105

Abstract: 【課題】本発明は、電子部品及びその製造方法に関する。 【解決手段】本発明は、誘電体層と、上記誘電体層を挟んで配置された第1金属層及び第2金属層と、を含む本体部と、上記本体部内に配置され、上記本体部を貫通し、且つ上記第1及び第2金属層とそれぞれ選択的に連結された第1ビア及び第2ビアを含むビア部と、を含み、上記第1及び第2金属層は互いに異なる金属物質を含む、電子部品及びその製造方法に関する。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP6148772B1

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：JP2016150025

申请日：2016-07-29

Applicant: ルーメンス カンパニー リミテッド

Inventor： キム デ ウォン

IPC: H01L33/38

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/153 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/18 ,  H01L2933/0066

Abstract: 【課題】単一基板上に多数の発光セルを電気的に接続するための配線層を形成するにおいて、発光セルのコーナー部分における配線不良問題、それによる発光ダイオードの発光効率低下、寿命短縮の問題を解決できる改善された構造を有する発光ダイオードを提供する。 【解決手段】本発明による発光ダイオードは、単一の基板上に互いに離隔して配置される第1発光セル及び第2発光セルを含む複数の発光セルと、第1発光セルの上面と一側面、第2発光セルの上面と第1発光セルの一側面と対向する他側面、及び基板上に連続的に形成されるパッシべーション層と、パッシべーション層上に形成され、第1発光セルと第2発光セルとを電気的に接続する配線層と、を有し、配線層は、第1発光セルの上面と一側面とが出会う第1コーナーの付近、又は第2発光セルの上面と他側面とが出会う第2コーナーの付近にコーナーから遠くなる方向に突出したエッジランプ部を含む。 【選択図】 図5

公开(公告)号：JP2017103475A

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：JP2017010517

申请日：2017-01-24

Applicant: 信越化学工業株式会社

Inventor： 竹村 勝也 ,  曽我 恭子 ,  菅生 道博 ,  近藤 和紀 ,  加藤 英人

IPC: H01L25/10 ,  H01L25/11 ,  H01L25/18 ,  C08G59/14 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/18

Abstract: 【課題】半導体素子上に微細な電極形成が施され、半導体素子外部に貫通電極を施されることで、配線基板への載置や半導体装置の積層が容易な半導体装置を提供することを目的とする。 【解決手段】半導体素子と、該半導体素子に電気的に接続される半導体素子上金属パッド及び金属配線を有し、該金属配線が貫通電極及びソルダーバンプに電気的に接続される半導体装置であって、前記半導体素子上に第1の感光性絶縁層が形成され、前記第1の感光性絶縁層上に第2の感光性絶縁層が形成されたものであることを特徴とする半導体装置。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017509154A

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：JP2016554867

申请日：2015-02-26

Applicant: クアルコム,インコーポレイテッド

Inventor： ホン・ボク・ウィ ,  ドン・ウク・キム ,  ジェ・シク・イ ,  シーチュン・グ

IPC: H05K3/42 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H05K3/426 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/18 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/0313 ,  H05K1/111 ,  H05K1/115 ,  H05K3/0094

Abstract: 基板が、実質的に均一な厚さを有する誘電体ポリマーでライニングされた複数のビアを含む。この実質的に均一な厚さは、各誘電体ポリマー層ライニングビア内に、ビア内の実質的に中心に位置する内側空洞を設ける。このようにして、誘電体ポリマー層ライニングビアごとに内側空洞内に後に金属を堆積することにより、実質的に中心に位置する金属導体を有する導電性ビアが設けられる。

公开(公告)号：JP6105358B2

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：JP2013077251

申请日：2013-04-02

Applicant: 太陽誘電株式会社

Inventor： 田中 祥子 ,  田坂 直之 ,  西村 豪紀

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/64 ,  H04B1/40

CPC classification number: H01L2224/18

公开(公告)号：JP2017010992A

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：JP2015122212

申请日：2015-06-17

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 鳥羽 正也 ,  蔵渕 和彦 ,  藤本 大輔 ,  野村 豊 ,  荻原 弘邦 ,  渡瀬 裕介 ,  金子 知世

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L2224/18

Abstract: 【課題】レーザー研削の後の樹脂層において樹脂残渣を好適に除去することが可能な、半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】支持フィルム112上に半硬化又は未硬化状態の熱硬化性樹脂組成物層(a)を形成する工程、能動面126a、及び、能動面126aとは反対側の受動面126bを有する半導体素子126の能動面126aと仮固定層124とが当接するように半導体素子126を仮固定する工程、半導体素子126を熱硬化性樹脂組成物層(a)で封止した後に熱硬化性樹脂組成物層(a)を硬化することにより、半導体素子126の受動面126bを覆う絶縁層114aを形成する工程、並びに、支持フィルム112及び絶縁層114aをレーザーにより研削し、仮固定層124にまで至る開口部128を設ける工程、を備える、半導体装置の製造方法。 【選択図】図8

Abstract translation: 本发明公开了激光研磨后的树脂层，可以适当地除去树脂残留物，以提供一种制造半导体器件的方法。 在未固化状态形成的半固化或热固性树脂组合物层的方法（a）在支撑膜112，活性表面126A，并且具有一个无源表面126B相对的活动表面126A 和半导体元件126和临时固定层124的活性表面126A被暂时固定半导体元件126，以便用热固性树脂组合物层的密封之后的半导体器件126接触的过程中，热固化性树脂（a）中 通过固化组合物层（a），形成由激光的绝缘层114A，其覆盖半导体器件126的钝化表面126B，以及支撑膜112和绝缘层114a和接地，以临时固定层124 提供开口128点延伸的包括，一种制造半导体器件的方法的步骤。 点域8