中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

43 records (took 0.046 seconds)

    半導体装置
    2.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020178144A

    公开(公告)日：2020-10-29

    申请号：JP2020132337

    申请日：2020-08-04

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 方堂 涼太 ,  倉田 求 ,  笹川 慎也

    IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/786

    Abstract: 【課題】占有面積が小さく、集積度の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】第1の導電層を形成し、第1の導電層上に第1の絶縁層を形成し、第1の絶 縁層上に第1の導電層と同じ材料を用いて第2の導電層を形成し、第2の導電層上に第3 の導電層を形成し、第3の導電層上に第2の絶縁層を形成し、第2の絶縁層上にレジスト マスクを形成し、順次上層からエッチングし、第1の導電層の開口部の形成と第2の導電 層の開口部の径の拡大を同一工程で行い、第1の絶縁層をエッチングすることで第1の導 電層の上面が露出するコンタクトホールを形成する。 【選択図】図1

    半導体装置の製造方法
    3.
    发明专利
    半導体装置の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020098937A

    公开(公告)日：2020-06-25

    申请号：JP2020035756

    申请日：2020-03-03

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 倉田 求 ,  方堂 涼太 ,  飯田 裕太

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/088 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/336

    Abstract: 【課題】微細なトランジスタ、寄生容量の小さいトランジスタ、周波数特性の高いトランジスタまたは該トランジスタを有する半導体装置を提供する。 【解決手段】第1の開口部と、第2の開口部と、第3の開口部と、を有する半導体装置であり、第1のエッチングおよび第2のエッチングを行うことで、第1の開口部、第2の開口部および第3の開口部を形成し、第1のエッチングは、第1の開口部、第2の開口部および第3の開口部を形成するために、第1の絶縁体をエッチングし、第2のエッチングは、第1の開口部を形成するために、第1の金属酸化物、第2の絶縁体、第3の絶縁体、第4の絶縁体、第2の金属酸化物および第5の絶縁体をエッチングし、第2の開口部を形成するために、第1の金属酸化物、第2の絶縁体および第3の絶縁体をエッチングし、第3の開口部を形成するために第1の金属酸化物をエッチングする。 【選択図】図1

    半導体装置の製造方法
    7.
    发明专利
    半導体装置の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021122050A

    公开(公告)日：2021-08-26

    申请号：JP2021074803

    申请日：2021-04-27

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 倉田 求 ,  方堂 涼太 ,  飯田 裕太

    IPC: H01L23/522 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/146 ,  H01L21/768

    Abstract: 【課題】微細なトランジスタ、寄生容量の小さい、周波数特性の高いトランジスタを有する半導体装置を提供する。 【解決手段】第1の開口部と、第2の開口部と、第3の開口部と、を有する半導体装置であって、第1のエッチングおよび第2のエッチングを行うことで、第1の開口、第2の開口部および第3の開口部を形成する。第1のエッチングは、第1の開口部、第2の開口部および第3の開口部を形成するために、第1の絶縁体をエッチングする。第2のエッチングは、第1の開口部を形成するために、第1の金属酸化物、第2の絶縁体、第3の絶縁体、第4の絶縁体、第2の金属酸化物および第5の絶縁体をエッチングし、第2の開口部を形成するために、第1の金属酸化物、第2の絶縁体および第3の絶縁体をエッチングし、第3の開口部を形成するために第1の金属酸化物をエッチングする。 【選択図】なし

    半導体装置、および半導体装置の作製方法
    9.
    发明专利
    半導体装置、および半導体装置の作製方法 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2018224912A1

    公开(公告)日：2020-06-25

    申请号：JPIB2018053789

    申请日：2018-05-29

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 方堂 涼太 ,  松林 大介 ,  倉田 求 ,  本田 龍之介

    IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786

    Abstract: 良好な電気特性を有する半導体装置を提供する。基板上にトランジスタと、第1の配線と、第2の配線と、を有する半導体装置であって、トランジスタは、第1の酸化物と、第1の酸化物の上の第1の絶縁体および第2の絶縁体と、第1の絶縁体および第2の絶縁体上の第2の酸化物と、第2の酸化物の上の導電体と、を有し、第1の絶縁体と、第2の絶縁体は、第2の酸化物を介して導電体と重なる領域を有し、第1の絶縁体は、第1の酸化物に達する第1の開口を有し、第1の配線は、第1の開口を介して第1の酸化物の上面に接し、第2の絶縁体は、第1の酸化物に達する第2の開口を有し、第2の配線は、第2の開口を介して第1の酸化物の上面に接し、第1の絶縁体と、第2の絶縁体は、それぞれ不純物を含む。

    半導体装置、および半導体装置の作製方法
    10.
    发明专利
    半導体装置、および半導体装置の作製方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019201060A

    公开(公告)日：2019-11-21

    申请号：JP2018093460

    申请日：2018-05-15

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 倉田 求 ,  笹川 慎也 ,  方堂 涼太

    IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786

    Abstract: 【課題】良好な電気特性を有する半導体装置を提供する。 【解決手段】酸化物と、酸化物上に、お互いに離間して設けられた第1の導電体、および第2の導電体と、酸化物上、かつ第1の導電体と第2の導電体の間の領域と重畳する領域を有する第3の導電体と、第3の導電体上の第1の絶縁体と、酸化物と、第3の導電体の間に配置され、第3の導電体の側面を覆い、かつ、第1の絶縁体の側面と接するように配置された第2の絶縁体と、第1の絶縁体、および第2の絶縁体上の、第1の開口、および第2の開口を有する第3の絶縁体と、第1の開口を介して第1の導電体と電気的に接続する第4の導電体と、第2の開口を介して第2の導電体と電気的に接続する第5の導電体と、を有し、第1の開口、および第2の開口の少なくとも一方は、第1の絶縁体、および第2の絶縁体の少なくとも一方と重畳する領域を有する。 【選択図】図1

Patent Agency Ranking