公开(公告)号：JP6957668B2

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：JP2020063200

申请日：2020-03-31

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 神長 正美 ,  相原 大和 ,  栃林 克明 ,  荒川 徹

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

公开(公告)号：JPWO2020084415A1

公开(公告)日：2021-10-28

申请号：JPIB2019058888

申请日：2019-10-18

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  高橋 絵里香 ,  福島 邦宏 ,  栃林 克明 ,  方堂 涼太

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L21/336

Abstract: 信頼性が良好な半導体装置を提供する。酸化物半導体を形成し、酸化物半導体に接する第1の絶縁体を成膜し、第1の絶縁体上に、第2の絶縁体を成膜し、第2の絶縁体上に、第3の絶縁体を成膜し、第3の絶縁体、第2の絶縁体、および第1の絶縁体に、開口部を形成し、開口部内を洗浄し、洗浄された開口部内に導電体を埋め込み、第1の絶縁体は、過剰酸素領域を含むように形成され、第2の絶縁体は、第1の絶縁体よりも、酸素、水素、または水に対する高いバリア性を有するように形成され、開口部は、円柱、または逆円錐の形状になるように加工する。

公开(公告)号：JP2021108407A

公开(公告)日：2021-07-29

申请号：JP2021079810

申请日：2021-05-10

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 笹川 慎也 ,  下村 明久 ,  栃林 克明 ,  遠藤 佑太 ,  山崎 舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L21/336

Abstract: 【課題】微細な形状を提供する。チャネル長の小さいトランジスタを提供する。 【解決手段】基板上に半導体を形成し、半導体上に、第1の導電体を成膜し、第1の導電 体上に第1の絶縁体を成膜し、第1の絶縁体上にレジストを成膜し、レジストを露光およ び現像することで、第2の領域および第3の領域を残存させて第1の絶縁体の一部を露出 し、基板の上面に垂直な方向のバイアスを印加し、かつ炭素およびハロゲンを有するガス によってプラズマを生成し、プラズマによって、有機物を堆積させるとともに、有機物を エッチングし、有機物は、第1の絶縁体の露出部においてはエッチング速度が堆積速度を 上回り、第2の領域の側面においては堆積速度がエッチング速度を上回る半導体装置の作 製方法である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6871328B2

公开(公告)日：2021-05-12

申请号：JP2019159379

申请日：2019-09-02

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  肥塚 純一 ,  岡崎 健一 ,  池山 輝正 ,  栃林 克明

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/146 ,  H01L21/336

公开(公告)号：JPWO2019166906A1

公开(公告)日：2021-02-18

申请号：JPIB2019051278

申请日：2019-02-18

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 畑 勇気 ,  栃林 克明 ,  菅尾 惇平 ,  山崎 舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/786

Abstract: オン電流が大きい半導体装置を提供する。第1の酸化物と、第1の酸化物上の第2の酸化物と、第2の酸化物上の第3の酸化物と、第3の酸化物上の第1の絶縁体と、第1の絶縁体上の導電体と、第2の酸化物、および第3の酸化物と接する第2の絶縁体と、第2の絶縁体上の第3の絶縁体と、を有し、第2の酸化物は、第1乃至第5の領域を有し、第1の領域、および第2の領域の抵抗は、第3の領域の抵抗より低く、第4の領域、および第5の領域の抵抗は、第3の領域の抵抗より低く、かつ第1の領域、および第2の領域の抵抗より高く、導電体は、第3の領域、第4の領域、および第5の領域と重畳するように、第3の領域、第4の領域、および第5の領域の上方に設けられる半導体装置。

公开(公告)号：JPWO2019130162A1

公开(公告)日：2021-01-14

申请号：JPIB2018060305

申请日：2018-12-19

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  方堂 涼太 ,  鴨川 知世 ,  栃林 克明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  C23C14/06 ,  H01L21/336

Abstract: オン電流が大きく、信頼性の優れた半導体装置を提供する。第1の絶縁体と、第1の絶縁体上の第2の絶縁体と、第1の絶縁体上の第1の酸化物と、第1の酸化物上の第2の酸化物と、第2の酸化物上の第1の導電体および第2の導電体と、第1の導電体上の第3の絶縁体と、第2の導電体上の第4の絶縁体と、第2の酸化物上の第3の酸化物と、第3の酸化物上の第5の絶縁体と、第5の絶縁体上に位置し、第3の酸化物と重なる第3の導電体と、第1乃至第5の絶縁体、第1の酸化物、第2の酸化物、および第1乃至第3の導電体を覆う第6の絶縁体と、第6の絶縁体上の第7の絶縁体と、を有し、第6の絶縁体は、第1の絶縁体の上面の一部、第2の絶縁体の側面、第5の絶縁体の側面、第1乃至第3の酸化物の側面、第1乃至第3の導電体の側面、および第3の導電体の上面と接する半導体装置。

公开(公告)号：JP2019186496A

公开(公告)日：2019-10-24

申请号：JP2018078955

申请日：2018-04-17

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  栃林 克明 ,  山出 直人 ,  本多 大章 ,  方堂 涼太

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/417 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】オン電流が大きく、信頼性が良好な半導体装置を提供する。 【解決手段】絶縁体224と、絶縁体224上の酸化物230aと、酸化物230a上の酸化物230bと、酸化物230b上の酸化物243aおよび酸化物243bと、酸化物230b上の酸化物230cと、酸化物230c上の絶縁体250と、絶縁体250上に位置し、酸化物230cと重なる導電体260と、を有する。酸化物230b、および酸化物243a、および酸化物243bは、それぞれ不純物の添加により低抵抗化した領域253a、および領域253bを有することが好ましい。領域253は、ソース領域またはドレイン領域として機能する。また酸化物230b上において、ゲート電極として機能する導電体260と酸化物243が重畳する領域が設けられる。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP6567374B2

公开(公告)日：2019-08-28

申请号：JP2015183912

申请日：2015-09-17

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 笹川 慎也 ,  下村 明久 ,  栃林 克明 ,  遠藤 佑太 ,  山崎 舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/417 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/146 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/336

公开(公告)号：JP2019140408A

公开(公告)日：2019-08-22

申请号：JP2019087014

申请日：2019-04-29

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 肥塚 純一 ,  佐々木 俊成 ,  栃林 克明 ,  山崎 舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/283 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  H05B33/02 ,  H01L27/146 ,  H01L21/336

Abstract: 【課題】半導体膜として酸化物半導体を用いたトランジスタ上に層間絶縁膜を有する半導 体装置の電気特性の変動を抑制する。 【解決手段】半導体膜上におけるソース電極およびドレイン電極によって形成される段差 領域に空隙部を有し、酸化シリコンを成分として含む第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜の空 隙部を塞ぐように第1の絶縁膜に接して設けられた窒化シリコンを成分として含む第2の 絶縁膜とを含む構成とする。当該構成とすることで、第1の絶縁膜に生じた空隙部がさら に外側に空隙部が広がることを防ぐことができる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2019140362A

公开(公告)日：2019-08-22

申请号：JP2018040197

申请日：2018-03-06

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  栃林 克明 ,  方堂 涼太

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/06 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】オン電流が大きく、信頼性の優れた半導体装置を提供する。 【解決手段】第1の絶縁体と、第1の絶縁体上の第2の絶縁体および第1の導電体と、第2の絶縁体上の第3の絶縁体と、第1の導電体上、第2の絶縁体上および第3の絶縁体上の第4の絶縁体と、第4の絶縁体上の第5の絶縁体と、第5の絶縁体上の第1の酸化物と、第1の酸化物上の第2の酸化物と、第2の酸化物上の第2の導電体および第3の導電体と、第2の導電体上の第6の絶縁体と、第3の導電体上の第7の絶縁体と、第6の絶縁体上の第8の絶縁体と、第7の絶縁体上の第9の絶縁体と、第2の酸化物の上面と接する第3の酸化物と、第3の酸化物上の第10の絶縁体と、第10の絶縁体上の第4の導電体と、第8の絶縁体、第9の絶縁体および第4の導電体を覆う第11の絶縁体と、を有し、第2の絶縁体は第1の導電体の側面と接し、第11の絶縁体は第4の絶縁体の上面と接する半導体装置。 【選択図】図1