公开(公告)号：JP2015057764A

公开(公告)日：2015-03-26

申请号：JP2014146186

申请日：2014-07-16

Applicant: 株式会社日立ハイテクサイエンス ,  Hitachi High-Tech Science Corp

Inventor： KOSAKAI TOMOKAZU ,  MATSUDA OSAMU ,  SUGIYAMA YASUHIKO ,  AIDA KAZUO ,  ARAMAKI BUNRO ,  YASAKA KOJIN ,  OBA HIROSHI

IPC: H01J27/26 ,  G01Q70/14 ,  G03F1/74 ,  H01J37/073 ,  H01J37/08 ,  H01J37/252 ,  H01J37/26 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J1/3044 ,  G01Q60/10 ,  G01Q60/16 ,  G01Q60/24 ,  G01Q70/08 ,  G01Q70/16 ,  H01J1/3048 ,  H01J37/073 ,  H01J37/08 ,  H01J37/21 ,  H01J37/28 ,  H01J37/3002 ,  H01J2201/30415 ,  H01J2201/30496 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/006

Abstract: 【課題】イリジウムティップの先端部に形成される先端が1個の原子の角錐構造を、位置的に再現性よく作製できるようにし、不純物が付着し難くするとともに、先端の1個の原子を長期間に亘って保持可能とする。【解決手段】イリジウムティップは、先鋭化された 方位の単結晶の先端部に、1つの{100}結晶面および2つの{111}結晶面により取り囲まれた{210}結晶面の1個のイリジウム原子のみにより形成された先端を有する角錐構造を備える。角錐構造の先端を形成する1個のイリジウム原子を第1層とし、第1層の直下の第2層は三角形の頂点に位置する3個のイリジウム原子を備え、第2層の直下の第3層は三角形の頂点および辺に位置する6個のイリジウム原子を備える。【選択図】図5

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供具有在尖端处具有单个原子的铱尖端的金字塔结构，其可以以高位置重复性产生，并且允许尖端处的单个原子能够长时间保持 的时间，同时防止杂质粘附。解决方案：铱尖具有锥形结构，其具有<210>方向的单晶尖端部分。 尖端由{210}晶面的单个铱原子组成，其被一个{100}晶面和两个{111}晶面包围。 在第一层上，单个铱原子被定位成形成金字塔结构的尖端。 在第一层正下方的第二层上，三个铱原子被定位成形成三角形的顶点。 在第二层正下方的第三层上，六个铱原子位于三角形的顶点和侧面。

公开(公告)号：JP2014186943A

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：JP2013062460

申请日：2013-03-25

Applicant: Hitachi High-Tech Science Corp ,  株式会社日立ハイテクサイエンス

Inventor： MATSUDA OSAMU ,  YASAKA KOJIN ,  ARAMAKI BUNRO

IPC: H01J37/317

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a focused ion beam apparatus which enables the shortening of a down time for replacement of an emitter and the increase in operation rate.SOLUTION: A focused ion beam apparatus comprises: an ion source room 10 in which an emitter 11 capable of emitting an ion beam is provided; a focused ion beam barrel 20 for focusing and directing the ion beam emitted by the ion source room 10; a preliminary chamber 30 whose inside communicates to inside the focused ion beam barrel 20 through a first communicating hole 21; a pump 35 for the preliminary chamber for evacuating the preliminary chamber 30 to create a vacuum; an on-off valve 40 for opening and closing the first communicating hole 21; and a transport device 45 for transporting the ion source room 10 to inside the focused ion beam barrel 20 and the preliminary chamber 30 through the first communicating hole 21.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种聚焦离子束装置，其能够缩短用于更换发射器的停机时间和提高操作速率。解决方案：聚焦离子束装置包括：离子源室10，其中发射极 11，能够发射离子束; 用于聚焦和引导由离子源室10发射的离子束的聚焦离子束镜筒20; 其内部通过第一连通孔21与聚焦离子束筒20内部通信的预备室30; 用于预备室的泵35，用于抽空预备室30以产生真空; 用于打开和关闭第一连通孔21的开关阀40; 以及用于通过第一连通孔21将离子源室10输送到聚焦离子束筒20和预备室30内部的输送装置45。

公开(公告)号：JP2013089534A

公开(公告)日：2013-05-13

申请号：JP2011230769

申请日：2011-10-20

Applicant: Hitachi High-Tech Science Corp ,  株式会社日立ハイテクサイエンス

Inventor： YASAKA KOJIN ,  ARAMAKI BUNRO ,  SUGIYAMA YASUHIKO ,  KOSAKAI TOMOKAZU ,  MATSUDA OSAMU

IPC: H01J27/26 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J27/024 ,  H01J27/26 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/0807 ,  H01J2237/182

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a focused ion beam device which efficiently carries out fine patterning with less damage to a sample by using a gas field ionization ion source.SOLUTION: A focused ion beam device includes a gas field ionization ion source having: an emitter 41 for emitting an ion beam 1; an ion source chamber 40 for housing the emitter 41; a gas supply part 46 for supplying nitrogen to the ion source chamber 40; an extraction electrode 49 for applying an extraction voltage to ionize and extract nitrogen ions; and a temperature control part 34 for cooling the emitter 41.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种聚焦离子束装置，其通过使用气体电离离子源有效地进行精细图案化，对样品的损伤较小。 解决方案：聚焦离子束装置包括气体离子源，其具有：用于发射离子束1的发射极41; 用于容纳发射器41的离子源室40; 用于向离子源室40供给氮的气体供给部46; 用于施加提取电压以离子化并提取氮离子的提取电极49; 以及用于冷却发射器41的温度控制部34.版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2014191872A

公开(公告)日：2014-10-06

申请号：JP2013063707

申请日：2013-03-26

Applicant: Hitachi High-Tech Science Corp ,  株式会社日立ハイテクサイエンス

Inventor： YASAKA KOJIN ,  SUGIYAMA YASUHIKO ,  OBA HIROSHI

IPC: H01J27/26

CPC classification number: H01J27/26 ,  H01J1/15 ,  H01J1/18 ,  H01J3/04 ,  H01J27/024 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/06316

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an emitter structure which can enhance the cooling efficiency of an emitter, and can hold the emitter stably with high accuracy for a base member, while reducing the number of components or simplifying the device, and to provide a gas ion source and a focused ion beam device.SOLUTION: An emitter structure includes a pair of electrification pins 65 fixed to a base material 61, a filament 66 connected between the pair of electrification pins 65, and an emitter 52 connected with the filament 66 and having a sharpened tip. A support member 54 is fixed to the base material 61, and the emitter 52 is connected with the support member 54.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种可以提高发射体的冷却效率的发射极结构，并且可以在降低元件数量或简化器件的同时，以高精度稳定地保持发射极，并且提供气体 离子源和聚焦离子束装置。发射器结构包括固定到基底材料61的一对带电引脚65，连接在一对带电引脚65之间的细丝66和与细丝66连接的发射极52和 有锋利的尖端。 支撑构件54固定到基底材料61，并且发射体52与支撑构件54连接。

公开(公告)号：JP2014191864A

公开(公告)日：2014-10-06

申请号：JP2013063290

申请日：2013-03-26

Applicant: Hitachi High-Tech Science Corp ,  株式会社日立ハイテクサイエンス

Inventor： OBA HIROSHI ,  YASAKA KOJIN ,  KOSAKAI TOMOKAZU

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/08

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a focused ion beam device which can produce an ion current stably regardless of the termination structure at the tip of an emitter, and to provide an irradiation method of a focused ion beam.SOLUTION: A focused ion beam device 1 includes an emitter 10 having a sharpened tip, an ion source chamber 20 housing the emitter, a gas supply section 11 for supplying gas having ionization energy lower than that of helium to the ion source chamber 20, and an extraction power supply 15 for producing gas ions by ionizing gas at the tip of an emitter 10, by applying an extraction voltage between the emitter 10 and an extraction electrode 14, and then extracting the gas ions to the extraction electrode 14 side. The extraction power supply 15 applies an extraction voltage so that the number of the bright spot of a field ion image in an ion beam emitted from the emitter 10 is one.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够稳定地产生离子电流的聚焦离子束装置，而不管发射体顶端的端接结构如何，并提供聚焦离子束的照射方法。解决方案：聚焦离子束装置 1包括具有锋利尖端的发射器10，容纳发射器的离子源室20，用于将具有低于氦离子源的电离气体的气体供给到离子源室20的气体供应部11和用于产生 通过在发射极10和提取电极14之间施加提取电压，然后将气体离子提取到提取电极14侧，通过在发射极10的顶端离子化气体来产生气体离子。 提取电源15施加提取电压，使得从发射器10发射的离子束中的场离子图像的亮点数为1。

公开(公告)号：JP2013200991A

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：JP2012068032

申请日：2012-03-23

Applicant: Hitachi High-Tech Science Corp ,  株式会社日立ハイテクサイエンス

Inventor： SUGIYAMA YASUHIKO ,  AIDA KAZUO ,  ARAMAKI BUNRO ,  KOSAKAI TOMOKAZU ,  MATSUDA OSAMU ,  YASAKA KOJIN

IPC: H01J9/02 ,  H01J27/26

CPC classification number: H01J27/02 ,  H01J1/15 ,  H01J1/3044 ,  H01J9/02 ,  H01J9/025 ,  H01J9/04 ,  H01J37/08 ,  H01J37/26 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/31749

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an emitter that can have a crystal structure at its topmost end put back into the original state with good reproducibility by re-arraying of atoms by treatment, can suppress a rise in lead voltage after retreatment, and can be used for a long period.SOLUTION: There is provided a method of manufacturing an emitter that includes: an electrolytic polishing step S10 of electrolytically polishing a tip portion of an emitter raw material so that the diameter gradually decreases toward the tip; a first etching step S20 of forming a pyramidal pointed portion having a tip as a peak by performing etching processing by irradiating a processed portion of the emitter raw material with a charge particle beam; a second etching step S30 of making the tip more pointed through electric field induction gas etching processing while observing the crystal structure atop of the pointed portion through an electric field ion microscope, and making the number of atoms constituting the topmost end constant or less; and a heating step S40 of heating the emitter raw material to array the atoms constituting the topmost end of the pointed portion in a pyramidal state.

Abstract translation: 要解决的问题：为了通过处理将原子重新排列，能够使其最上端的晶体结构具有良好的再现性的发光体，能够抑制再次处理后的铅电压上升，并且可以 提供了一种制造发射体的方法，其包括：电解抛光步骤S10，其对发射体原料的末端部分进行电解抛光，使得直径朝着尖端逐渐减小; 第一蚀刻步骤S20，通过用电荷粒子束照射发射体原料的处理部分进行蚀刻处理，形成具有尖端的金字塔形尖端部分作为峰值; 第二蚀刻步骤S30，通过电场离子显微镜观察尖锐部分顶部的晶体结构，并使构成最顶端的原子数恒定或更小，使尖端更尖锐地通过电场感应气体蚀刻处理; 以及加热步骤S40，其加热发射体原料以排列构成尖状部分的最顶端的原子为锥形状态。