公开(公告)号：JP5933188B2

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：JP2011103505

申请日：2011-05-06

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  シャープ株式会社

Inventor： 手塚 祐朗 ,  神保 安弘 ,  佐々木 俊成 ,  宮入 秀和 ,  神崎 庸輔 ,  守口 正生

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  C23C16/24 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02513 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：JP6317059B2

公开(公告)日：2018-04-25

申请号：JP2012252106

申请日：2012-11-16

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  シャープ株式会社

Inventor： 三宅 博之 ,  山崎 舜平 ,  棚田 好文 ,  佐藤 学 ,  佐々木 俊成 ,  岡崎 健一 ,  肥塚 純一 ,  松尾 拓哉 ,  松木薗 広志 ,  神崎 庸輔 ,  森 重恭

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1343 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78648

公开(公告)号：JP6970767B2

公开(公告)日：2021-11-24

申请号：JP2020017602

申请日：2020-02-05

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 遠藤 佑太 ,  野田 耕生 ,  佐々木 俊成

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

公开(公告)号：JP6966578B2

公开(公告)日：2021-11-17

申请号：JP2020004239

申请日：2020-01-15

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  岡崎 健一 ,  肥塚 純一 ,  佐々木 俊成

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

公开(公告)号：JP2021122051A

公开(公告)日：2021-08-26

申请号：JP2021074867

申请日：2021-04-27

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 岡崎 健一 ,  宮本 敏行 ,  野村 昌史 ,  羽持 貴士 ,  山崎 舜平 ,  佐々木 俊成

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、酸素欠損の含有量を低減する。また 、酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性を向上させる。 【解決手段】基板上に形成されるゲート電極と、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、ゲー ト絶縁膜を介してゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜に接する一対の 電極とを有するトランジスタ上に、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜、及び一対の電極を覆 う第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜を覆う第2の絶縁膜を有し、第1の絶縁膜は、25℃ において0.5重量%のフッ酸に対する第1の絶縁膜のエッチング速度が10nm/分以 下であり、且つ第2の絶縁膜より遅いことを特徴とする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2021100127A

公开(公告)日：2021-07-01

申请号：JP2021019670

申请日：2021-02-10

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  磯部 敦生 ,  佐々木 俊成

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】微細化しても高いオン電流を得ることができるトランジスタを用いた、半導体装 置。 【解決手段】トランジスタが、絶縁表面上の一対の第1導電膜と、一対の第1導電膜上の 半導体膜と、一対の第1導電膜にそれぞれ接続されている一対の第2導電膜と、半導体膜 上の絶縁膜と、絶縁膜上において、半導体膜と重なる位置に設けられた第3導電膜とを有 する。また、半導体膜上における第3導電膜の端部と、一対の第2導電膜が設けられた領 域とは、離隔している。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6865261B2

公开(公告)日：2021-04-28

申请号：JP2019227080

申请日：2019-12-17

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  大原 宏樹 ,  佐々木 俊成 ,  野田 耕生 ,  桑原 秀明

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368

公开(公告)号：JP2021052207A

公开(公告)日：2021-04-01

申请号：JP2020208884

申请日：2020-12-17

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 桑原 秀明 ,  秋元 健吾 ,  佐々木 俊成

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、電界効果移動度、薄膜トランジスタの電気的特性を安定させることが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】酸化物半導体層103を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層103の上に、酸化物半導体103より導電率が高い半導体層106又は導電層を形成することによって、該薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させる。また、酸化物半導体層と薄膜トランジスタの保護絶縁層との間に該酸化物半導体より導電率が高い半導体層又は導電層を形成することによって、酸化物半導体層の組成の変化や膜質の劣化を防ぎ、薄膜トランジスタの電気的特性を安定させる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6832414B2

公开(公告)日：2021-02-24

申请号：JP2019221354

申请日：2019-12-06

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 肥塚 純一 ,  島 行徳 ,  徳永 肇 ,  佐々木 俊成 ,  村山 佳右 ,  松林 大介

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L27/32 ,  H05B33/02 ,  H01L21/336

公开(公告)号：JP2020167423A

公开(公告)日：2020-10-08

申请号：JP2020097653

申请日：2020-06-04

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 坂田 淳一郎 ,  佐々木 俊成 ,  細羽 みゆき

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8236 ,  G09F9/30 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H05B33/02 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】安定した電気的特性を有するトランジスタを用いて安定した動作を行う表示装置 を提供することを課題とする。 【解決手段】酸化物半導体層をチャネル形成領域とするトランジスタを適用して表示装置 を作製するに際し、少なくとも駆動回路に適用するトランジスタの上に更なるゲート電極 を配する。酸化物半導体層をチャネル形成領域とするトランジスタを作製するに際しては 、酸化物半導体層に対して脱水化または脱水素化のための加熱処理を行い、上下に接して 設けられるゲート絶縁層及び保護絶縁層と酸化物半導体層の界面に存在する水分などの不 純物を低減する。 【選択図】図11