公开(公告)号：JP2021170660A

公开(公告)日：2021-10-28

申请号：JP2021113455

申请日：2021-07-08

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  竹内 敏彦 ,  村川 努 ,  駒形 大樹 ,  松林 大介 ,  石原 典隆 ,  野中 裕介

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】良好な電気特性を有し、高集積化が可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】トランジスタ200は領域239において、第1の絶縁体224と、第1の絶縁体224上の酸化物230と、酸化物230上の第2の絶縁体250と、第2の絶縁体上の第1の導電体260と、第1の絶縁体224の上面、酸化物の側面230a、230b、酸化物の上面、第2の絶縁体250の側面及び第1の導電体260の側面に接する、第3の絶縁体273と、第3の絶縁体273上の第4の絶縁体282と、を有する。第3の絶縁体273は、第2の絶縁体250を露出する開口を有する。第4の絶縁体282は、開口を介して第1の絶縁体224と接する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2021168388A

公开(公告)日：2021-10-21

申请号：JP2021095826

申请日：2021-06-08

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 太田 将志 ,  石原 典隆 ,  中島 基 ,  黒澤 陽一 ,  山崎 舜平 ,  保坂 泰靖 ,  生内 俊光 ,  肥塚 純一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  G09F9/30 ,  G09F9/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H01L21/28

Abstract: 【課題】導電性を有する酸化物半導体膜を備えた半導体装置の作製方法を提供する。また は、透光性を有するとともに、導電性を有する酸化物半導体膜を備えた半導体装置の作製 方法を提供する。 【解決手段】第1の絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に含まれる酸素 が脱離する雰囲気で第1の加熱処理を行った後、水素を含む雰囲気で第2の加熱処理を行 って、導電性を有する酸化物半導体膜を形成する半導体装置の作製方法である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JPWO2019048983A1

公开(公告)日：2020-10-15

申请号：JPIB2018056534

申请日：2018-08-28

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  竹内 敏彦 ,  村川 努 ,  駒形 大樹 ,  松林 大介 ,  石原 典隆 ,  野中 裕介

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L21/336

Abstract: 良好な電気特性を有し、高集積化が可能な半導体装置を提供する。第1の絶縁体と、第1の絶縁体上の酸化物と、酸化物上の第2の絶縁体と、第2の絶縁体上の第1の導電体と、第1の絶縁体の上面、酸化物の側面、酸化物の上面、第2の絶縁体の側面および第1の導電体の側面に接する、第3の絶縁体と、第3の絶縁体上の第4の絶縁体と、を有し、第3の絶縁体は、第1の絶縁体を露出する開口を有し、第4の絶縁体は、開口を介して第1の絶縁体と接する半導体装置。

公开(公告)号：JP6647841B2

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：JP2015232167

申请日：2015-11-27

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  馬場 晴之 ,  鈴木 陽夫 ,  澤井 寛美 ,  早川 昌彦 ,  石原 典隆 ,  太田 将志

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  G09F9/30 ,  G09F9/00 ,  C30B23/08 ,  C30B29/22 ,  H01L21/363 ,  H01L21/477 ,  H01L29/786

公开(公告)号：JP6634539B2

公开(公告)日：2020-01-22

申请号：JP2019127461

申请日：2019-07-09

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 高橋 正弘 ,  廣橋 拓也 ,  津吹 将志 ,  石原 典隆 ,  太田 将志

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

公开(公告)号：JP2019047101A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：JP2017237528

申请日：2017-12-12

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  浅見 良信 ,  竹内 敏彦 ,  倉田 求 ,  方堂 涼太 ,  森若 智昭 ,  石原 典隆 ,  野中 裕介 ,  松林 大介

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/336

Abstract: 【課題】良好な電気特性を有する半導体装置を提供する。 【解決手段】トランジスタ200において、酸化物230上に接するように設けられ、ソース電極やドレイン電極として機能する導電体242a、242bが、酸化物230の酸素を吸収する機能を有する場合または酸化物230に水素、窒素、または金属元素などの不純物を供給する機能を有する場合、酸化物230には、部分的に低抵抗領域が形成される場合がある。絶縁体250の、導電体242a、242bと導電体260の間の膜厚を、酸化物230bと導電体260の間の膜厚より厚くすることにより、導電体260と導電体242a、242bの間の寄生容量をさらに低減し、より高い周波数特性を有する。さらに、酸化物230bと、導電体260の間の膜厚が薄いので、ゲート電極からの電界が弱まることもないので、良好な電気特性を有する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JPWO2017182910A1

公开(公告)日：2019-02-21

申请号：JPIB2017052071

申请日：2017-04-11

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  栗城 和貴 ,  恵木 勇司 ,  石原 典隆 ,  野中 裕介 ,  山根 靖正 ,  徳丸 亮 ,  松林 大介

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/336

Abstract: 良好な信頼性を有する半導体装置を提供する。 第1の導電体上に第1の絶縁体、第2の絶縁体、及び第3の絶縁体を形成し、第3の絶縁体にマイクロ波励起プラズマ処理を行い、島状の第1の酸化物半導体と、第1の酸化物半導体上の第2の導電体、及び第3の導電体と、を形成し、第1の酸化物半導体、第2の導電体、及び第3の導電体上に、酸化物半導体膜、第1の絶縁膜、及び導電膜を形成し、第1の絶縁膜、及び導電膜の一部を除去し、第4の絶縁体、及び第4の導電体を形成し、酸化物半導体膜と、第4の絶縁体と、第4の導電体と、を覆うように、第2の絶縁膜を形成し、酸化物半導体膜、及び第2の絶縁膜、の一部を除去し、第2の酸化物半導体、及び第5の絶縁体を形成することで、第1の酸化物半導体の側面を露出し、前記側面、及び第2の酸化物半導体の側面と接して、第6の絶縁体を形成し、第6の絶縁体と接して、第7の絶縁体を形成し、加熱処理を行う。

公开(公告)号：JP6418861B2

公开(公告)日：2018-11-07

申请号：JP2014189001

申请日：2014-09-17

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 石原 典隆 ,  太田 将志 ,  津吹 将志 ,  神長 正美 ,  島 行徳 ,  肥塚 純一 ,  保坂 泰靖 ,  山崎 舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  G02F1/1368 ,  H05B33/08 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  C23C14/08 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：JP2017199900A

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：JP2017081073

申请日：2017-04-17

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  栗城 和貴 ,  恵木 勇司 ,  澤井 寛美 ,  野中 裕介 ,  石原 典隆 ,  松林 大介

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 【課題】良好な信頼性を有する半導体装置を提供する。 【解決手段】島状の第1の酸化物半導体と、第1の酸化物半導体上の第1の導電体、および第2の導電体と、を形成し、第1の酸化物半導体、第1の導電体、および第2の導電体上に、酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に、第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に導電膜を形成し、第1の絶縁膜、および導電膜の一部を除去し、第1の絶縁体、および第3の導電体を形成し、酸化物半導体膜と、第1の絶縁体と、第3の導電体と、を覆うように、第2の絶縁膜を形成し、酸化物半導体膜、および第2の絶縁膜、の一部を除去し、第2の酸化物半導体、および第2の絶縁体を形成することで、第1の酸化物半導体の側面を露出し、第1の酸化物半導体の側面、および第2の酸化物半導体の側面と接して、第3の絶縁体を形成し、第3の絶縁体と接して、第4の絶縁体を形成し、第3の絶縁体、および第4の絶縁体に対して、マイクロ波励起プラズマ処理を行う。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2017145510A

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：JP2017092103

申请日：2017-05-08

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  津吹 将志 ,  太田 将志 ,  黒澤 陽一 ,  石原 典隆

IPC: H01L21/363 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  C23C14/08

CPC classification number: H01L21/02631 ,  B82Y30/00 ,  C01G15/006 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C30B1/04 ,  C30B23/08 ,  C30B28/02 ,  C30B29/22 ,  C30B29/68 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02609 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  C01P2002/32 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  H01J2237/081 ,  H01J2237/3322 ,  H01J2237/3323

Abstract: 【課題】欠陥量の少ない酸化物半導体膜を成膜することが可能なスパッタリングターゲッ トの製造方法を提供する。または、欠陥量の少ない酸化物半導体膜を成膜する。 【解決手段】、酸化インジウム、酸化金属(該金属は、アルミニウム、チタン、ガリウム 、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セシウム、ネオジム、またはハフニウム)、 及び酸化亜鉛を混合し焼成した後粉砕して、多結晶In−M−Zn酸化物(Mは、アルミ ニウム、チタン、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セシウム、ネオジ ム、またはハフニウム)粉体を形成し、多結晶In−M−Zn酸化物粉体と、酸化亜鉛粉 体とを混合して混合物を形成し、混合物を成形して成形体を形成し、成形体を焼成するス パッタリングターゲットの製造方法である。 【選択図】図1