公开(公告)号：JP2021132236A

公开(公告)日：2021-09-09

申请号：JP2021092989

申请日：2021-06-02

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 下村 明久 ,  田中 哲弘 ,  木村 将之 ,  徳丸 亮 ,  松林 大介 ,  山根 靖正

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】微細な構造を有するトランジスタを有する半導体装置を提供する。 【解決手段】第1の絶縁体と、第2の絶縁体と、半導体と、導電体と、を有し、半導体は 、第1の絶縁体上に配置され、第2の絶縁体は、半導体上に配置され、導電体は、第2の 絶縁体上に配置され、半導体は、第1の領域と、第2の領域と、第3の領域と、を有し、 第1の領域は、半導体と、導電体と、が互いに重なる領域であり、第2の領域および第3 の領域は、半導体と、導電体と、が互いに重ならない領域であり、第2の領域および第3 の領域は、スピネル型の結晶構造を有する領域を有する半導体装置である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6902024B2

公开(公告)日：2021-07-14

申请号：JP2018512507

申请日：2017-04-11

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  栗城 和貴 ,  恵木 勇司 ,  石原 典隆 ,  野中 裕介 ,  山根 靖正 ,  徳丸 亮 ,  松林 大介

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/336

公开(公告)号：JPWO2019111096A1

公开(公告)日：2021-01-14

申请号：JPIB2018059320

申请日：2018-11-27

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  澤井 寛美 ,  徳丸 亮 ,  竹内 敏彦 ,  村川 努 ,  永松 翔 ,  森若 智昭

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

Abstract: オン電流が大きい半導体装置を提供する。第1の絶縁体と、第1の絶縁体上の第1の酸化物と、第1の酸化物上の第2の酸化物と、第2の酸化物上の第1の導電体および第2の導電体と、第2の酸化物上の第3の酸化物と、第3の酸化物上の第2の絶縁体と、第2の絶縁体上に位置し、第3の酸化物と重なる第3の導電体と、第1の絶縁体上、第1の酸化物の側面、第2の酸化物の側面、第1の導電体の側面、第1の導電体の上面、第2の導電体の側面、第2の導電体の上面と接する、第3の絶縁体と、第3の導電体上、第2の絶縁体上、第3の酸化物上および第3の絶縁体上の第4の絶縁体と、を有し、第4の絶縁体は、第3の導電体、第2の絶縁体および第3の酸化物のそれぞれの上面と接している半導体装置。

公开(公告)号：JPWO2019048968A1

公开(公告)日：2020-11-12

申请号：JPIB2018056414

申请日：2018-08-24

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  浅見 良信 ,  石山 貴久 ,  倉田 求 ,  徳丸 亮 ,  石原 典隆 ,  野中 裕介

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/417 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

Abstract: 信頼性が良好な半導体装置を提供する。第1の絶縁体と、第1の絶縁体の上に配置された、第2の絶縁体と、第2の絶縁体の上に配置された、酸化物と、酸化物上に、互いに離して配置された、第1の導電体、および第2の導電体と、酸化物、第1の導電体、および第2の導電体の上に配置された、第3の絶縁体と、第3の絶縁体の上に配置され、少なくとも一部が第1の導電体と第2の導電体の間の領域に重なるように配置された、第3の導電体と、酸化物、第1の導電体、第2の導電体、第3の絶縁体、および第3の導電体、を覆って配置された、第4の絶縁体と、第4の絶縁体の上に配置された、第5の絶縁体と、第5の絶縁体の上に配置された、第6の絶縁体と、を有し、第4の絶縁体は、少なくとも一部に、第2の絶縁体に達する開口が形成され、第5の絶縁体は、開口を介して第2の絶縁体に接し、第1の絶縁体、第4の絶縁体、および第6の絶縁体は、第2の絶縁体より酸素透過性が低い。

公开(公告)号：JP2020098912A

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：JP2020009076

申请日：2020-01-23

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  田中 哲弘 ,  下村 明久 ,  山根 靖正 ,  徳丸 亮 ,  佐藤 裕平 ,  筒井 一尋

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H05B33/02 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】安定した電気特性を有し、信頼性の高く、導通時のリーク電流が小さく、高い周波数特性を有し、サブスレッショルドスイング値の小さいトランジスタを提供する。 【解決手段】トランジスタ10は、基板100の上に形成された絶縁体101、導電体102、絶縁体103及び絶縁体104と、絶縁体104の上に形成された絶縁体106a、半導体106b、絶縁体106c、絶縁体106dと、絶縁体106cの上に形成された導電体108a、導電体108b、導電体110a及び導電体110bと、絶縁体106dの上に形成された絶縁体112と、絶縁体112の上に形成された導電体114と、導電体114の上に形成された絶縁体116、絶縁体118、導電体120a及び導電体120bと、を有する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020053523A

公开(公告)日：2020-04-02

申请号：JP2018180392

申请日：2018-09-26

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  池田 隆之 ,  徳丸 亮 ,  掛端 哲弥

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/02 ,  H05B33/04 ,  H04N5/369 ,  H01L27/146

Abstract: 【課題】発光デバイス及び光電変換デバイスを有する半導体装置を提供する。 【解決手段】基板に光電変換デバイスを形成し、それと共に当該基板に開口部を設ける。次に、当該開口部に埋め込むように導電層を形成する。その後、基板上にトランジスタを形成する。次に、トランジスタを形成した基板の裏面を、上記導電層が露出するように研磨する。その後、画素電極と、発光層と、共通電極と、を有する発光デバイスを、上記導電層と画素電極とが電気的に接続されるように形成する。以上により、発光デバイス及び光電変換デバイスを有する半導体装置を作製する。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP2018050044A

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：JP2017173705

申请日：2017-09-11

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山根 靖正 ,  徳丸 亮 ,  澤井 寛美

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/443 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4842 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L22/14 ,  H01L23/544 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 【課題】安定した電気特性の半導体装置を提供する。また、微細化・高密度化に適した信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】本発明の一態様は、酸化物を有するトランジスタと、トランジスタ上の第1のバリア層と、第1のバリア層に接して設けられた第2のバリア層とを有し、酸化物は、過剰酸素領域を有する絶縁体と接し、絶縁体は、第1のバリア層と接し、第1のバリア層は、0.5nm以上1.5nm以下の膜厚であり、第2のバリア層は、第1のバリア層よりも厚い。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017157843A

公开(公告)日：2017-09-07

申请号：JP2017076453

申请日：2017-04-07

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 吉住 健輔 ,  田中 哲弘 ,  徳丸 亮

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】微細化に適した半導体装置を提供すること。 【解決手段】、酸化物層と、半導体層と、一対の電極と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と を有し、酸化物層は、凸状の表面形状を有する凸部を備え、半導体層は、酸化物層の凸部 の上面及び側面に沿って設けられ、一対の電極は、半導体層と重なる位置で離間し、一対 の電極の各々は、半導体層と電気的に接続し、且つ半導体層の上面及び側面に沿って設け られ、ゲート電極は、半導体層の上面及び側面に沿って設けられ、ゲート絶縁層は、半導 体層とゲート電極との間に位置する、半導体装置とする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2016219851A

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：JP2016187951

申请日：2016-09-27

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 横井 智和 ,  徳丸 亮 ,  吉住 健輔

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 【課題】ソース電極とドレイン電極間の寄生抵抗が低減され、オン特性が改善された半導 体装置を提供する。または、信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】不純物元素が添加された酸化物半導体を含む導電性の酸化物膜に対して、当 該酸化物膜の一部の領域における不純物元素を酸素と置換して高抵抗な半導体領域を形成 する。そして不純物元素が酸素と置換されていない低抵抗領域をソース領域及びドレイン 領域として用い、不純物元素が酸素と置換された高抵抗な半導体領域をチャネル形成領域 として用いればよい。 【選択図】図2

Abstract translation: 源极电极和漏极电极之间的寄生电阻减小，以提供一个半导体器件上的特性提高。 或者，提供一种高可靠的半导体器件。 向含有向其中添加的杂质元素的氧化物半导体，由在所述氧化物薄膜的部分区域的杂质元素代替氧形成高电阻半导体区的导电氧化膜 到。 然后使用到的杂质元素没有被替换用氧气作为源极区域和漏极区域中的低电阻区域，它可被用于的杂质元素被替换为氧气作为沟道形成区的高电阻半导体区。 .The

公开(公告)号：JP5937842B2

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：JP2012034716

申请日：2012-02-21

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 田中 哲弘 ,  徳丸 亮

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696