公开(公告)号：JP2018536985A

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：JP2018519007

申请日：2016-09-05

Applicant: ユ−ジーン テクノロジー カンパニー.リミテッド

Inventor： ユ チャヨン ,  チェ ソンテ ,  チェ ギュジン ,  キム ジュン ,  チョン ボンジュ ,  パク キョンソク ,  キム ヨンキ ,  キム ジェウ

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/31 ,  C23C16/458 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67757 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/67326 ,  H01L21/67346 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785

Abstract: 【課題】工程ガスの層流を誘導することのできる基板処理装置及びチューブ組立体の組立方法を提供する。 【解決手段】本発明は、基板が処理される内部空間を形成し、複数の積層体が積層されて組み立てられるチューブ組立体110と、チューブ組立体の内部空間において複数枚の基板を多段に支持する基板ホルダー171と、チューブ組立体の一方の側に設けられ、内部空間の複数枚の基板のそれぞれに工程ガスを供給するガス供給ユニット140と、内部空間に供給された工程ガスを排気するようにチューブ組立体に連結される排気ユニットと、を備え、層流を誘導して基板の上部面に均一な量の工程ガスを供給することができる。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2018101721A

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：JP2016247843

申请日：2016-12-21

Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー

Inventor： 高橋 英志 ,  宮野 清孝 ,  津久井 雅之 ,  名古 肇 ,  家近 泰

IPC: C23C16/42 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/325 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458

Abstract: 【目的】大面積の基板上に欠陥が少なく膜厚均一性の高い大面積の炭化珪素薄膜を形成できる気相成長方法を提供する。 【構成】実施形態の気相成長方法は、基板上に基板と異なる組成の膜を形成する気相成長方法であって、1枚の基板を自転させて第1の温度に加熱し、基板の表面に対して略垂直な方向の層流としてシリコン、及び炭素を含む第1のプロセスガスを供給し、基板の表面に膜厚が10nm以上200nm以下の炭化珪素膜を形成する。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2018092973A

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：JP2016232642

申请日：2016-11-30

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 阪根 亮太 ,  北澤 貴 ,  長畑 寿 ,  小林 秀行 ,  山岸 幸司

IPC: C23C16/52 ,  H05H1/46 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45557 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/505

Abstract: 【課題】被処理基板に対する処理の精度の低下を抑制する。 【解決手段】処理方法は、チャンバ内の処理空間に対して第1のセンサを曝露すると共に、チャンバ内の処理空間に対して第2のセンサを遮蔽する第1のステップと、チャンバ内に前駆体ガスを含む第1の処理ガスを供給する第2のステップと、第1のセンサの測定値に基づいてチャンバ内の状態を制御する第3のステップと、チャンバ内の処理空間に対して第1のセンサを遮蔽すると共に、チャンバ内の処理空間に対して第2のセンサを曝露する第4のステップと、チャンバ内に反応ガスを含む第2の処理ガスを供給する第5のステップと、第2のセンサの測定値に基づいてチャンバ内の状態を制御する第6のステップとを含み、第1のステップから第6のステップまでの処理が複数回繰り返し実行される。 【選択図】図6

公开(公告)号：JP5779174B2

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：JP2012504786

申请日：2010-04-06

Applicant: エイエスエム・アメリカ・インコーポレイテッド ,  ASM AMERICA INC.

Inventor： シェロ,エリック ,  バーギース,モヒス ,  ホワイト,カール ,  ターホスト,ヘルベルト ,  モーリス,ダン

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45502 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45544 ,  H01L21/0228 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45591 ,  Y10T137/85938

公开(公告)号：JP5749730B2

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：JP2012541045

申请日：2010-11-25

Applicant: ダイナテック エンジニアリング エーエス

Inventor： フィルトヴェット ヨーセフ ,  フィルトヴェット ヴェルナー オー. ,  ホルト アルヴェ

IPC: C01B33/027 ,  C01B33/035

CPC classification number: C01B33/035 ,  B01J19/02 ,  B01J19/2405 ,  B01J19/28 ,  B01J4/002 ,  B01J4/007 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4418 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45504 ,  C30B25/08 ,  C30B29/06 ,  B01J2219/00056 ,  B01J2219/0009 ,  B01J2219/00141 ,  B01J2219/00144 ,  B01J2219/00146 ,  B01J2219/00148 ,  B01J2219/00155 ,  B01J2219/00164 ,  B01J2219/0236 ,  B01J2219/029

公开(公告)号：JP2015002209A

公开(公告)日：2015-01-05

申请号：JP2013124848

申请日：2013-06-13

Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー ,  Nuflare Technology Inc

Inventor： YAMADA TAKUMI ,  SATO YUSUKE

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45504 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C30B25/14 ,  C30B25/165

Abstract: 【目的】反応室側壁への膜堆積を抑制し、低欠陥の膜を基板に成膜する気相成長装置を提供する。【構成】実施形態の気相成長装置は、反応室と、反応室の上部に配置され、反応室内にガスを供給するシャワープレートと、反応室内のシャワープレート下方に設けられ、基板を載置可能な支持部と、プロセスガスを供給するプロセスガス供給路と、水素および不活性ガスから選ばれる第1および第2のパージガスとの混合ガスを供給するパージガス供給路とを備える。そして、シャワープレートの内側領域にプロセスガス噴出孔が設けられ、シャワープレートの外側領域にパージガスガス噴出孔が設けられる。そして、プロセスガス供給路がプロセスガス噴出孔に接続され、パージガス供給路がパージガス噴出孔に接続される。【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种气相沉积设备，其抑制在反应室的侧壁上的成膜沉积，并将具有低缺陷的膜沉积在基材上。溶液：蒸气沉积设备包括：反应室; 布置在所述反应室的上部的用于将气体供应到所述反应室中的喷淋板; 支撑部，其设置在所述反应室内的所述喷淋板的下方，并且能够安装基板; 用于提供处理气体的处理气体供给路径; 以及用于供应选自氢气和惰性气体的第一和第二吹扫气体的混合气体的吹扫气体供给路径。 在喷淋板的内部区域设置有工艺气体喷射孔，并且在喷淋板的外部区域设置吹扫气体喷射孔。 工艺气体供给路径连接到处理气体喷射孔，净化气体供给路径与净化气体喷射孔连接。

公开(公告)号：JP5615102B2

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：JP2010194323

申请日：2010-08-31

Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー

Inventor： 義和 森山 ,  義和 森山 ,  太田　義久 ,  義久 太田

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/0652 ,  C23C14/0682 ,  C23C14/505 ,  C23C14/54 ,  C23C14/541 ,  C23C14/5806 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C30B25/02 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262

公开(公告)号：JP2013241678A

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：JP2013128588

申请日：2013-06-19

Applicant: Applied Materials Inc ,  アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated

Inventor： SINGH KAUSHAL K ,  MAHAJANI MAITREYEE ,  GHANAYEM STEVE G ,  YUDOVSKY JOSEPH ,  MCDOUGALL BRENDAN

IPC: C23C16/452 ,  B01J19/08 ,  C23C16/50 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: H05H1/24 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/045 ,  C23C16/34 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/46 ,  C23C16/482 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32009

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus for uniformly and effectively depositing materials during atomic layer deposition (ALD) or chemical vapor deposition (CVD) processes in a batch tool with UV assistance.SOLUTION: An apparatus includes: chambers 101, 113; a substrate supporting material 120 disposed inside the chambers and facing upper parts of the chambers; and a gas injector 150 disposed inside the chambers along side surfaces of the chambers and including a gas-flow channel serving as an energy source for exciting a gas with the gas-flow channel.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于在具有UV辅助的分批工具中的原子层沉积（ALD）或化学气相沉积（CVD）工艺期间均匀且有效地沉积材料的装置。解决方案：装置包括：室101,113; 衬底支撑材料120，其设置在腔室内并且面向腔室的上部; 以及气体喷射器150，其沿着室的侧表面设置在腔室内部，并且包括作为用于利用气体流动通道激发气体的能量源的气体流动通道。

公开(公告)号：JP2012054327A

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：JP2010194323

申请日：2010-08-31

Applicant: Nuflare Technology Inc ,  株式会社ニューフレアテクノロジー

Inventor： MORIYAMA YOSHIKAZU ,  OTA YOSHIHISA

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/0652 ,  C23C14/0682 ,  C23C14/505 ,  C23C14/54 ,  C23C14/541 ,  C23C14/5806 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C30B25/02 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor manufacturing method that can improve yield and reliability by inhibiting slip occurrence at temperature drop after wafer deposition.SOLUTION: The semiconductor manufacturing method comprises the steps of transferring a wafer into a reaction chamber to load the wafer on a support member, supplying process gasses including a source gas on a surface of the wafer, depositing the surface of the wafer by heating the wafer to a predetermined temperature by controlling output of a heater with rotating the wafer at a first revolution speed, stopping supply of the source gas to reduce the revolution speed to a second revolution speed that can keep offset balance of the wafer, and stopping the output of the heater to drop a temperature of the wafer with rotating the wafer at the second revolution speed.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种半导体制造方法，其可以通过抑制晶片沉积后的温度下降时的滑动发生而提高产量和可靠性。 解决方案：半导体制造方法包括以下步骤：将晶片转移到反应室中以将晶片负载在支撑构件上，在晶片的表面上提供包括源气体的工艺气体，将晶片的表面沉积在晶片的表面上 通过以第一转速旋转晶片来控制加热器的输出，将晶片加热到预定温度，停止源气体的供给，将转速降低到可保持晶片偏移平衡的第二转速，并停止 加热器的输出以第二转速旋转晶片来降低晶片的温度。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP4352234B2

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：JP2003566884

申请日：2003-02-10

Applicant: アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド

Inventor： キンナード デイビッド ,  フェリス デイビッド

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45504 ,  C23C16/455