公开(公告)号：JP2014191862A

公开(公告)日：2014-10-06

申请号：JP2013063218

申请日：2013-03-26

Applicant: Hitachi High-Tech Science Corp ,  株式会社日立ハイテクサイエンス

Inventor： KOSAKAI TOMOKAZU ,  ARAMAKI BUNRO ,  MATSUDA OSAMU

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/22

CPC classification number: G01N23/2251 ,  H01J37/265 ,  H01J37/28

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a focused ion beam device 100 capable of forming an accurate observation image even when a relative position between an ion beam barrel 10 and a sample 2 is fluctuated.SOLUTION: A charged particle beam device includes a laser interferometer 50 which detects a relative position between an ion beam barrel 10 and a sample 2. An image forming part 31 includes: an irradiation position specification part which specifies the irradiation position of ion beams based on the detected relative position between the ion beam barrel 10 and the sample 2; and a brightness setting part which sets brightness of an observation image pixel based on the specified irradiation position of the ion beams and the detected amount of secondary particles.

Abstract translation: 要解决的问题：提供即使当离子束筒10和样品2之间的相对位置波动时也能够形成精确观察图像的聚焦离子束装置100.解决方案：带电粒子束装置包括激光干涉仪50 其检测离子束筒10和样品2之间的相对位置。图像形成部31包括：照射位置指定部，其根据检测到的离子束镜筒10与样品2的相对位置来指定离子束的照射位置 样品2; 以及亮度设定部，其基于所述离子束的规定的照射位置和检测到的二次粒子的量，设定观察像素的亮度。

公开(公告)号：JP2013089534A

公开(公告)日：2013-05-13

申请号：JP2011230769

申请日：2011-10-20

Applicant: Hitachi High-Tech Science Corp ,  株式会社日立ハイテクサイエンス

Inventor： YASAKA KOJIN ,  ARAMAKI BUNRO ,  SUGIYAMA YASUHIKO ,  KOSAKAI TOMOKAZU ,  MATSUDA OSAMU

IPC: H01J27/26 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J27/024 ,  H01J27/26 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/0807 ,  H01J2237/182

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a focused ion beam device which efficiently carries out fine patterning with less damage to a sample by using a gas field ionization ion source.SOLUTION: A focused ion beam device includes a gas field ionization ion source having: an emitter 41 for emitting an ion beam 1; an ion source chamber 40 for housing the emitter 41; a gas supply part 46 for supplying nitrogen to the ion source chamber 40; an extraction electrode 49 for applying an extraction voltage to ionize and extract nitrogen ions; and a temperature control part 34 for cooling the emitter 41.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种聚焦离子束装置，其通过使用气体电离离子源有效地进行精细图案化，对样品的损伤较小。 解决方案：聚焦离子束装置包括气体离子源，其具有：用于发射离子束1的发射极41; 用于容纳发射器41的离子源室40; 用于向离子源室40供给氮的气体供给部46; 用于施加提取电压以离子化并提取氮离子的提取电极49; 以及用于冷却发射器41的温度控制部34.版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2015057764A

公开(公告)日：2015-03-26

申请号：JP2014146186

申请日：2014-07-16

Applicant: 株式会社日立ハイテクサイエンス ,  Hitachi High-Tech Science Corp

Inventor： KOSAKAI TOMOKAZU ,  MATSUDA OSAMU ,  SUGIYAMA YASUHIKO ,  AIDA KAZUO ,  ARAMAKI BUNRO ,  YASAKA KOJIN ,  OBA HIROSHI

IPC: H01J27/26 ,  G01Q70/14 ,  G03F1/74 ,  H01J37/073 ,  H01J37/08 ,  H01J37/252 ,  H01J37/26 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J1/3044 ,  G01Q60/10 ,  G01Q60/16 ,  G01Q60/24 ,  G01Q70/08 ,  G01Q70/16 ,  H01J1/3048 ,  H01J37/073 ,  H01J37/08 ,  H01J37/21 ,  H01J37/28 ,  H01J37/3002 ,  H01J2201/30415 ,  H01J2201/30496 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/006

Abstract: 【課題】イリジウムティップの先端部に形成される先端が1個の原子の角錐構造を、位置的に再現性よく作製できるようにし、不純物が付着し難くするとともに、先端の1個の原子を長期間に亘って保持可能とする。【解決手段】イリジウムティップは、先鋭化された 方位の単結晶の先端部に、1つの{100}結晶面および2つの{111}結晶面により取り囲まれた{210}結晶面の1個のイリジウム原子のみにより形成された先端を有する角錐構造を備える。角錐構造の先端を形成する1個のイリジウム原子を第1層とし、第1層の直下の第2層は三角形の頂点に位置する3個のイリジウム原子を備え、第2層の直下の第3層は三角形の頂点および辺に位置する6個のイリジウム原子を備える。【選択図】図5

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供具有在尖端处具有单个原子的铱尖端的金字塔结构，其可以以高位置重复性产生，并且允许尖端处的单个原子能够长时间保持 的时间，同时防止杂质粘附。解决方案：铱尖具有锥形结构，其具有<210>方向的单晶尖端部分。 尖端由{210}晶面的单个铱原子组成，其被一个{100}晶面和两个{111}晶面包围。 在第一层上，单个铱原子被定位成形成金字塔结构的尖端。 在第一层正下方的第二层上，三个铱原子被定位成形成三角形的顶点。 在第二层正下方的第三层上，六个铱原子位于三角形的顶点和侧面。

公开(公告)号：JP2014191864A

公开(公告)日：2014-10-06

申请号：JP2013063290

申请日：2013-03-26

Applicant: Hitachi High-Tech Science Corp ,  株式会社日立ハイテクサイエンス

Inventor： OBA HIROSHI ,  YASAKA KOJIN ,  KOSAKAI TOMOKAZU

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/08

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a focused ion beam device which can produce an ion current stably regardless of the termination structure at the tip of an emitter, and to provide an irradiation method of a focused ion beam.SOLUTION: A focused ion beam device 1 includes an emitter 10 having a sharpened tip, an ion source chamber 20 housing the emitter, a gas supply section 11 for supplying gas having ionization energy lower than that of helium to the ion source chamber 20, and an extraction power supply 15 for producing gas ions by ionizing gas at the tip of an emitter 10, by applying an extraction voltage between the emitter 10 and an extraction electrode 14, and then extracting the gas ions to the extraction electrode 14 side. The extraction power supply 15 applies an extraction voltage so that the number of the bright spot of a field ion image in an ion beam emitted from the emitter 10 is one.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够稳定地产生离子电流的聚焦离子束装置，而不管发射体顶端的端接结构如何，并提供聚焦离子束的照射方法。解决方案：聚焦离子束装置 1包括具有锋利尖端的发射器10，容纳发射器的离子源室20，用于将具有低于氦离子源的电离气体的气体供给到离子源室20的气体供应部11和用于产生 通过在发射极10和提取电极14之间施加提取电压，然后将气体离子提取到提取电极14侧，通过在发射极10的顶端离子化气体来产生气体离子。 提取电源15施加提取电压，使得从发射器10发射的离子束中的场离子图像的亮点数为1。

公开(公告)号：JP2014186894A

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：JP2013061637

申请日：2013-03-25

Applicant: Hitachi High-Tech Science Corp ,  株式会社日立ハイテクサイエンス

Inventor： SUGIYAMA YASUHIKO ,  KOSAKAI TOMOKAZU ,  MATSUDA OSAMU

IPC: H01J37/22 ,  H01J27/26 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/28 ,  H01J37/08 ,  H01J37/222 ,  H01J2237/0807 ,  H01J2237/221 ,  H01J2237/2803 ,  H01J2237/31749

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To enable obtaining a broad FIM image at an end of an emitter and perform broad FIM observation.SOLUTION: A conversing ion beam apparatus comprises: a gas electric field ionizing ion source 10; an ion gun portion 11 that accelerates gas ions toward a sample S and irradiates the sample S with the accelerated gas ions as an ion beam 3A; a beam optical system 12 that includes at least a conversing lens electrode 35 and irradiates the sample S with the ion beam 3A while conversing it; and an image acquiring mechanism 14 that acquire FIM images at an end of the emitter 20. The image acquiring mechanism 14 includes: an alignment electrode 32 that adjusts an ion beam irradiation direction; an alignment controller 46 that applies an alignment voltage on the alignment electrode 32; a storage unit 45 that stores the acquired FIM images; and an image processing unit 47 that creates one combined FIM image by mutually combining, among the FIM images stored in the storage unit 45, plural FIM images acquired when different alignment voltages are applied.

Abstract translation: 要解决的问题：为了能够在发射器的末端获得广泛的FIM图像并进行广泛的FIM观察。解决方案：交流离子束装置包括：气体电离电离离子源10; 离子枪部分11，其将气体离子加速到样品S，并且将具有加速气体离子的样品S照射为离子束3A; 光束光学系统12，其至少包括转换透镜电极35，并在离开光束3A的同时照射样品S; 以及在发射器20的端部获取FIM图像的图像获取机构14.图像获取机构14包括：调整离子束照射方向的取向电极32; 对准控制器46，其对准电极32上施加取向电压; 存储单元45，其存储所获取的FIM图像; 以及图像处理单元47，其通过在存储在存储单元45中的FIM图像中相互组合来产生一个组合的FIM图像，当施加不同的取向电压时获取的多个FIM图像。

公开(公告)号：JP2013200991A

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：JP2012068032

申请日：2012-03-23

Applicant: Hitachi High-Tech Science Corp ,  株式会社日立ハイテクサイエンス

Inventor： SUGIYAMA YASUHIKO ,  AIDA KAZUO ,  ARAMAKI BUNRO ,  KOSAKAI TOMOKAZU ,  MATSUDA OSAMU ,  YASAKA KOJIN

IPC: H01J9/02 ,  H01J27/26

CPC classification number: H01J27/02 ,  H01J1/15 ,  H01J1/3044 ,  H01J9/02 ,  H01J9/025 ,  H01J9/04 ,  H01J37/08 ,  H01J37/26 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/31749

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an emitter that can have a crystal structure at its topmost end put back into the original state with good reproducibility by re-arraying of atoms by treatment, can suppress a rise in lead voltage after retreatment, and can be used for a long period.SOLUTION: There is provided a method of manufacturing an emitter that includes: an electrolytic polishing step S10 of electrolytically polishing a tip portion of an emitter raw material so that the diameter gradually decreases toward the tip; a first etching step S20 of forming a pyramidal pointed portion having a tip as a peak by performing etching processing by irradiating a processed portion of the emitter raw material with a charge particle beam; a second etching step S30 of making the tip more pointed through electric field induction gas etching processing while observing the crystal structure atop of the pointed portion through an electric field ion microscope, and making the number of atoms constituting the topmost end constant or less; and a heating step S40 of heating the emitter raw material to array the atoms constituting the topmost end of the pointed portion in a pyramidal state.

Abstract translation: 要解决的问题：为了通过处理将原子重新排列，能够使其最上端的晶体结构具有良好的再现性的发光体，能够抑制再次处理后的铅电压上升，并且可以 提供了一种制造发射体的方法，其包括：电解抛光步骤S10，其对发射体原料的末端部分进行电解抛光，使得直径朝着尖端逐渐减小; 第一蚀刻步骤S20，通过用电荷粒子束照射发射体原料的处理部分进行蚀刻处理，形成具有尖端的金字塔形尖端部分作为峰值; 第二蚀刻步骤S30，通过电场离子显微镜观察尖锐部分顶部的晶体结构，并使构成最顶端的原子数恒定或更小，使尖端更尖锐地通过电场感应气体蚀刻处理; 以及加热步骤S40，其加热发射体原料以排列构成尖状部分的最顶端的原子为锥形状态。