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公开(公告)号：JP6975838B2
公开(公告)日：2021-12-01
申请号：JP2020216216
申请日：2020-12-25
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G02F1/1368 , H01L27/32 , H01L29/786 , H05B33/12 , H01L51/50 , H05B33/14 , G09F9/30
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公开(公告)号：JP6902024B2
公开(公告)日：2021-07-14
申请号：JP2018512507
申请日：2017-04-11
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L21/336
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公开(公告)号：JP6818114B2
公开(公告)日：2021-01-20
申请号：JP2019206014
申请日：2019-11-14
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G02F1/1368 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L27/32 , H01L29/786
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公开(公告)号：JPWO2019048968A1
公开(公告)日：2020-11-12
申请号：JPIB2018056414
申请日：2018-08-24
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/417 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/316 , H01L21/336
Abstract: 信頼性が良好な半導体装置を提供する。第1の絶縁体と、第1の絶縁体の上に配置された、第2の絶縁体と、第2の絶縁体の上に配置された、酸化物と、酸化物上に、互いに離して配置された、第1の導電体、および第2の導電体と、酸化物、第1の導電体、および第2の導電体の上に配置された、第3の絶縁体と、第3の絶縁体の上に配置され、少なくとも一部が第1の導電体と第2の導電体の間の領域に重なるように配置された、第3の導電体と、酸化物、第1の導電体、第2の導電体、第3の絶縁体、および第3の導電体、を覆って配置された、第4の絶縁体と、第4の絶縁体の上に配置された、第5の絶縁体と、第5の絶縁体の上に配置された、第6の絶縁体と、を有し、第4の絶縁体は、少なくとも一部に、第2の絶縁体に達する開口が形成され、第5の絶縁体は、開口を介して第2の絶縁体に接し、第1の絶縁体、第4の絶縁体、および第6の絶縁体は、第2の絶縁体より酸素透過性が低い。
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公开(公告)号：JPWO2019048984A1
公开(公告)日：2020-11-05
申请号：JPIB2018056535
申请日：2018-08-28
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786
Abstract: 良好な電気特性、および信頼性を有する半導体装置を提供する。第1の絶縁体を形成し、第1の絶縁体上に第2の絶縁体を形成し、第2の絶縁体上に島状の酸化物を形成し、酸化物上に、第3の絶縁体と導電体の積層体を形成し、酸化物、および積層体上に金属元素を有する膜を形成することにより、酸化物を選択的に低抵抗化し、第2の絶縁体と、酸化物と、および積層体上に第4の絶縁体を形成した後、第4の絶縁体に、第2の絶縁体を露出する開口部を形成し、第2の絶縁体、および第4の絶縁体上に、第5の絶縁体を形成し、第5の絶縁体に対して、酸素導入処理を行う。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：JP2020043363A
公开(公告)日：2020-03-19
申请号：JP2019218718
申请日：2019-12-03
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/477 , H01L21/363 , C23C14/08 , H01L29/786
Abstract: 【課題】より電気伝導度の安定した酸化物半導体膜を提供することを課題の一とする。ま た、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し 、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。 【解決手段】結晶性を有する領域を含み、当該結晶性を有する領域は、a−b面が膜表面 に概略平行であり、c軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる酸化物半導体膜は、電気 伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を 有する。このような酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気 的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2020038990A
公开(公告)日：2020-03-12
申请号：JP2019206014
申请日：2019-11-14
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G02F1/1368 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L27/32 , H01L29/786
Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、オン電流の低下を抑制すること。 【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、ゲート電極と、ゲート電極 を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも ゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接 続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜において、ゲート絶縁 膜との界面からの厚さが5nm以下の第1の領域は、シリコンの濃度が1.0原子%以下 であり、酸化物半導体膜の第1の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第1の領 域に含まれるシリコンの濃度より小さくする。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2020036025A
公开(公告)日：2020-03-05
申请号：JP2019192567
申请日：2019-10-23
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 【課題】ゲート絶縁膜近傍の酸化物半導体膜に含まれる不純物元素濃度を低減し、ゲート絶縁膜近傍の酸化物半導体膜の結晶性を向上し、当該酸化物半導体膜を用いることにより安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置においてトランジスタ150は、下地絶縁膜104と、下地絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜106と、酸化物半導体膜上に形成されたソース電極108a及びドレイン電極108bと、酸化物半導体膜、ソース電極及びドレイン電極上に形成されたシリコン酸化物を含むゲート絶縁膜110と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも酸化物半導体膜と重畳する領域に設けられたゲート電極112と、を有する。酸化物半導体膜は、ゲート絶縁膜との界面から酸化物半導体膜に向けてシリコン濃度が1.0原子%以下の濃度である領域を有し、少なくとも領域内に、結晶部を含む。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6636591B2
公开(公告)日：2020-01-29
申请号：JP2018194831
申请日：2018-10-16
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/336
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