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公开(公告)号：JPWO2013129535A1
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：JP2014502342
申请日：2013-02-27
Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構
Inventor： 真島 豊 , 豊 真島 , 寺西 利治 , 利治 寺西 , 松本 和彦 , 和彦 松本 , 兼三 前橋 , 兼三 前橋 , 康男 東 , 康男 東 , 恭秀 大野 , 恭秀 大野 , 幸祐 前田 , 幸祐 前田 , ヒューベル フレデリック ハケンベルジェ ギョーム , ヒューベル フレデリック ハケンベルジェ ギョーム
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/66
CPC classification number: H01L51/0512 , B82Y10/00 , H01L21/8221 , H01L27/04 , H01L27/0611 , H01L27/0688 , H01L27/088 , H01L29/66477 , H01L29/7613 , H01L49/006 , H01L51/102 , H01L2251/10
Abstract: ダイオード、トンネル素子、MOSトランジスタなどの電子デバイスと組み合わされるナノデバイス、集積回路及びナノデバイスの製造方法を提供する。ナノデバイスは、第1の絶縁層2と、第1の絶縁層2上にナノギャップを有するように設けられた一方の電極5Aと他方の電極5Bと、一方の電極5Aと他方の電極5Bとの間に配置された金属ナノ粒子7又は機能分子と、第1の絶縁層2、一方の電極5A及び他方の電極5Bの上に設けられ、かつ金属ナノ粒子7、機能分子の何れかを埋設する第2の絶縁層8とを備える。第2の絶縁層8がパッシベーション層として機能する。
Abstract translation: 二极管，隧道装置，在组合纳米器件与电子设备，诸如MOS晶体管，提供一种制造集成电路和纳米器件的方法。 纳米器件，第一绝缘层2，电极5A中的一个，并布置成具有所述第一绝缘层2上的纳米间隙的另一个电极5B，和所述一个电极5A和另一方的电极5B 埋入的金属纳米粒子7或布置被提供在所述一个电极5A和另一方的电极5B 2中的第一绝缘层之间的功能分子和金属纳米粒子7，任何功能性分子 和第二绝缘层8。 在第二绝缘层8个用作钝化层。
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公开(公告)号：JP5674220B2
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：JP2014502342
申请日：2013-02-27
Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構
Inventor： 真島 豊 , 豊 真島 , 寺西 利治 , 利治 寺西 , 松本 和彦 , 和彦 松本 , 兼三 前橋 , 兼三 前橋 , 康男 東 , 康男 東 , 恭秀 大野 , 恭秀 大野 , 幸祐 前田 , 幸祐 前田 , ヒューベル フレデリック ハケンベルジェ ギョーム , ヒューベル フレデリック ハケンベルジェ ギョーム
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/66
CPC classification number: H01L51/0512 , B82Y10/00 , H01L21/8221 , H01L27/04 , H01L27/0611 , H01L27/0688 , H01L27/088 , H01L29/66477 , H01L29/7613 , H01L49/006 , H01L51/102 , H01L2251/10
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公开(公告)号：JP4774476B2
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：JP2004037866
申请日：2004-02-16
Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所 , 独立行政法人科学技術振興機構
IPC: G01N27/00 , G01N27/327 , B82B1/00 , G01N27/414 , H01L29/06 , H01L29/66 , H01L29/786
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公开(公告)号：JP4296252B2
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：JP2005511902
申请日：2004-07-15
Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所 , 独立行政法人科学技術振興機構
IPC: H01L31/0248 , H01L27/30 , H01L31/0203 , H01L31/0232 , H01L31/08 , H01L31/09 , H01L31/112 , H01L31/113 , H01L51/00 , H01L51/30
CPC classification number: H01L27/307 , B82Y10/00 , H01L31/0203 , H01L31/02325 , H01L31/08 , H01L31/09 , H01L31/112 , H01L31/113 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/424 , H01L51/428 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , Y02E10/549 , Y10S977/932 , Y10S977/954 , H01L2924/00014
Abstract: An optical sensor is characterized by comprising a photoconductive material (1) which generates a carrier (4) inside when irradiated with a light or an electromagnetic wave (3), and carbon nanotube (2), and by sensing the carrier (4), which is generated within the photoconductive material (1) by irradiation of the light or electromagnetic wave (3), through change of electrical conduction of the carbon nanotube (2).
Abstract translation: 光学传感器的特征在于包括在用光或电磁波（3）照射时在内部产生载体（4）的光电导材料（1）和碳纳米管（2），并且通过感测载体（4）， 其通过光或电磁波（3）的照射通过碳纳米管（2）的电导通的改变而在光电导材料（1）内产生。
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公开(公告)号：JP4669213B2
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：JP2003307798
申请日：2003-08-29
Applicant: 三菱化学株式会社 , 独立行政法人科学技術振興機構
IPC: G01N27/00 , G01N27/414 , H01L29/06 , H01L29/66 , H01L29/80
CPC classification number: G01N27/4145 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G01N27/4146 , H01L29/068 , H01L29/42364 , H01L29/7613
Abstract: A sensor capable of detecting detection targets that are necessary to be detected with high sensitivity is provided. It comprises a field-effect transistor 1A having a substrate 2, a source electrode 4 and a drain electrode 5 provided on said substrate 2, and a channel 6 forming a current path between said source electrode 4 and said drain electrode 5; wherein said field-effect transistor 1A comprises: an interaction-sensing gate 9 for immobilizing thereon a specific substance 10 that is capable of selectively interacting with the detection targets; and a gate 7 applied a voltage thereto so as to detect the interaction by the change of the characteristic of said field-effect transistor 1A.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2006025393A1
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：JP2006532726
申请日：2005-08-30
Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , H01L51/0048
Abstract: 本発明は、ナノスケールの低次元量子構造体を生成するための触媒を、ナノスケールの低次元量子構造体を構成する元素を含む気体および液体の少なくとも一方と接触させ、当該触媒に電磁波を照射し、当該触媒上にナノスケールの低次元量子構造体を生成させることを特徴とするナノスケールの低次元構造体の製造方法である。本発明の、ナノスケールの低次元量子構造体の製造方法は、基板(1)上の触媒(2)を、気化させた炭素供給源(6)と接触させ、触媒(2)に電磁波(7)を照射して、基板(1)上の触媒(2)上に単層カーボンナノチューブを生成させる。このことにより、任意の目的の領域にナノスケールの低次元量子構造体を生成させることができる。
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公开(公告)号：JP5294339B2
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：JP2010238816
申请日：2010-10-25
Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構 , 独立行政法人産業技術総合研究所
IPC: G01N27/00 , B82B1/00 , G01N27/414 , H01L29/06 , H01L29/66 , H01L29/786
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a detection method of a substance to be detected in a sample capable of reducing a noise, and having far superior sensitivity than ever before. SOLUTION: In this method for detecting a substance to be detected in a sample by a sensor including a substrate 1, and a channel having a source electrode 3 and a drain electrode 4 provided oppositely at a prescribed interval on an insulating thin film 2 formed on the upper surface of the substrate 1, the channel is constituted of ultrafine fibers, and after dropping sample solution onto the channel, a solvent in the sample solution is vaporized. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
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公开(公告)号：JP5080742B2
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：JP2006051184
申请日：2006-02-27
Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336
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公开(公告)号：JPWO2005008787A1
公开(公告)日：2006-11-09
申请号：JP2005511902
申请日：2004-07-15
Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構 , 独立行政法人産業技術総合研究所
IPC: H01L31/0248 , H01L27/30 , H01L31/0203 , H01L31/0232 , H01L31/08 , H01L31/09 , H01L31/112 , H01L31/113 , H01L51/00 , H01L51/30
CPC classification number: H01L27/307 , B82Y10/00 , H01L31/0203 , H01L31/02325 , H01L31/08 , H01L31/09 , H01L31/112 , H01L31/113 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/424 , H01L51/428 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , Y02E10/549 , Y10S977/932 , Y10S977/954 , H01L2924/00014
Abstract: 光または電磁波3の照射により内部にキャリア4を発生する光伝導性物質1と、カーボンナノチューブ2とを有し、光または電磁波3の照射により前記光伝導性物質1内に発生したキャリア4を前記カーボンナノチューブ2の電気伝導の変化により検出することを特徴とする。
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