塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
    2.
    发明专利
    塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 审中-公开
    盐,耐蚀组合物和抗性图案生产方法

    公开(公告)号:JP2016000725A

    公开(公告)日:2016-01-07

    申请号:JP2015101607

    申请日:2015-05-19

    摘要: 【課題】良好なCD均一性(CDU)又は良好なフォーカスマージン(DOF)でレジストパターンを製造することができる塩、及び該塩を含むレジスト組成物の提供。 【解決手段】式(I)で表される塩。 [XはO、S又は−N(SO 2 R 5 );R 5 はC1〜12のアルキル基、C3〜12のシクロアルキル基又はC6〜12の芳香族炭化水素基;ArはC6〜36の芳香族炭化水素基又はC6〜36のヘテロ芳香族炭化水素基;R 1 及びR 2 は各々独立に、H、OH基又はC1〜12の炭化水素基;m及びnは各々独立に1又は2;R 3 及びR 4 は各々独立に、H又はC1〜12の炭化水素基;A − は酸不安定基、塩基不安定基又はその両方を有する有機アニオン] 【選択図】なし

    摘要翻译: 要解决的问题:提供可以制备具有优异的CD均匀性(CDU)或优异的聚焦余量(DOF)的抗蚀剂图案的盐,以及包含该盐的抗蚀剂组合物。解决方案:本发明涉及一种盐 由式(I)表示:其中X表示O,S或-N(SOR); R表示C1-C12烷基,C3-C12环烷基或C6-C12芳香族烃基; Ar表示C6-C36芳族烃基或C4-C36杂芳族烃基; Rand Reach独立地代表H,OH基团或C1-C12烃基; “m”和“n”各自独立地表示1或2; Rand Reach独立地表示H或C1-C12烃基; 并表示具有酸不稳定性基团,碱不稳定基团或两者的有机阴离子。