公开(公告)号：JP6105165B2

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：JP2016528812

申请日：2014-11-07

申请人： クアルコム,インコーポレイテッド

发明人： ウィリアム・エドワード・キンバリー ,  ベニシュ・バブ ,  リチャード・パトリック ,  エフライン・オルトゥノ

IPC分类号： G11C16/02 ,  G06F12/16

CPC分类号： G06F3/0679 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/064 ,  G11C16/105 ,  G11C16/22 ,  G11C16/3418 ,  G06F12/0246

公开(公告)号：JP5145720B2

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：JP2007021478

申请日：2007-01-31

申请人： 富士通セミコンダクター株式会社

发明人： 修 飯岡 ,  直人 江見

IPC分类号： G11C16/02

CPC分类号： G11C16/3418 ,  G11C16/105

公开(公告)号：JP4999325B2

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：JP2005368634

申请日：2005-12-21

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 洋二 寺内

IPC分类号： G06F12/16 ,  G06F12/00 ,  G06F12/02

CPC分类号： G11C16/102 ,  G06F12/0246 ,  G11C16/105

摘要： A flash memory includes a data area in which first and second k-bit data (k is a natural number) are stored; and an additional data area in which a first additional m-bit data (m is a natural number) and a second additional m-bit data used to respectively identify the first and second data are stored. The first additional data and the second additional data have different values.

公开(公告)号：JP4980914B2

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：JP2007533066

申请日：2005-08-30

申请人： スパンション エルエルシー

发明人： 洋樹 村上 ,  和弘 栗原

IPC分类号： G11C16/02 ,  G06F12/00

CPC分类号： G11C11/413 ,  G11C16/102 ,  G11C16/105

公开(公告)号：JP4851344B2

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：JP2006547516

申请日：2004-12-21

申请人： サンディスク コーポレイション

发明人： アナトリエヴィッチ ゴロベッツ，セルゲイ ,  ウェルシュ シンクレア，アラン ,  ジョン スミス，ピーター ,  デビッド ベネット，アラン

IPC分类号： G06F12/02 ,  G06F11/20 ,  G06F12/00 ,  G11C7/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/10 ,  G11C16/34 ,  G11C29/00

CPC分类号： G06F11/1666 ,  G06F11/1072 ,  G06F11/141 ,  G06F11/1415 ,  G06F11/1658 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7205 ,  G06F2212/7208 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/102 ,  G11C16/105 ,  G11C16/20 ,  G11C29/00 ,  G11C29/76 ,  G11C2211/5641

公开(公告)号：JP4746326B2

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：JP2005006432

申请日：2005-01-13

申请人： 株式会社東芝

发明人： 拓也 二山 ,  鉱一 河合 ,  健 竹内

IPC分类号： G11C16/06

CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/105

公开(公告)号：JP4701618B2

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：JP2004045586

申请日：2004-02-23

申请人： ソニー株式会社

发明人： 太郎 栗田 ,  俊治 竹村

IPC分类号： G06F1/30 ,  G06F12/16 ,  G06F11/14 ,  G06K19/07 ,  G11C16/10

CPC分类号： G11C16/105 ,  G06F11/1435 ,  G06F11/1441 ,  G11C16/102

公开(公告)号：JP4564215B2

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：JP2001294204

申请日：2001-09-26

申请人： 株式会社東芝

发明人： 修三 森

IPC分类号： B42D15/10 ,  G06F12/04 ,  G06F12/00 ,  G06F12/16 ,  G06K19/07 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/34

CPC分类号： G11C16/105 ,  G11C16/10 ,  G11C16/102 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3459 ,  G11C2216/16

摘要： A memory IC card including a card substrate, a semiconductor device mounted on the card substrate, which includes an CPU, a flash memory, a memory block and a flash memory rewrite circuit having a rewrite data control circuit that receives a rewrite instruction of the flash memory from the CPU to store data for a designated byte of a page for rewriting to the memory block, a page data control circuit that sends data of the page excepting the designated byte in the flash memory to the memory block to prepare new page data in the memory block and a data set control circuit that writes the new page data prepared in the memory block to the flash memory; outer terminals mounted on the card substrate ; wirings provided on the card substrate to connect the outer terminals.

公开(公告)号：JP4480815B2

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：JP24797799

申请日：1999-09-01

申请人： ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

发明人： ホルツアプフェル ゲラルド ,  フーリッヒ マルティン

IPC分类号： G06F12/16 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10

CPC分类号： G11C16/105 ,  G11C16/102

公开(公告)号：JP2010039983A

公开(公告)日：2010-02-18

申请号：JP2008205414

申请日：2008-08-08

申请人： Renesas Technology Corp ,  株式会社ルネサステクノロジ

发明人： MOCHIZUKI YOSHINORI ,  UKEDA MASATOMO ,  SHIODA SHIGEMASA

IPC分类号： G06F12/16 ,  G11C16/02

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/105

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To return a threshold to a state before fluctuation without undesirably increasing writing frequencies in a nonvolatile memory. SOLUTION: A system includes: a nonvolatile memory (14); a random number generator (12); and a controller (11) capable of accessing the nonvolatile memory, and determines an area for refreshment with the controller based on random numbers generated by the random number generator whenever the nonvolatile memory is accessed. Then, the controller is made to execute refreshment control for performing rewrite to the area for refreshment. By such refreshment control, the threshold is returned to the state before fluctuation without undesirably increasing writing frequencies. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

摘要翻译： 要解决的问题：将门限返回到波动之前的状态，而不会不期望地增加非易失性存储器中的写入频率。 解决方案：系统包括：非易失性存储器（14）; 随机数发生器（12）; 以及能够访问非易失性存储器的控制器（11），并且每当访问非易失性存储器时，基于由随机数发生器生成的随机数来确定与控制器的刷新区域。 然后，使控制器执行刷新控制，以对刷新区进行重写。 通过这种刷新控制，阈值返回到波动之前的状态，而不会不期望地增加写入频率。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT