公开(公告)号：KR20210034376A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：KR1020190116259A

申请日：2019-09-20

申请人： 재단법인대구경북과학기술원

发明人： 장경인 ,  금호현 ,  라종철 ,  허승경

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L21/7806 ,  H01L21/6835 ,  H01L51/003 ,  B32B37/025 ,  B32B7/06 ,  C09J5/00 ,  C09J7/38 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768 ,  H01L24/50 ,  B32B2457/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2301/502 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68386 ,  H01L51/0013

摘要： 본 발명은 전자장치 제조방법을 제공한다. 본 발명은 기판 상에 피박리층을 배치하여 적층체를 형성하는 단계, 상기 적층체에 열충격을 가하는 단계, 상기 기판으로부터 상기 피박리층를 이탈시키는 단계 및 이탈된 상기 피박리층을 대상 기판으로 전사하는 단계를 포함하는, 전자장치 제조방법을 제공한다.

公开(公告)号：JP6379210B2

公开(公告)日：2018-08-22

申请号：JP2016551964

申请日：2015-09-25

申请人： 富士フイルム株式会社

发明人： 加持 義貴 ,  小山 一郎 ,  岩井 悠 ,  中村 敦 ,  沢野 充

IPC分类号： C08K5/00 ,  C08K3/014 ,  C08L53/00 ,  C09J7/00 ,  C09J153/00 ,  B32B7/00 ,  B32B27/30 ,  H01L21/3065 ,  C08L21/00

CPC分类号： C09J11/06 ,  B32B7/04 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B9/043 ,  B32B15/06 ,  B32B25/04 ,  B32B25/12 ,  B32B25/14 ,  B32B25/16 ,  B32B25/18 ,  B32B25/20 ,  B32B27/06 ,  B32B27/08 ,  B32B27/36 ,  B32B2250/03 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/26 ,  B32B2270/00 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/51 ,  B32B2307/58 ,  B32B2307/732 ,  B32B2307/748 ,  B32B2457/14 ,  C08J3/092 ,  C08J5/18 ,  C08J2309/06 ,  C08J2353/02 ,  C09J7/00 ,  C09J7/10 ,  C09J121/00 ,  C09J153/025 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2453/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68386

公开(公告)号：JP2018113307A

公开(公告)日：2018-07-19

申请号：JP2017001999

申请日：2017-01-10

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 義田 卓司

IPC分类号： B24B7/22 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L23/585 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386

摘要： 【課題】半導体装置の製造歩留りを向上させる。 【解決手段】製品チップとパターン禁止領域PNRとの間に擬似チップSC2が設けられた半導体ウェハSWを準備する。そして、半導体ウェハSWのエッジ部分EGPを残して、その内側の半導体基板SSの下面Sbを研削した後、半導体ウェハSWをリング状に切断して、エッジ部分EGPを除去する。ここで、擬似チップSC2では、半導体基板SSの上面Sa上に導電パターンMEを覆う保護膜RFが形成されており、保護膜RFのパターン禁止領域PNRに対向する端面が導電パターンME上に位置する。さらに、平面視において、エッジ部分EGPの内周端はパターン禁止領域PNRに位置し、エッジ部分EGPの内周端と擬似チップSC2との間のパターン禁止領域PNRがリング状に切断される。 【選択図】図25

公开(公告)号：JP2018085541A

公开(公告)日：2018-05-31

申请号：JP2018018133

申请日：2018-02-05

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 保本 清治 ,  佐藤 将孝 ,  江口 晋吾 ,  鈴木 邦彦

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/02 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/6836 ,  B32B38/10 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/50 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  Y10T156/1712

摘要： 【課題】剥離性を向上させること。または、剥離工程における歩留まりを向上すること。 または、フレキシブルデバイスの製造歩留まりを向上すること 【解決手段】支持基板上にタングステンを含む剥離層を形成する第1の工程と、前記剥離 層上に、酸化窒化シリコンを含む第1の層、及び窒化シリコンを含む第2の層が順に積層 された被剥離層と、前記剥離層と前記被剥離層との間にタングステン酸化物を含有する酸 化物層と、を形成する第2の工程と、加熱処理により、前記酸化物層中にタングステンと 窒素を含む化合物を形成する第3の工程と、前記酸化物層を境に、前記剥離層と前記被剥 離層とを剥離する第4の工程と、を有する剥離方法を用いる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6268158B2

公开(公告)日：2018-01-24

申请号：JP2015501697

申请日：2013-03-06

申请人： スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー

发明人： ドロネン, ブレイク アール. ,  マホニー, ウェイン エス. ,  ラーソン, エリック ジー.

IPC分类号： H01L21/304 ,  C09J201/00 ,  C09J133/00 ,  C09J11/00 ,  C09J4/02 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/6836 ,  B32B7/06 ,  B32B38/10 ,  C09J7/385 ,  C09J7/401 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2433/005 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/1452 ,  Y10T428/1457 ,  Y10T428/1476

公开(公告)号：JP2017195367A

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：JP2017074288

申请日：2017-04-04

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山崎 舜平 ,  佐藤 将孝 ,  大野 正勝 ,  保本 清治 ,  安達 広樹

IPC分类号： H01L27/12 ,  B32B27/00 ,  B32B38/18 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  G09F9/00 ,  B23K26/57 ,  B23K26/36 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2227/326 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/0097

摘要： 【課題】低コストで量産性の高い剥離方法を提供する。 【解決手段】作製基板上に酸化物層を形成し、酸化物層上に、感光性を有する材料を用いて、第1の層を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて、第1の層の酸化物層と重なる部分に開口を形成し、第1の層を加熱して開口を有する樹脂層を形成し、樹脂層上にチャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタを形成し、樹脂層の開口及び酸化物層と重なるように導電層を形成し、レーザを用いて酸化物層に光を照射し、トランジスタと作製基板とを分離する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017191933A

公开(公告)日：2017-10-19

申请号：JP2017074287

申请日：2017-04-04

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山崎 舜平 ,  保坂 泰靖 ,  井戸尻 悟 ,  岡崎 健一 ,  安達 広樹 ,  久保田 大介

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/02 ,  H01L27/32 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  B23K26/36 ,  B23K26/57 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68386 ,  H01L27/3262

摘要： 【課題】低コストで量産性の高い剥離方法を提供する。 【解決手段】作製基板上に、感光性及び熱硬化性を有する材料を用いて、厚さ0.1μm以上3μm以下の樹脂層を形成し、樹脂層上に、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタを形成し、線状レーザ装置を用いて、樹脂層に光を照射し、トランジスタと作製基板とを分離する。樹脂層に、第1の領域及び第1の領域よりも厚さの薄い第2の領域、または、開口を形成することができる。樹脂層の第2の領域または開口と重ねて、外部接続端子等として機能する導電層を形成した場合、分離によって、当該導電層が露出する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6211884B2

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：JP2013212670

申请日：2013-10-10

申请人： 株式会社ディスコ

发明人： 香西 宏彦 ,  服部 篤

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/301

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/02076 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386

公开(公告)号：JP6193627B2

公开(公告)日：2017-09-06

申请号：JP2013118009

申请日：2013-06-04

申请人： 日東電工株式会社

发明人： 花園 博行 ,  高本 尚英 ,  盛田 浩介 ,  福井 章洋

IPC分类号： H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/6836 ,  C09J7/10 ,  C09J7/22 ,  C09J7/35 ,  C09J7/38 ,  H01L23/293 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2463/00 ,  C09J2479/08 ,  H01L21/563 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L24/14 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83

公开(公告)号：JP6167108B2

公开(公告)日：2017-07-19

申请号：JP2014539062

申请日：2012-10-26

申请人： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド ,  MEMC ELECTRONIC MATERIALS,INCORPORATED

发明人： グレゴリー・エイ・ヤング ,  ジェフリー・エル・リバート

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L21/304

CPC分类号： B32B43/006 ,  B32B38/10 ,  H01L21/67092 ,  C09J2205/302 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2221/6839 ,  Y10S156/93 ,  Y10S156/941 ,  Y10T156/1168 ,  Y10T156/1184 ,  Y10T156/1961 ,  Y10T156/1978 ,  Y10T225/10 ,  Y10T225/12 ,  Y10T225/357 ,  Y10T225/393