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2.レジスト上層膜形成用組成物、レジストパターン形成方法、化合物、化合物の製造方法及び重合体 有权
Title translation: 抗蚀剂上层膜用组合物用于形成抗蚀剂图案为化合物和聚合物的制备形成方法,化合物,处理公开(公告)号:JPWO2013069750A1
公开(公告)日:2015-04-02
申请号:JP2013543033
申请日:2012-11-08
IPC: G03F7/11 , C08F20/10 , C08F20/68 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0388 , C07C69/734 , C07C2601/14 , C08F220/22 , C08F220/26 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041
Abstract: 本発明は、下記式(1)で表される構造単位(I)を有する重合体を含む重合体成分、及び溶媒を含有するレジスト上層膜形成用組成物である。下記式(1)中、R1は、水素原子又は炭素数1〜20の1価の有機基である。R2は、単結合又は炭素数1〜20の2価の有機基である。R3は、水素原子又は炭素数1〜20の1価の有機基である。RQは、炭素数1〜5のパーフルオロアルキル基である。RXは、水素原子又は1価の塩基解離性基である。
Abstract translation: 本发明是一种聚合物组分,和抗蚀剂上层膜形成包含含有具有由下式(1)表示的结构单元(I)的聚合物的溶剂组合物。 在下面的式(1)中,R 1是一价有机基团氢原子或C 1-20。 R 2是一个二价有机基单键或C 1-20。 R3是一价有机基氢原子或C 1-20。 RQ是具有1至5个碳原子的全氟烷基。 RX是氢原子或一价碱离解基团。
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公开(公告)号:JPWO2011145663A1
公开(公告)日:2013-07-22
申请号:JP2012515914
申请日:2011-05-18
IPC: G03F7/11 , C08F20/26 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08F220/18 , C08F220/24 , C08F220/30 , C08F228/02 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041
Abstract: 本発明は、[A]下記式(1)で表される構造単位(I)を有する重合体、及び[S]溶媒を含有する液浸上層膜形成用組成物である。式(1)中、R1は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。[A]重合体は、スルホ基を有する構造単位(II)をさらに有することが好ましい。[A]重合体は、下記式(3)で表される構造単位(III)をさらに有することが好ましい。式(3)中、R2は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R3は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜12の1価の炭化水素基、又は炭素数3〜20の1価の脂環式基である。但し、上記炭化水素基及び脂環式基が有する水素原子の少なくとも1つは、フッ素原子で置換されている。
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公开(公告)号:JPWO2011118644A1
公开(公告)日:2013-07-04
申请号:JP2012507037
申请日:2011-03-23
IPC: G03F7/11 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/0397 , G03F7/2041
Abstract: アルカリ性水溶液に可溶であり、且つフッ素原子を含有する樹脂(A)と、101.3kPaにおける沸点が150℃以上であり、且つ静的表面張力が23.0mN/m以下である溶剤(B1)を含有する溶剤成分(B)と、を含み、フォトレジスト膜上に上層膜を被覆形成するために用いられる上層膜形成用組成物を提供する。
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公开(公告)号:JPWO2013047072A1
公开(公告)日:2015-03-26
申请号:JP2013536101
申请日:2012-08-29
CPC classification number: G03F7/2041 , C08F220/26 , C08F220/38 , C08F220/58 , G03F7/11
Abstract: 本発明は、[A]重合体(A1)を含む重合体成分、及び[B]溶媒を含有し、重合体(A1)が、下記式(1)で表される基を含む構造単位(I)を有する液浸上層膜形成用組成物である。下記式(1)中、R1は、アルカリ解離性基である。R2は、(n+1)価の連結基である。Aは、−CO−O−*、−SO2−O−*、酸素原子又は−NR3−である。Aが酸素原子であるとき、R2のAに直結する部位が、カルボニル基又はスルホニル基となる場合はない。
Abstract translation: 本发明中,[A]含有聚合物(A1)的聚合物组分,并且包含[B]溶剂,所述聚合物(A1)是(含有由下式表示的基团我的结构单元(1) )是具有形成用组合物的浸入上层膜。 在下面的式(1)中,R 1是碱离解基团。 R 2是一个(N + 1)价连接基团。 A是,-CO-O - *, - SO2-O- *,氧原子或-NR 3 - 。 当A是氧原子,直接连接至A R2的部分不是羰基或磺酰基的情况下。
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公开(公告)号:JPWO2012043762A1
公开(公告)日:2014-02-24
申请号:JP2012536569
申请日:2011-09-29
IPC: G03F7/11 , C08F20/28 , H01L21/027
CPC classification number: C09D135/02 , C08F20/28 , C08F220/28 , C08F2220/281 , C09D133/16 , G03F7/11 , G03F7/2041
Abstract: 本発明は、[A]重合体(A1)を含む重合体成分、及び[B]溶媒を含有し、重合体(A1)が、下記式(i)で表される基を含む構造単位(I)を有する液浸上層膜形成用組成物である。構造単位(I)が、下記式(1)で表される構造単位(I−1)であることが好ましい。[A]重合体成分が、重合体(A1)と同一又は異なる重合体中に、下記式(2)で表される構造単位(II−1)をさらに有することが好ましい。[A]重合体成分が、重合体(A1)と同一又は異なる重合体中に、カルボキシル基を含む構造単位(III)をさらに有することが好ましい。
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公开(公告)号:JPWO2012008546A1
公开(公告)日:2013-09-09
申请号:JP2012524594
申请日:2011-07-14
Inventor: 友洋 柿澤 , 友洋 柿澤 , 峰規 川上 , 峰規 川上 , 孝和 木元 , 孝和 木元 , 希佳 田中 , 希佳 田中 , 岳彦 成岡 , 岳彦 成岡 , 大樹 中川 , 大樹 中川
IPC: G03F7/039 , C08F20/28 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0397 , C08F2220/1841 , C08F2220/1875 , G03F7/2041 , C08F2220/1883 , C08F2220/281 , C08F2220/283 , C08F220/22
Abstract: 本発明の感放射線性樹脂組成物は、下記一般式(1)で表される繰り返し単位を有し、アルカリ不溶性又はアルカリ難溶性であり、酸の作用によりアルカリ可溶性となる重合体(A)、及び、感放射線性酸発生剤(B)を含有する。【化1】
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公开(公告)号:JPWO2011034099A1
公开(公告)日:2013-02-14
申请号:JP2011531950
申请日:2010-09-15
IPC: G03F7/11 , C08F220/24 , C08K5/00 , C08K5/06 , C08K5/101 , C08L101/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/038 , G03F7/11 , G03F7/2041
Abstract: (A)現像液に可溶な樹脂と、(B)101.3kPaにおける沸点が180〜280℃、及び20℃における蒸気圧が0.001〜0.1kPaである(B1)溶剤を1〜15質量%含有する溶剤成分と、を含み、フォトレジスト膜上に上層膜を被覆形成するために用いられる上層膜形成組成物である。
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公开(公告)号:JP5487921B2
公开(公告)日:2014-05-14
申请号:JP2009279137
申请日:2009-12-09
Applicant: Jsr株式会社
IPC: G03F7/039 , C08F20/16 , H01L21/027
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoresist composition, which is a chemical amplification-type resist having excellent sensitivity and excellently maintaining a mask-error factor (MEEF). SOLUTION: The photoresist composition includes: a polymer (A) having a repeating unit represented by the general formula (1) and having alkaline insolubility or poor alkaline solubility, wherein the polymer becomes alkali-soluble due to action of an acid; and a radiation-sensitive acid generator (B). COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
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